一种显示装置及制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示装置及制备方法，用以解决现有技术中显示装置色域窄、光效低的问题。本发明专利技术实施例提供的一种显示装置，包括蓝光背光源和液晶显示面板，所述液晶显示面板包括上基板、下基板以及位于上基板和下基板之间的液晶层；所述上基板或下基板包括彩膜层，所述彩膜层包括黑矩阵图形，以及红像素图形和绿像素图形；所述红像素图形所在层或所述绿像素图形所在层与黑矩阵图形所在层之间设置有第一钝化层；所述红像素图形所在层和所述绿图形所在层之间设置有第二钝化层；所述红像素图形为蓝光激发下发射红光的量子点材料薄膜图形，绿像素图形为蓝光激发下绿光的量子点材料薄膜图形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及。
技术介绍
现有的IXD显示屏是将TFT基板与彩膜基板互相贴合，如图1所示包括背光源I’和液晶显不面板2’，其中液晶显不面板2’包括上基板21’、下基板22’和液晶材料23’，在上基板21’上包括有黑矩阵201’、黑矩阵图案包围的红像素区202’、绿像素区203’、蓝像素区204’。所使用的白色背光是用蓝色芯片激发钇铝石榴石晶体YAG荧光粉发出黄光与蓝光混合而成，发光效率低，色彩不纯，再经过彩膜层CF的R\G\B过滤后所得到的色域比较低，颜色不够鲜艳真实。因此如何提高功效是现有技术面临的一个问题。而量子点(Quantum Dot)通常是一种由I1-VI族或II1- V族元素组成的纳米颗粒，受激后可以发射荧光，发光光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制，且其荧光强度和稳定性都很好，是一种很好的光致发光材料。量子点的种类很多，代表性的有I1-VI族的CdS/CdSe/CdTe/ZnO/ZnS/ZnSe/ZnTe 等和II1- V 族 GaAs、GaP、GaAs、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs, InP, InSb、AlAs、Al本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括蓝光背光源和液晶显示面板，所述液晶显示面板包括上基板、下基板以及位于上基板和下基板之间的液晶层；所述上基板或下基板包括彩膜层，所述彩膜层包括黑矩阵图形，以及红像素图形和绿像素图形；所述红像素图形所在层或所述绿像素图形所在层与黑矩阵图形所在层之间设置有第一钝化层；所述红像素图形所在层和所述绿图形所在层之间设置有第二钝化层；其中，所述红像素图形为蓝光激发下发射红光的量子点材料薄膜图形，绿像素图形为蓝光激发下绿光的量子点材料薄膜图形。

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括蓝光背光源和液晶显示面板，所述液晶显示面板包括上基板、下基板以及位于上基板和下基板之间的液晶层； 所述上基板或下基板包括彩膜层，所述彩膜层包括黑矩阵图形，以及红像素图形和绿像素图形； 所述红像素图形所在层或所述绿像素图形所在层与黑矩阵图形所在层之间设置有第一钝化层； 所述红像素图形所在层和所述绿图形所在层之间设置有第二钝化层； 其中，所述红像素图形为蓝光激发下发射红光的量子点材料薄膜图形，绿像素图形为蓝光激发下绿光的量子点材料薄膜图形。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述上基板包括上玻璃基板和所述彩膜层，所述下基板为TFT阵列基板；其中，所述黑矩阵图形所在层位于所述红像素图形所在层和绿像素图形所在层的上方。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述上基板包括上玻璃基板，所述下基板包括TFT阵列基板和所述彩膜层；其中，所述黑矩阵图形所在层位于所述红像素图形所在层和绿像素图形所在层的下方。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述红像素图形和所述绿像素图形的上方设置有蓝光滤波层。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述蓝光背光源为LED背光源。6.根据权利要求1所述 的装置，其特征在于，还包括:上偏光片和下偏光片；其中上偏光片位于上基板背向液晶层的一侧，下偏光片位于下基板背向液晶层的一侧。7.根据权利要求1飞任一权项所述的装置，其特征在于，所述量子点材料为I1-VI族或II1- V族元素组成的纳米颗粒。8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述薄膜图形的厚度为l(T30nm。9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述量子点材料为ZnS，所述红像素图形的量子点尺寸为扩10nm，所述绿像素图形的量子点尺寸为7lnm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡佩芝，董学，陈希，杨东，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：