太阳能电池片的电极结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种太阳能电池片的电极结构，包括背电极（4）和正面栅电极，背电极（4）分布于太阳能电池片的背面，正面栅电极分布于太阳能电池片的正面，正面栅电极包括相互平行的主栅线（1）和多根与主栅线（1）相垂直的副栅线（3），主栅线（1）有四根，其中两根布置在两侧，另外两根布置在中间，且中间两根主栅线（1）之间的间隔（2）宽为0.2mm~2mm。本实用新型专利技术具有多个独立发电单元的太阳能电池片的电极结构，各部分独立单元可以在并联后合并使用，也可以作为单独发电单元使用。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光电
，特别是涉及一种太阳能电池片的电极结构。
技术介绍
随着全球能源的日趋紧张，太阳能以无污染、市场空间大等独有的优势受到广泛重视。光伏发电具有安全可靠、无噪声、故障率低等优点，太阳能电池是光伏发电技术中将太阳能直接转化为电能的主要部件。常见的晶体硅太阳能电池是由背面电极、半导体材料构成的P型层、N型层、P—N结、减反射薄膜、正面栅电极等部分组成。当太阳光照射到太阳能电池表面时，减反射薄膜和绒面结构可有效减少电池表面的光反射损失。太阳能电池中的半导体结构吸收太阳能后。激发产生电子、空穴对，电子、空穴对被半导体内部P—N结自建电场分开，电子流进入N区，空穴流入P区，形成光生电场，如果将晶体硅太能能电池的正、负极与外部电路连接，外部电路中就有光生电流通过。目前多数的晶体硅太阳能电池电池采用P型硅片，经过磷扩散后形成P—N结，在P型硅上制作背电极和背场，在扩散形成的N面制作正面栅电极，整个器件利用P—N结的光生伏特效应来工作。对于125mm×125mm的单晶硅或多晶硅电池的正面栅电极一般采用两条主栅线，对于156mm×156mm的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池片的电极结构，包括背电极（4）和正面栅电极，背电极（4）分布于太阳能电池片的背面，正面栅电极分布于太阳能电池片的正面，正面栅电极包括相互平行的主栅线（1）和多根与主栅线（1）相垂直的副栅线（3），其特征在于：主栅线（1）有四根，其中两根布置在两侧，另外两根布置在中间，且中间两根主栅线（1）之间的间隔（2）宽为0.2mm~2mm。

【技术特征摘要】
1. 一种太阳能电池片的电极结构，包括背电极（4）和正面栅电极，背电极（4）分布于太阳能电池片的背面，正面栅电极分布于太阳能电池片的正面，正面栅电极包括相互平行的主栅线（1）和多根与主栅线（1）相垂直的副栅线（3），其特征在于：主栅线（1）有四根，其中两根布置在两侧，另外两根布置在中间，且中间两根主栅线（1）之间的间隔（2）宽为0.2...

【专利技术属性】
技术研发人员：威灵顿·皮埃尔J，盛健，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：实用新型
国别省市：