【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数据存储
,尤其涉及一种切换闪存中物理块工作模式的方法和装置。
技术介绍
随着闪存技术的发展,在闪存中设置有多个物理块,每个物理块的工作模式不同,包括MLC、TLC和SLC工作模式。在闪存中,若某个MLC或TLC工作模式的物理块出现错误,就被标记为坏块不再被使用,则该MLC或TLC模式的物理块的使用率低,寿命短。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种切换闪存中物理块工作模式的方法和装置,旨在延长闪存的使用寿命。本专利技术提出一种切换闪存中物理块工作模式的方法,包括:获取闪存中物理块的工作模式,判断所述物理块在所述工作模式下是否出现错误;若是,则判断所述物理块的工作模式是否为SLC模式;若判断所述物理块的工作模式不是SLC模式,则将所述物理块的工作模式转换为SLC模式。优选地,所述获取物理块的工作模式的步骤包括:获取所述物理块工作模式状态表;根据所述物理块的工作模式状态表,获取所述物理块的工作模式。优选地,所述将物理块的工作模式转换为SLC模式的步骤之后还包括:更新所述物理块工作模式状态表。优选地,所述物理块工作模式状态表保存在所述工作模式 ...
【技术保护点】
一种切换闪存中物理块工作模式的方法,其特征在于,包括:获取闪存中物理块的工作模式,判断所述物理块在所述工作模式下是否出现错误;若是,则判断所述物理块的工作模式是否为SLC模式;若判断所述物理块的工作模式不是SLC模式,则将所述物理块的工作模式转换为SLC模式。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋林,
申请(专利权)人:深圳市硅格半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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