一种金属结构衍射光学元件及其设计方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种金属结构衍射光学元件的设计方法，该方法包括：根据入射波长λ，选择制作所述金属结构衍射光学元件的基底材料和金属材料；在所述金属材料上选择取样点，并根据入射波长确定所述取样点处要嵌入的金属方孔的边长，所述金属方孔的边长在0～λ内自由选取；根据所述取样点的位置及其所对应的金属方孔的边长，利用金属结构衍射光学元件表面任意点处的相位表达式以及所述取样点处的相位延迟、所述金属方孔的边长与所述金属方孔的深度之间的关系，计算所述金属方孔的深度。利用本发明专利技术所提供的金属结构衍射光学元件的设计方法，可以增强所述金属结构衍射光学元件的透射率，使其相对于传统衍射光学元件具有更高的衍射效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及衍射光学元件设计制造
，尤其涉及。
技术介绍
衍射光学元件是利用光的衍射现象对光波的波前进行调制，从而实现特定功能的光学元件的总称。这些衍射光学元件通常包括:各种光栅、波带片和光子筛等。它们在微电子光刻技术、波前整形、光通信、聚焦成像以及微细加工等领域获得了广泛的应用。例如，上述衍射光学元件中的波带片是具有自聚焦能力的衍射光学元件，目前的加工工艺可以使其分辨率达到十几纳米，因此，它可以应用到微电子光刻领域。但是，这些传统的衍射光学元件的衍射效率较低，大大影响了它们的使用范围。
技术实现思路
为了解决传统衍射光学元件的衍射效率较低的问题，本专利技术实施例提供了一种金属结构衍射光学元件的设计方法，利用该方法制作的金属结构衍射光学元件相对于传统衍射光学元件具有更高的衍射效率。为解决上述问题，本专利技术实施例提供了如下技术方案:—种金属结构衍射光学兀件的设计方法，该方法包括:根据入射波长λ，选择制作所述金属结构衍射光学元件的基底材料和金属材料； 在所述金属材料上选择取样点，并根据入射波长确定所述取样点处要嵌入的金属方孔的边长，所述金属方孔的边长在O λ内自由选取；根据所述取样点的位置及其所对应的金属方孔的边长，利用金属结构衍射光学元件表面任意点处的相位表达式以及所述取样点处的相位延迟、所述金属方孔的边长与所述金属方孔的深度之间的关系，计算所述金属方孔的深度。优选的，所述金属结构衍射光学兀件表面任意点(X，y)处的相位表达式为: —- —Λ-.Γ) - 2.)'} i /Γ + I '.—V -...τ , 一 / )A.5其中，f为所述金属结构衍射光学元件的焦距，m为任意整数，选取合适的m值，使所述金属结构衍射光学元件表面(X，y)处的相位φ (X,y )处于O到2 π之间。优选的，所述取样点处的相位延迟、所述金属方孔的边长与所述金属方孔的深度之间的关系为:2.Φ-, φ ^ -.'…. -- ■ λ \ 4ιΓ.5其中，λ表示入射光波长，φ表示所述取样点处的相位延迟，a表示所述金属方孔的边长，h表示所述金属方孔的深度。优选的，所述取样点间要保持一定的间距，以确保所选取样点足够多且相邻取样点所对应的金属方孔彼此不发生重叠。优选的，所述取样点在所述金属材料上的排布方式为规则排布、随机排布或非规贝_布。更优选的，所述规则排布为正方形排布，或平方点阵排布，或旋转对称排布或其他形式的规则排布。优选的，所述基底材料为红外材料或可见光材料。更优选的，所述红外材料为硅或锗。 更优选的，所述可见光材料为石英或玻璃。优选的，所述金属材料为金或银。优选的，所述金属方孔的边长为0.6 0.9倍的入射波长。优选的，所述金属结构衍射光学元件的设计方法只适用于正入射的情况。—种金属结构衍射光学兀件，该兀件包括:基底材料、位于所述基底材料上表面的金属层以及嵌入所述金属层中的金属方孔；所述金属结构衍射光学元件是上述金属结构衍射光学元件的设计方法制作的。与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点:本专利技术实施例所提供的技术方案，是通过在金属材料上嵌入不同大小的金属方孔，来制作金属结构衍射光学元件:首先，根据入射波长确定所设计的金属结构衍射光学元件的基底材料和金属材料，然后在所述金属材料上进行取点，并根据入射波长确定所取点处要嵌入的金属方孔的边长，最后结合所述取点的位置与所对应的金属方孔的边长，利用金属结构衍射光学元件表面任意点处的相位表达式以及所述取点处的相位延迟与所述金属方孔的边长和所述金属方孔的深度之间的关系，计算出所述金属方孔的深度。这样就可以通过合理的设置所述金属方孔的边长和深度，采用在所述金属材料上嵌入大小不同的亚波长金属方孔结构，来实现所述金属材料上取样点的相位延迟，从而通过对所述金属方孔阵列透射电场的相位调制，使每个金属方孔的透射电场在所述金属结构衍射光学元件的设计焦点处相干叠加，进而增强所述金属结构衍射光学元件的透射率，使得所述金属结构衍射光学元件相对于传统衍射光学元件具有更高的衍射效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例所提供的金属结构衍射光学元件上金属方孔的结构示意图；图2为本专利技术实施例所提供的所述金属方孔深度与所述取样点处相位延迟之间的关系图；图3为本专利技术实施例所提供的金属结构衍射光学元件的示意图，其中，灰色部分表示金属，为不透光区域，白色部分为金属方孔，为透光区域；图4为本专利技术实施例所提供的金属结构衍射光学元件的剖视图。具体实施例方式正如
技术介绍
部分所述，传统的衍射光学元件的衍射效率较低，大大影响了它们的使用范围。专利技术人发现，1998年，《自然》杂志上刊登了一篇关于金属薄膜上周期性孔阵列异常光学透射现象的文章，该文章的实验结果得到了远大于传统衍射理论预测的透过率，进一步的研究表明这一现象是金属薄膜上周期性孔阵列所特有的，其物理原因是入射光激发了这种结构的表面波，与孔内的波导模式相互耦合，起了增强透射的作用。有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种金属结构衍射光学元件的设计方法，该方法包括以下步骤:根据入射波长λ，选择制作所述金属结构衍射光学元件的基底材料和金属材料；在所述金属材料上选择取样点，并根据入射波长确定所述取样点要嵌入的金属方孔的边长，所述金属方孔的边长可在O λ内自由选取；根据所述取样点的位置与所对应的金属方孔的边长，利用金属结构衍射光学元件表面任意点处的相位表达式以及所述取样点处的相位延迟、所述金属方孔的边长与所述金属方孔的深度之间的关系，计算所述金属方孔的深度。本专利技术实施例所提供的技术方案，针对单个金属方孔的结构，利用所述取点处的相位延迟与所述金属方孔的边长和所述金属方孔的深度之间的关系，通过合理的设置所述金属方孔的边长和深度，实现对所述金属方孔阵列透射电场的相位调制，使每个金属方孔的透射电场在所述金属结构衍射光学元件的设计焦点处相干叠加，从而增强了所述金属结构衍射光学元件的透射率，使得所述金属结构衍射光学元件相对于传统衍射光学元件具有更高的衍射效率。以上是本申请的核心思想，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。其次，本专利技术结合示意图进行详细描述，在详述本专利技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。实施例一:在对所述金属结构衍射光学元件进行设计时，首先需要根据入射光的波长，选择制作所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属结构衍射光学元件的设计方法，其特征在于，该方法包括：根据入射波长λ，选择制作所述金属结构衍射光学元件的基底材料和金属材料；在所述金属材料上选择取样点，并根据入射波长确定所述取样点处要嵌入的金属方孔的边长，所述金属方孔的边长在0～λ内自由选取；根据所述取样点的位置及其所对应的金属方孔的边长，利用金属结构衍射光学元件表面任意点处的相位表达式以及所述取样点处的相位延迟、所述金属方孔的边长与所述金属方孔的深度之间的关系，计算所述金属方孔的深度。

【技术特征摘要】
1.一种金属结构衍射光学元件的设计方法，其特征在于，该方法包括: 根据入射波长λ，选择制作所述金属结构衍射光学元件的基底材料和金属材料； 在所述金属材料上选择取样点，并根据入射波长确定所述取样点处要嵌入的金属方孔的边长，所述金属方孔的边长在O λ内自由选取； 根据所述取样点的位置及其所对应的金属方孔的边长，利用金属结构衍射光学元件表面任意点处的相位表达式以及所述取样点处的相位延迟、所述金属方孔的边长与所述金属方孔的深度之间的关系，计算所述金属方孔的深度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属结构衍射光学元件表面任意点(X, y)处的相位表达式为:3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述取样点处的相位延迟、所述金属方孔的边长与所述金属方孔的深度之间的关系为:4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述取样点间要保持一定的间距，以确保所选取样点足够多且相邻取样点所对应的金属方孔彼此不发生重叠。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于，所述取...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢常青，辛将，朱效立，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：