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本实用新型公开了一种雪崩光电二极管APD耦合电源，包括：单片机MCU单元，用于获取带有APD倍增因子的光发射次模块BOSA/光接收次模块ROSA器件的击穿电压，并根据输出模式的不同计算出器件的工作电压，控制高压芯片恒定输出高压至所述BOSA...
该专利属于武汉普赛斯电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉普赛斯电子技术有限公司授权不得商用。

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