【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及触摸屏行业,主要应用在电容屏方面,主要是指一种消影高透过率OGS(One glass solution)用玻璃及其制造方法。
技术介绍
现有OGS用玻璃的一种结构为:Glass/BM/IT0(氧化铟锡),其中BM为绝缘边框,ITO是导电层,这种结构在蚀刻成图案以后,ITO电极线看的非常明显,影响触摸屏的外观。另一种OGS用ITO导电玻璃的结构为:Glass/BM//Nb2o5/Si02/IT0,其中BM为绝缘边框,ITO是导电层,作为触摸屏的电极及传感层,Nb2o5/Si02层为消影层,其主要功能是消除ITO蚀刻后的痕迹,有ITO和没有ITO的地方膜层反射率在0.5%以内,这样在人的视觉来看,在显示屏上不容易看见ITO线条。但是以上两种玻璃在做成触摸屏后,第一种的ITO线条能够很清晰的看到,第二种虽然ITO线条经过消影层已经淡化,但是两种产品在太阳强光下,由于整个膜层的透过率比较低,只有88%左右,如果电阻值更低的话,透过率还会更低,导致反射率高,因此在强光下很难看清楚屏幕上的图案。传统触摸屏是由两片玻璃对贴组成(一片玻璃做为触摸传感器,一片玻璃做为保护玻璃,称为G/G结构),这样增加了触摸屏的厚度和重量;
技术实现思路
本专利技术解决上述问题提供一种减轻了重量,提高了透光率,消除了 ITO导电线条底影的触摸屏及制作方法。为解决上述问题,本专利技术通过以下方案来实现:一种消影高透过率OGS用玻璃,该OGS用玻璃为单片玻璃结构,同时起到保护玻璃和触摸传感器的双重作用,其包括基板、绝缘边框、功能层、ITO导电膜,该绝缘边框、功能层、ITO导电膜都通 ...
【技术保护点】
一种消影高透过率OGS用玻璃,其特征在于:该OGS用玻璃为单片玻璃结构,同时起到保护玻璃和触摸传感器的双重作用,其包括基板(1)、绝缘边框(2)、功能层、ITO导电膜(3),该绝缘边框(2)、功能层、ITO导电膜(3)都通过镀膜技术镀在基板(1)上,功能层是由五氧化二铌膜(4)和二氧化硅膜(5)两种膜组成,功能层都是通过先镀一层五氧化二铌膜(4),后镀一层二氧化硅膜(5)。
【技术特征摘要】
1.种消影高透过率OGS用玻璃,其特征在于:该OGS用玻璃为单片玻璃结构,同时起到保护玻璃和触摸传感器的双重作用,其包括基板(I)、绝缘边框(2)、功能层、ITO导电膜(3),该绝缘边框(2)、功能层、ITO导电膜(3)都通过镀膜技术镀在基板⑴上,功能层是由五氧化二铌膜(4)和二氧化硅膜(5)两种膜组成,功能层都是通过先镀一层五氧化二铌膜(4),后镀一层二氧化娃膜(5)。2.据权利要求1所述的一种消影高透过率OGS用玻璃,其特征在于:所述基板(I)的前表面镀有绝缘边框(2),所述绝缘边框(2)上镀有五氧化二铌膜(4),五氧化二铌膜(4)镀有二氧化娃膜(5),该二氧化娃膜(5)镀有ITO导电膜(5),该基板⑴的后表面镀有五氧化二铌膜(4),五氧化二铌膜(4)镀有二氧化硅膜(5)。3.据权利要求1所述的一种消影高透过率OGS用玻璃,其特征在于:所述基板(I)的前表面镀有五氧化二银膜(4),五氧化二银膜(4)镀有二氧化娃膜(5), 二氧化娃膜(5)镀有绝缘边框(2),该绝缘边框(2)镀有ITO导电膜(3),该基板(I)的后表面镀有五氧化二铌膜(4),五氧化二铌膜(4)镀有二氧化硅膜(5)。4.据权利要求1所述的一种消影高透过率OGS用玻璃,其特征在于:所述基板(I)的前表面镀有五氧化二银膜(4),五氧化二银膜(4)镀有二氧化娃膜(5), 二氧化娃膜(5)镀有ITO导电膜(3),该ITO导电膜(3)镀有绝缘边框(2),该该基板I)的后表面镀有五氧化二铌膜(4),五氧化二铌膜(4)镀有二氧化硅膜(5)。5.据权利要求2或3或4所述的一种消影高透过率OGS用玻璃,其特征在于:所述基板(I)的前表面镀有的功能层为消影功能层,后表面镀有的功能层为增透减反功能层。6.种消影高透过率OGS用 玻璃制造方法,其特征在于:该方法工艺分为三种工艺制作流程, 第一种工艺制作流程,绝缘边框(2)镀在基板(I)前表面的前表面的功能层和ITO膜层之前,为第一道工序;则前表面的镀膜制程全部采用低温镀膜; 第二种工艺制作流程,绝缘边框(2)镀在基板(I)前表面的功能层和ITO膜(3)之间,则功能层采用高温方式或者低温方式生产均可,ITO膜层(3)需要采用低温镀膜; 第三种工艺制作流程,绝缘边框(2)镀在基板(I)前表面前表面的功能层和ITO膜层之后,则镀膜制程完全可采取高温镀膜来完成。7.据权利要求6所述的消影高透过率OGS用玻璃制造方法,其特征在于,所述第一种工艺的具体流程如下: a、玻璃基板清洗; b、制作绝缘边框(2)绝缘边框图案,绝缘边框(2)边框在基板(I)前表面; C、带有绝...
【专利技术属性】
技术研发人员:李俊华,姜翠宁,李亮亮,
申请(专利权)人:深圳市正星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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