【技术实现步骤摘要】
适用于太阳能高方阻电池的正电极网版
本技术涉及一种正电极网版，尤其涉及一种适用于太阳能高方阻电池的正电 极网版。
技术介绍
就现有的光伏产业来说，晶体硅太阳能片中正电极栅线电极作用巨大，其充当收 集光生载流子的作用。同时，对于普通P型基体晶硅电池来说，载流子的产生的多少(短路 电流的大小)与载流子在收集过程中的损耗多少(串联电阻的大小)很大程度上决定了电 池片的电学性能的优劣。同时，提高电池效率主要是通过密栅线正电极设计配合高方阻发射结来达到:高 方阻主要是提高蓝光响应，但是由于方阻高，栅线的横向电阻增大，采取密栅线印刷来降低 横向电阻的损耗，达到提升效率的目的。国内外光伏企业主要采用P0CL3液态源扩散来制备高方阻发射结，采用该方法制 备的高方阻发射结均匀性较差，片内中心比四周边缘区域方阻值大很多；如采用普通的密 栅线网版设计，中心方阻值较大区域串联电阻损耗大，而边缘遮光损失较大，使得整块电池 片的效率提升不明显。
技术实现思路
本技术的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种适用于太 阳能高方阻电池的正电极网版。本技术的目的通过以下技术方案来实现:适用于太阳能高方阻电池的正电极网版，包括有硅片本体，其中:所述的硅片本体 上分布有绒面，所述的绒面上分布有高方阻发射结，所述的高方阻发射结表面分布有氮化 硅膜，所述的氮化硅膜上分布有栅线层，所述的栅线层上分布有密集栅线区域与次密栅线 区域，所述的密集栅线区域位于栅线层中部。进一步地，上述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版，其中:所述密集栅线区 域中栅线之间的间距小于次密栅线区域中栅线之间的间距。更...
【技术保护点】
适用于太阳能高方阻电池的正电极网版，包括有硅片本体，其特征在于：所述的硅片本体上分布有绒面，所述的绒面上分布有高方阻发射结，所述的高方阻发射结表面分布有氮化硅膜，所述的氮化硅膜上分布有栅线层，所述的栅线层上分布有密集栅线区域与次密栅线区域，所述的密集栅线区域位于栅线层中部。
【技术特征摘要】
1.适用于太阳能高方阻电池的正电极网版，包括有硅片本体，其特征在于:所述的硅 片本体上分布有绒面，所述的绒面上分布有高方阻发射结，所述的高方阻发射结表面分布 有氮化硅膜，所述的氮化硅膜上分布有栅线层，所述的栅线层上分布有密集栅线区域与次 密栅线区域，所述的密集栅线区域位于栅线层中部。2.根据权利要求1所述的适用于太阳能高方阻电池的正电极网版，其特征在于:所述 密集栅线区域中栅线之间的间距小于次密栅线区域中栅线之间的间距。3.根据权利要求1所述的适用于太阳...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄书斌，钱峰，汪燕玲，连维飞，魏青竹，
申请(专利权)人：中利腾晖光伏科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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