【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种硅基底，所述硅基底包括：第一连接部分，连接到歧管并具有第一尺寸的第一宽度；第二连接部分，连接到压力室并具有第二尺寸的第二宽度；限流器部分，将第一连接部分连接到第二连接部分，并具有第三尺寸的第三宽度，第三尺寸小于第一尺寸或第二尺寸，其中，将限流器部分连接到第一连接部分的边界部分或者将限流器部分连接到第二连接部分的边界部分被形成为弯曲的。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李在昌，李泰京，李华善，金成昱，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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