【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种太阳能电池设备及其制造方法。
技术介绍
近来,随着能量消耗的增长,已经开发出将太阳能转化为电能的太阳能电池。具体地,已广泛使用基于CIGS的太阳能电池设备,所述基于CIGS的太阳能电池设备是Pn异质结设备,具有包括玻璃衬底、金属后电极层、p型基于CIGS的光吸收层、高电阻缓冲层和n型窗口层的衬底结构。另外,必须进行将太阳能电池划分为多个电池的图案化过程来制造太阳能电池设备。
技术实现思路
技术问题本专利技术提供一种能够防止短路并且提高光电转换效率的太阳能电池设备及其制造方法。技术方案根据本专利技术的太阳能电池设备包括:衬底;在所述衬底上的后电极层;在所述后电极层上的光吸收层;以及在所述光吸收层上的窗口层,其中,所述光吸收层形成有具有第一宽度的第三通孔,所述窗口层形成有具有大于所述第一宽度的第二宽度的第四通孔,并且所述第四通孔与所述第三通孔对应。根据本专利技术的太阳能电池设备包括:后电极;在所述后电极上的光吸收部;以及窗口,该窗口形成在所述光吸收部上,从而在所述窗口与所述光吸收部之间形成台阶差。根据本专利技术的太阳能电池设备的制造方法包括:在衬底上形 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.10 KR 10-2010-00891331.一种太阳能电池设备,包括: 衬底; 在所述衬底上的后电极层; 在所述后电极层上的光吸收层;以及 在所述光吸收层上的窗口层, 其中,所述光吸收层形成有具有第一宽度的第三通孔,所述窗口层形成有具有大于所述第一宽度的第二宽度的第四通孔,并且所述第四通孔与所述第三通孔对应。2.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,其中,所述第四通孔的内表面相对于所述窗口层的上表面倾斜。3.根据权利要求2所述的太阳能电池设备,其中,在所述光吸收层与所述窗口层之间形成台阶差。4.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,其中,所述第三通孔的所述第一宽度在40 μ m至100 μ m的范围内,所述第四通孔的所述第二宽度在80 μ m至120 μ m的范围内。5.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,其中,所述光吸收层中形成有与所述第三通孔相邻的第二通孔,所述后电极层中形成有与所述第二通孔相邻的第一通孔。6.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,其中,所述第四通孔与所述第三通孔重叠。7.根据权利要求1所述的太阳能电池设备,进一步包括: 在所述光吸收层与所述窗口层之间的第一缓冲层;以及 在所述第一缓冲层与所 述窗口层之间的第二缓冲层, 其中,所述第三通孔形成在所述光吸收层和所述第一缓冲层中,所述第四通孔形成在所述窗口层和所述第二缓冲层中。8.根据权利要求7所述的太阳能电池设备,其中,在所述第三通孔的内表面与所述第四通孔的内表面之间形成台阶差。9.一...
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