一种用于清洗刻蚀盘的清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种用于清洗刻蚀盘的清洗装置，所述清洗装置至少包括：用于放置刻蚀盘的盘体，其具有光滑盘面且边缘具有缺口；设置在所述光滑盘面边缘的阻挡件以及支撑所述盘体的支撑件。采用本实用新型专利技术提供的清洗装置来清洗刻蚀盘，可以保证刻蚀盘在清洗的过程中不被碰碎、压碎，从而大大提高作业效率，有效降低制造成本。且本实用新型专利技术的清洗装置结构简单，使用方便，适用于工业生产过程。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体
，特别是涉及一种用于清洗干法刻蚀工艺中刻蚀盘的清洗装置。
技术介绍
发光二极管具有体积小、效率高和寿命长等优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率发光二极管可能实现半导体固态照明，引起人类照明史的革命，从而逐渐成为目前电子学领域的研究热点。为了获得高亮度的LED，关键要提高器件的内量子效率和外量子效率。目前，芯片光提取效率是限制器件外量子效率的主要因素，其主要原因是外延材料、衬底材料以及空气之间的折射率差别较大，导致有源区产生的光在不同折射率材料界面发生全反射而不能导出芯片。目前主流的技术路线是用图形化衬底来生长外延，此种技术可以缓解衬底和氮化物外延层异质外延生长中由于晶格失配引起的应力，减小GaN基外延层穿透位错的密度，提高外延晶体质量，降低半导体发光材料的非辐射复合中心，增强辐射复合，以提高芯片亮度。目前这种图形衬底的制作方法是先用光刻胶在蓝宝石衬底上做周期性排列的小图形，再利用ICP (增强耦合等离子体)干法刻蚀技术将此光刻胶图形转移到蓝宝石衬底上，而这种干法刻蚀技术在刻蚀的过程中对衬底的冷却至关重要，否则光刻胶图形会因刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于清洗刻蚀盘的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置至少包括：用于放置刻蚀盘的盘体，其具有光滑盘面且边缘具有第一缺口；设置在所述盘体边缘的阻挡件以及支撑所述盘体的支撑件。

【技术特征摘要】
1.一种用于清洗刻蚀盘的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置至少包括: 用于放置刻蚀盘的盘体，其具有光滑盘面且边缘具有第一缺口 ； 设置在所述盘体边缘的阻挡件以及支撑所述盘体的支撑件。2.根据权利要求1所述的用于清洗刻蚀盘的清洗装置，其特征在于:所述阻挡件包括凸起环，其具有排水口和与所述缺口贯通的第二缺口。3.根据权利要求1所述的用于清洗刻蚀盘的清洗装置，其特征在于:所述支撑件包括底座及连接底座及盘体的支撑梁。4.根据权利要求1所述的用于清洗刻蚀盘的清洗装置，其特征在于:所述盘体的内径比所述刻蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁根如，常建军，陶淳，郝茂盛，张楠，
申请(专利权)人：上海蓝光科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：