【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于电子设备的传感器。更具体地，本专利技术涉及一种多传感器集成电路设备。
技术介绍
传感器是接收并响应信号或刺激的设备。此处，术语“刺激”意思是需要转换为电形式的属性或数量。因此，传感器可以定义为接收信号并将其转换为可以进一步用于电子设备的电形式。传感器以如下方式区别于换能器:换能器将能量的一种形式转换为其他形式，然而传感器仅仅将接收到的信号转换为电形式。存在许多种类型的传感器。例如，存在响应于光、动作、温度、磁场、重力、湿度、振动、加速度、压强、电场、声音和周围环境的其他物理方面的传感器。传感器可以由分离部件制成，或者可以制成为集成电路设备，例如图1的集成电路设备10。集成电路设备10典型地包括包围半导体管芯14 (以虚线示出)的电绝缘封装12以及若干与半导体管芯14耦合且伸出封装12外的导电引线16。封装12可以非常小，例如2mmX 2mm,并且半导体管芯14甚至可以更小，例如100 u mX 100 u m。形成为集成电路设备的传感器可以廉价地大量生产且非常坚固。这些因素，连同它们的小尺寸，使得它们对于在诸如膝上型电脑和移动电话之类的便携...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.23 US 61/367,344;2011.07.20 US 13/187,1531.一种多传感器类型集成电路设备，包括: a.半导体管芯，包括形成在其上的第一传感器类型和第二传感器类型； b.包围所述半导体管芯的电绝缘封装；以及 c.多个与所述半导体管芯耦合且从所述封装延伸的导电引线。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一传感器类型是光学传感器且所述第二传感器类型是磁传感器。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述半导体管芯包括块，进一步地，其中所述块包括多个单元。4.根据权利要求3所述的设备，其中每个单元仅仅包括所述光学传感器或所述磁传感器。5.根据权利要求3所述的设备，其中每个单元包括多传感器类型传感器，所述多传感器类型传感器包括所述光学传感器和所述磁传感器。6.根据权利要求5所述的设备，其中每个单元进一步包括半透明盖层。7.根据权利要求6所述的设备，进一步包括与所述块耦合的控制电路，其中所述控制电路包括配置为补偿光冲击所述磁传感器的影响的处理算法。8.根据权利要求5所述的设备，其中每个单元进一步包括盖层，其中所述单元中的至少一个的所述盖层是不透明的，而剩余单元的所述盖层是半透明的。9.根据权利要求 8所述的设备，其中处理来自具有所述不透明盖层的所述至少一个单兀的磁传感器信号，以确定磁场的存在。10.根据权利要求8所述的设备，其中具有不透明盖层的所述至少一个单元中的所述光学传感器用来测量所述光学传感器的暗电流。11.根据权利要求5所述的设备，其中每个单元包括盖层，其中所述盖层包括设置在所述磁传感器上面的不透明部分以及设置在所述光学传感器上面的半透明部分。12.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一传感器类型和所述第二传感器类型形成在单元中。13.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一传感器类型和所述第二传感器类型形成在包括多个单元的块中。14.根据权利要求13所述的设备，其中所述块是第一块，并且进一步包括所述第一传感器类型的第二块。15.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一传感器类型形成在第一块和第二块中，并且其中所述第二传感器类型形成在第三块中。16.根据权利要求1所述的设备，进一步包括形成在所述半导体管芯上的调节块。17.根据权利要求16所述的设备，其中所述第一传感器类型和所述第二传感器类型都与所述调节块耦合。18.根据权利要求17所述的设备，其中所述第一传感器类型和所述第二传感器类型通过多路复用器而与所述调节块耦合。19.根据权利要求16所述的设备，其中所述调节块是与所述第一传感器相关联的第一调节块，并且进一步包括与所述第二传感器相关联的第二调节块。20.根据权利要求16所述的设备，其中所述调节块包括放大器电路，该放大器电路具有与所述第一传感器类型和所述第二传感器类型中的至少一个耦合的输入端。21.根据权利要求20所述的设备，其中所述调节块进一步包括模数转换器(ADC)，该模数转换器(ADC)具有与所述放大器电路的输出端稱合的输入端。22.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：N·A·凯斯特利，D·斯库尔尼克，
申请(专利权)人：马克西姆综合产品公司，
类型：
国别省市：
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