本实用新型专利技术公开了一种半透半反式内嵌触摸屏及显示装置，在每个像素单元内设置透射区和反射区，透射区的液晶层的厚度大于反射区的液晶层的厚度，TFT阵列基板在反射区设置光学延迟层和反射层；由于光学延迟层补偿由液晶层厚度不同引起的光延迟差异，使各像素单元的反射区和透射区在电场开和关的状态下都能保持灰阶一致，达到半透半反式显示效果。在彩膜基板上设置触控感应电极，在TFT阵列基板上采用双栅结构，通过增加一倍数量的栅极信号线，节省出一部分数据信号线的位置，将触控驱动线设置在节省出的数据信号线的位置，以保证触摸屏具有较大的开口率，并采用分时驱动降低显示和触控的相互干扰，提高画面品质和触控准确性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及显示
，尤其涉及一种半透半反式内嵌触摸屏及显示装置。
技术介绍
随着显示技术的飞速发展，触摸屏(Touch Screen Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前，触摸屏按照组成结构可以分为:外挂式触摸屏(Add on ModeTouch Panel)、覆盖表面式触摸屏(On Cell Touch Panel)、以及内嵌式触摸屏(InCell Touch Panel)。其中，外挂式触摸屏是将触摸屏与液晶显示屏(Liquid CrystalDisplay, LCD)分开生产,然后贴合到一起成为具有触摸功能的液晶显示屏，外挂式触摸屏存在制作成本较高、光透过率较低、模组较厚等缺点。而内嵌式触摸屏将触摸屏的触控电极内嵌在液晶显示屏内部，可以减薄模组整体的厚度，又可以大大降低触摸屏的制作成本，受到各大面板厂家青睐。为了能够最大限度的提高触摸显示屏的开口率，在设计触摸屏的TFT阵列基板中的像素结构时可以采用双栅(Dual Gate)结构，如图1所示，在双栅结构中，TFT阵列基板上的相邻行的像素单元之间具有两个栅极信号线，例如Gatel和Gate2、Gate3和Gate4、Gate5和Gate6，且每相邻的两列像素单元为一组，共用一个位于该两列像素单元之间的数据信号线Datel、Date2、Date3。双栅结构通过增加一倍数量的栅极信号线，减少了数据信号线及源极驱动IC的数量，从而降低显示器整体成本。液晶面板是被动发光器件，其按照照明光源可以分为:反射式、透射式和半透半反式。其中，反射式液晶面板是利用液晶面板周围的环境光来作为照明光源，在反射式液晶面板中设有用于反射环境光的反射表面，反射式液晶面板由于自身没有背光源，其耗电量相对较低，但是在周围的环境光偏暗的情况下，画面不易观看，带有使用上的诸多限制。透射式液晶面板是在薄膜晶体管阵列基板的背面设置背光源，利用背光源发出的背景光透过液晶面板的调试，显示需要画面，由于需要提供背光源的电能，使其耗电量相对较高。而半透半反式液晶面板结合了透射式和反射式液晶面板的特点，同时具备背光源和反射层，在使用时既可以利用自身的背光源也可以利用环境光，兼具了两者的优点，无论在强光下或是昏暗的环境下都能向使用者提供良好的观看品质。目前，现有技术中还没有基于半透半反式液晶显示技术以及双栅结构的内嵌式触摸屏的设计。
技术实现思路
本技术实施例提供了一种半透半反式内嵌触摸屏及显示装置，用以实现在半透半反显示模式下具有双栅结构的内嵌触摸屏。本技术实施例提供的一种半透半反式内嵌触摸屏，包括:彩膜基板，薄膜晶体管TFT阵列基板，以及位于所述彩膜基板和所述TFT阵列基板之间的液晶层；所述半透半反式内嵌触摸屏内形成有呈矩阵排列的多个像素单元，在每个像素单元设置有透射区和反射区；在所述TFT阵列基板相邻行的像素单元之间具有两条栅极信号线，且以相邻的两列像素单元为一组像素单元列，每组像素单元列共用一条位于该两列像素单元之间的数据信号线.所述透射区的液晶层的厚度大于所述反射区的液晶层的厚度；且所述TFT阵列基板在反射区内设置有光学延迟层和金属反射层；所述光学延迟层用于补偿由所述透射区的液晶层与所述反射区的液晶层的厚度差引起的光延迟；所述彩膜基板具有沿像素单元的行方向延伸的多条触控感应电极；所述TFT阵列基板具有沿着像素单元的列方向延伸的多条触控驱动线，各所述触控驱动线位于相邻组像素单元列之间的间隙处。本技术实施例提供了一种显示装置，包括本技术实施例提供的半透半反式内嵌触摸屏。本技术实施例的有益效果包括:本技术实施例提供的一种半透半反式内嵌触摸屏及显示装置，在每个像素单元内设置透射区和反射区，透射区的液晶层的厚度大于反射区的液晶层的厚度，TFT阵列基板在反射区对应的区域内设置光学延迟层和反射层，光学延迟层用于补偿由透射区的液晶层与反射区的液晶层的厚度差引起的光延迟；在显示过程中，由于透射区和反射区的液晶层的厚度不同，通电后不同厚度的液晶层会对光线具有不同的延迟作用，在反射区设置光学延迟层可以补偿由此引起的光延迟差异，使一个像素单元中的反射区和透射区的光透过率相互匹配，并且，在电场开和关的状态下都能保持一个像素单元内灰阶一致，从而达到半透半反式显示效果。在彩膜基板上设置触控感应电极，在TFT阵列基板上采用双栅结构，即相邻行的像素单元之间具有两条栅极信号线，每相邻的两列像素单元为一组像素单元列，共用一个位于该两列像素单元之间的数据信号线，通过增加一倍数量的栅极信号线，节省出一部分数据信号线的位置，将实现触控功能的触控驱动线设置在节省出的数据信号线的位置，即设置在相邻像素单元列之间的间隙处，既可以保证触控所需的精度，又不会过多占用像素单元的开口区域，能够保证触摸屏具有较大的开口率。并且，对触控驱动线和触控感应电极进行分时驱动，能降低显示和触控的相互干扰，提高画面品质和触控准确性。附图说明图1为现有技术中显示面板的双栅结构的结构示意图；图2a为本技术实施例提供的半透半反式内嵌触摸屏在未通电时的结构示意图；图2b为本技术实施例提供的半透半反式内嵌触摸屏在未通电时的光线模拟图；图3a为本技术实施例提供的半透半反式内嵌触摸屏通电后的结构示意图；图3b为本技术实施例提供的半透半反式内嵌触摸屏通电后的光线模拟图；图4为本技术实施例提供的半透半反式内嵌触摸屏中TFT阵列基板的俯视示意图；图5为本技术实施例提供的半透半反式内嵌触摸屏的工作时序图；图6为本技术实施例提供的半透半反式内嵌触摸屏中公共电极图案的俯视示意图；图7为本技术实施例提供的半透半反式内嵌触摸屏中的彩膜基板和TFT阵列基板对盒后的结构示意图之一；图8为本技术实施例提供的半透半反式内嵌触摸屏中的彩膜基板和TFT阵列基板对盒后的结构示意图之二；图9为本技术实施例提供的半透半反式内嵌触摸屏中的彩膜基板和TFT阵列基板对盒后的结构示意图之三。具体实施方式以下结合附图，对本技术实施例提供的半透半反式内嵌触摸屏及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各层薄膜的厚度和形状不反映阵列基板和彩膜基板的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。图2a和图4所示分别为本技术实施例提供的电容式内嵌触摸屏的横向剖面不意图和触摸屏中TFT阵列基板的俯视不意图。如图2a和图4所不，本技术实施例提供的半透半反式内嵌触摸屏具体包括:彩膜基板1，薄膜晶体管TFT阵列基板2，以及位于彩膜基板I和TFT阵列基板2之间的液晶层3，半透半反式内嵌触摸屏内形成有呈矩阵排列的多个像素单元4，在每个像素单元设置有透射区和反射区；在TFT阵列基板相邻行的像素单元4之间具有两条栅极信号线Gate，且每相邻的两列像素单元4为一组像素单元列5，共用一条位于该两列像素单元4之间的数据信号线Data ；透射区的液晶层3的厚度大于反射区的液晶层3的厚度；且TFT阵列基板2在反射区内设置有光学延迟层6和金属反射层7 ;光学延迟层6用于补偿由透射区的液晶层3与反射区的液晶层3的厚度差引起的光延迟；彩膜基板I具有沿像素单元4的行方向延伸的多条触控感应电极8 ；TFT阵列基板2具有沿着像素单元4的列方向延伸的多条触控驱动线本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半透半反式内嵌触摸屏，包括：彩膜基板，薄膜晶体管TFT阵列基板，以及位于所述彩膜基板和所述TFT阵列基板之间的液晶层；所述半透半反式内嵌触摸屏内形成有呈矩阵排列的多个像素单元，在每个像素单元设置有透射区和反射区；在所述TFT阵列基板相邻行的像素单元之间具有两条栅极信号线，且以相邻的两列像素单元为一组像素单元列，每组像素单元列共用一条位于该两列像素单元之间的数据信号线；其特征在于，所述透射区的液晶层的厚度大于所述反射区的液晶层的厚度；且所述TFT阵列基板在反射区内设置有光学延迟层和金属反射层；所述光学延迟层用于补偿由所述透射区的液晶层与所述反射区的液晶层的厚度差引起的光延迟；所述彩膜基板具有沿像素单元的行方向延伸的多条触控感应电极；所述TFT阵列基板具有沿着像素单元的列方向延伸的多条触控驱动线，各所述触控驱动线位于相邻组像素单元列之间的间隙处。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨盛际，董学，李成，王海生，刘英明，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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