一种触摸屏及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例涉及液晶显示领域，特别涉及一种触摸屏及其制造方法、显示装置，用于解决现有触摸屏在工作状态下，由于显示模组与触控模组的信号干扰，从而影响触摸屏的触摸灵敏度，进而影响触摸屏的性能的问题。本发明专利技术实施例的触摸屏包括：显示模组、触控模组、以及至少一个位于该显示模组与该触控模组之间的导电薄膜层。本发明专利技术实施例降低了显示模组与触控模组之间的总寄生电容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，特别涉及一种触摸屏及其制造方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不装置(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在当前的平板显示装置市场中占据了主导地位，广泛应用于台式电脑、笔记本电脑、个人数字助理(Personal Digital Assistant,PDA)、手机、电视、监视器等领域。随着触控技术在显示面板的应用，触摸屏(Touch ScreenPanel)应运而生，并已逐渐发展成为主流平板显示器的屏幕。目前，触摸屏按照工作原理可以分为:电阻式、电容式、红外线式以及表面声波式；其中，电容式触摸屏以其独特的触控原理，凭借高灵敏度、长寿命、高透光率等优点，被业内追捧为新宠。目前常用的电容式触摸屏包括:用于显示图像的显示模组及用于感知触控的触控模组；其中，显示模组进ー步包括:TFT阵列基板、彩膜(Color Filter, CF)基板以及位于TFT阵列基板与CF基板之间的液晶(Liquid Crystal, LC);触控模组进ー步包括相互绝缘且交叉设置的触控驱动电极和触控感应电极。目前，按照触控模组在触摸屏中的不同位置，触摸屏进ー步又包括:Add-On (外挂式)触摸屏、On-Cell (外嵌式)触摸屏以及In-Cell (内嵌式)触摸屏三种类型，其中，In-Cell式触摸屏中的触控模组设置于TFT阵列基板与CF基板之间，On-Cell式触摸屏中触控模组设置于CF基板与偏光片之间。以On-Cell触摸屏为例，參见图1，On-Cell触摸屏包括:TFT阵列基板1、CF基板2、位于TFT阵列基板I与CF基板2之间的液晶层3、位于CF基板2上的触控模组4以及位于触控模组4上的偏光片5 ;由于TFT阵列基板I或CF基板2中包含像素电极层,触控模组4包含用于感应外界触摸信号的触控电极层，触摸屏在工作状态下，显示模组的像素电极层的电压为Ul，触控模组的触控电极层的电压为U2，两者之间存在一定的电压差A U，那么像素电极层与触控电极层上信号之间会产生干扰，从而在像素电极层与触控电极层之间形成寄生电容，參见图2，从而影响触摸屏的触摸灵敏度，进而影响触摸屏的性能。综上所述，现有触摸屏在工作状态下，由于显示模组与触控模组的信号干扰，从而影响触摸屏的触摸灵敏度，进而影响触摸屏的性能。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种触摸屏及其制造方法、显示装置，用于解决现有触摸屏在工作状态下，由于显示模组对触控模组的信号干扰，从而影响触摸屏的触摸灵敏度，进而影响触摸屏的性能的问题。本专利技术实施例提供了ー种触摸屏，包括:显示模组和触控模组，其中，该触摸屏还包括:至少ー个位于所述显示模组与所述触控模组之间的导电薄膜层。若上述触控模组的触控电极层与ー个所述导电薄膜层接触，所述触摸屏还包括位于所述触控模组的触控电极层与该导电薄膜层之间的第一绝缘层。若上述导电薄膜层的数量不小于2，所述触摸屏还包括位于任意两个相邻的导电薄膜层之间的第二绝缘层。上述导电薄膜层采用透明导电性材料。上述透明导电材料为氧化铟锡ITO或者铟锌氧化物IZ0。上述第一绝缘层与所述第二绝缘层采用透明绝缘性材料。上述透明绝缘材料为氮化硅、氧化硅及树脂绝缘材料中的一种或复合物。本专利技术实施例提供了 一种显示装置，包括上述触摸屏。本专利技术实施例提供了一种触摸屏的制造方法，包括:在完成显示模组的制作之后，在所述显示模组的彩膜基板的背离液晶层的ー侧上，至少沉积ー层透明导电薄膜，形成导电薄膜层；在形成的最后ー个导电薄膜层上形成触控模组。本专利技术实施例的触摸屏包括显示模组、触控模组及至少ー个位于该显示模组与该触控模组之间的导电薄膜层；由于本专利技术实施例在显示模组的像素电极层与触控模组的电极层之间增加了至少ー个导电薄膜层，显示模组的像素电极层与导电薄膜层之间、导电薄膜层与触控模组的电极层之间均形成了寄生电容，且形成的寄生电容之间为串联连接，由于串联连接，使得显示模组与触控模组之间的总寄生电容的电容值小于形成的最小的寄生电容的电容值，从而降低了显示模组与触控模组之间的总寄生电容。附图说明图1为
技术介绍
中触摸屏的剖面结构示意图；图2为
技术介绍
中触摸屏的寄生电容的等效结构示意图；图3为本专利技术实施例第一种触摸屏的剖面结构示意图；图4为本专利技术实施例第一种触摸屏的寄生电容的等效结构示意图；图5为本专利技术实施例第二种触摸屏的剖面结构示意图；图6为本专利技术实施例第三种触摸屏的剖面结构示意图；图7为本专利技术实施例第三种触摸屏的寄生电容的等效结构示意图；图8为本专利技术实施例第四种触摸屏的剖面结构示意图；图9为本专利技术实施例触摸屏的制造方法流程示意图；图10为本专利技术实施例第四种触摸屏的制造方法流程示意图。具体实施例方式本专利技术实施例的触摸屏，通过在显示模组与触控模组之间设置至少ー个导电薄膜层，从而降低了显示模组与触控模组之间的总寄生电容。本专利技术实施例触摸屏可以为Add-On触摸屏或On-Cell触摸屏；本专利技术实施例均以On-Cell触摸屏为例进行说明，Add-On触摸屏与On-Cell触摸屏类似，此处不再一一列举说明。下面结合说明书附图对本专利技术实施例作进ー步详细描述。本专利技术实施例的触摸屏包括:显示模组、触控模组以及至少ー个位于该显示模组与该触控模组之间的导电薄膜层；其中，显示模组包括阵列基板、彩膜基板、位于该阵列基板与彩膜基板之间的液晶、以及位于该彩膜基板上的偏光片；显示模组包括像素电极层，触控模组包括触控电极层。本专利技术实施例的导电薄膜层采用透明导电性材料；优选的，该透明导电性材料为IT0( Indium-Tin Oxide,氧化铟锡)或者IZ0( IndiumZinc Oxide,铟锌氧化物)等氧化物；其中，每个导电薄膜层的厚度为200埃米 400埃米。实施例一、以本专利技术实施例触摸屏的显不模组与触控模组之间包含一个导电薄膜层为例进行说明。參见图3，本实施例中的触摸屏包括:阵列基板1、彩膜基板2、位于阵列基板I与彩膜基板2之间的液晶层3、位于彩膜基板2的背离液晶层3的ー侧上的导电薄膜层6、位于该导电薄膜层6上的触控模组4、以及位于该触控模组4上的偏光片5 ；其中，导电薄膜层6采用透明导电性材料；导电薄膜层6的厚度为200埃米 400埃米。优选的，该透明导电性材料为ITO或者IZO等氧化物。參见图4，本实施例中在彩膜基板与触控模组之间包含一个导电薄膜层，由于阵列基板或彩膜基板包含像素电极层，触控模组包含触控电极层，导电薄膜层处于悬空状态，因此，像素电极层与导电薄膜层之间形成第一寄生电容Cl，导电薄膜层与触控电极层形成第ニ寄生电容C2 ;由于第一寄生电容Cl与第二寄生电容C2之间为串联连接，因此，像素电极层与触控电极层之间的寄生电容C的值小于第一寄生电容Cl与第二寄生电容C2中较小的寄生电容的值，因此，在彩膜基板与触控模组之间包含一个导电薄膜层，由于阵列基板或彩膜基板包含ー个像素电极层，能够将像素电极层与触控电极层之间的寄生电容C的值至少降为原有寄生电容的值的一半，从而降低了像素电极层与触控电极层之间的总寄生电容C。进一歩，參见图5，若触控模组4的触控电极层与ー个导电薄膜层6接触，则在该触控电极层与该导电薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触摸屏，包括：显示模组和触控模组，其特征在于，该触摸屏还包括：至少一个位于所述显示模组与所述触控模组之间的导电薄膜层。

【技术特征摘要】
1.一种触摸屏，包括:显示模组和触控模组，其特征在于，该触摸屏还包括: 至少ー个位于所述显示模组与所述触控模组之间的导电薄膜层。2.按权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，若所述触控模组的触控电极层与ー个所述导电薄膜层接触，所述触摸屏还包括: 位于所述触控模组的触控电极层与该导电薄膜层之间的第一绝缘层。3.按权利要求1或2所述的触摸屏，其特征在于，若所述导电薄膜层的数量不小于2，所述触摸屏还包括: 位于任意两个相邻的导电薄膜层之间的第二绝缘层。4.按权利要求1或2所述的触摸屏，其特征在于，所述导电薄膜层采用透明导电性材料。5.按权利要求4所述的触摸屏，其特征在于，所述透明导电材料为氧化铟锡ITO或者铟锌氧化物IZ0。6.按权利要求3所述的触摸屏，其特征在干，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层采用透明绝缘性材料。7.按权利要求6所述的触摸屏，其特征在于，所述透明绝缘材料为氮化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘英明，王海生，杨盛际，邓立广，段亚锋，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：