切换闪存中物理块工作模式的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种切换闪存中物理块工作模式的方法和装置，该方法包括：获取闪存中物理块的工作模式，判断物理块在该工作模式下是否出现错误；若是，则判断物理块的工作模式是否为SLC模式；若判断物理块的工作模式不是SLC模式，则将物理块的工作模式转换为SLC模式。该方法使得闪存中的物理块在对数据进行存储时，若出现错误，通过改变物理块的工作模式，继续作为一个存储模块进行工作，以达到延长闪存使用寿命的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及数据存储
，尤其涉及一种切换闪存中物理块工作模式的方法和装置。
技术介绍
随着闪存技术的发展，在闪存中设置有多个物理块，每个物理块的工作模式不同，包括MLC、TLC和SLC工作模式。在闪存中，若某个MLC或TLC工作模式的物理块出现错误，就被标记为坏块不再被使用，则该MLC或TLC模式的物理块的使用率低，寿命短。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种切换闪存中物理块工作模式的方法和装置，旨在延长闪存的使用寿命。本专利技术提出一种切换闪存中物理块工作模式的方法，包括:获取闪存中物理块的工作模式，判断所述物理块在所述工作模式下是否出现错误；若是，则判断所述物理块的工作模式是否为SLC模式；若判断所述物理块的工作模式不是SLC模式，则将所述物理块的工作模式转换为SLC模式。优选地，所述获取物理块的工作模式的步骤包括:获取所述物理块工作模式状态表；根据所述物理块的工作模式状态表，获取所述物理块的工作模式。优选地，所述将物理块的工作模式转换为SLC模式的步骤之后还包括:更新所述物理块工作模式状态表。优选地，所述物理块工作模式状态表保存在所述工作模式为SLC模式的物理块上。优选地，所述判断所述物理块是否出现错误的步骤包括:判断所述物理块的数据是否出现错误；若是，则对物理块进行错误检查和纠正；判断进行错误检查和纠正之后所述物理块的数据是否还是出现错误。本专利技术还提出一种切换闪存中物理块工作模式的装置，包括:获取模块，用于获取闪存中物理块的工作模式；第一判断模块，用于判断所述物理块是否出现错误；第二判断模块，用于判断所述物理块的工作模式是否为SLC模式；处理模块，用于若判断所述物理块的工作模式不是SLC模式，则将所述物理块的工作模式转换为SLC模式。优选地，所述获取模块包括:第一获取单元，用于获取所述物理块工作模式状态表；第二获取单元，用于根据所述物理块的工作模式状态表，获取所述物理块的工作模式。优选地，还包括:更新模块，用于将所述物理块的工作模式转换为SLC模式之后，更新所述物理块工作模式状态表。优选地，所述处理模块还用于若判断所述物理块的工作模式为SLC模式，则将所述物理块标记为坏块优选地，所述第一判断模块包括:第一判断单元，用于判断所述物理块的数据是否出现错误；纠正单元，用于对所述物理块进行错误检查和纠正；第二判断单元，用于判断错误检查和纠正之后所述物理块的数据是否还是出现错误。本专利技术所提出的一种切换闪存中物理块工作模式的方法和装置，该方法使得闪存中的物理块在对数据进行存储时，若出现错误，通过改变物理块的工作模式，继续作为一个存储模块进行工作，以达到延长闪存使用寿命的目的。附图说明图1为本专利技术切换闪存中物理块工作模式的方法一实施例的流程示意图；图2为本专利技术切换闪存中物理块工作模式的方法中获取物理块的工作模式的流程不意图；图3为本专利技术切换闪存中物理块工作模式的方法另一实施例的流程示意图；图4为本专利技术切换闪存中物理块工作模式的方法再一实施例的流程示意图；图5为本专利技术切换闪存中物理块工作模式的方法中判断物理块是否出现错误的流程示意图；图6为本专利技术切换闪存中物理块工作模式的装置一实施例的结构示意图；图7为本专利技术切换闪存中物理块工作模式的装置中获取模块的结构示意图；图8为本专利技术切换闪存中物理块工作模式的装置另一实施例的结构示意图；图9为本专利技术切换闪存中物理块工作模式的装置中第二判断模块的结构示意图。本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施例方式下面结合附图及具体实施例就本专利技术的技术方案做进一步的说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。参照图1，图1为本专利技术切换闪存中物理块工作模式的方法一实施例的流程示意图。本实施例所提出的切换闪存中物理块工作模式的方法，包括:步骤S10，获取闪存中物理块的工作模式；根据Nand Flash的结构特性，其工作模式包括MLC (Mult1-Level cell)、TLC(Triple-Level cell)和 SLC (Single Layer Cell)模式三种。SLC 模式具有成本高，容量小，速度快，使用寿命长且数据稳定的特点；MLC模式具有成本低、容量大、速度慢、使用寿命中等以及数据较稳定的特点；TLC模式具有存储密度高、成本低、寿命低、读写速度慢、使用寿命短以及数据不稳定的特点。以一般的MLC Flash来说，MLC模式的物理块的寿命为擦除3000次，而SLC模式的物理块的寿命为擦除30000次，SLC模式的使用寿命明显大于MLC模式；而对一般的TLCFlash来说，TLC模式的物理块的寿命为擦除300次，而SLC模式的物理块的寿命为擦除15000次，SLC模式的使用寿命明显大于TLC模式。可通过建立每个物理块的工作模式状态表，记录每个物理块的工作模式，根据物理块的工作模式状态表来获取物理块的工作模式。步骤S20，判断物理块在该工作模式下是否出现错误； 物理块在MLC、TLC或SLC模式下寿命将尽时，会导致存储数据出现错误，可通过判断物理块在存储数据时是否出现错误来判断物理块是否出现错误。步骤S30，判断物理块的工作模式是否为SLC模式；物理块的工作模式包括MLC、TLC和SLC模式三种。SLC模式的使用寿命最长，MLC模式次之，TLC模式的使用寿命最短。而MLC和TLC模式可以切换至SLC模式，所以若判断物理块的工作模式为SLC模式，则该物理块的工作模式无法切换为其他模式，该物理块被标记为坏块无法使用。步骤S40，若判断所述物理块出现错误，则将所述物理块的工作模式转换为SLC模式。以一般的MLC Flash来说，MLC模式的物理块的寿命为擦除3000次，而SLC模式的物理块的寿命为擦除30000次，SLC模式的使用寿命明显大于MLC模式；而对一般的TLCFlash来说，TLC模式的物理块的寿命为擦除300次，而SLC模式的物理块的寿命为擦除15000次，SLC模式的使用寿命明显大于TLC模式。而MLC模式和TLC模式均可转换为SLC模式，然后以SLC模式进行数据存储，因而废弃的MLC模式和TLC模式的物理块还可以继续转换为SLC模式的物理块来继续存储数据。本专利技术所提出的一种切换闪存中物理块工作模式的方法和装置，该方法使得物理块在对数据进行存储时，若出现错误，通过改变物理块的工作模式，继续作为一个存储模块进行工作，以达到延长闪存使用寿命的目的。参照图2，图2为本专利技术切换闪存中物理块工作模式的方法中获取物理块的工作模式的流程示意图。基于上述实施例，步骤SlO包括:步骤SI I，获取物理块的工作模式状态表；可在Nand Flash中建立工作模式状态表，并将物理块的工作模式状态表保存在数据最稳定的SLC模式的物理块中，每个物理块的工作模式都对应保存在该工作模式状态表中。步骤S12，根据物理块的工作模式状态表，获取物理块的工作模式。在工作模式状态表中找出物理块的对应的工作模式，包括MLC、TLC和SLC模式三种。参照图3，图3为本专利技术切换闪存中物理块工作模式的方法另一实施例的流程示意图。基于上述实施例，在步骤S40之后还包括:步骤S50，更新物理块工作模式状态表。在将MLC模式或TLC模式的物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切换闪存中物理块工作模式的方法，其特征在于，包括：获取闪存中物理块的工作模式，判断所述物理块在所述工作模式下是否出现错误；若是，则判断所述物理块的工作模式是否为SLC模式；若判断所述物理块的工作模式不是SLC模式，则将所述物理块的工作模式转换为SLC模式。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋林，
申请(专利权)人：深圳市硅格半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：