冲洗剂及用于生产硬盘基材的方法技术

提供了用于生产其中不残留磨料粒并且在其表面上不形成凹坑缺陷的硬盘基材的冲洗剂；以及利用该冲洗剂生产硬盘基材的方法。该冲洗剂是含有胶态二氧化硅作为磨料粒的冲洗溶液，其中胶态二氧化硅磨料粒的浓度(C)和胶态二氧化硅磨料粒的平均粒径(R)(C和R分别由wt％和nm表示)具有满足以下式(1)的关系：R≥2.2C+18.2。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于硬盘基材的冲洗剂及利用这样的冲洗剂来生产硬盘基材的方法。
技术介绍
结合到磁盘存储设备诸如计算机中的硬盘已被稳定地制成更加紧凑的并且容量增加，因此需要硬盘基材具有极高的精度质量。为此目的，硬盘基材的表面通常被抛光以便平滑，且因此过程包括利用氧化铝磨料粒进行粗抛光以及利用胶态二氧化硅磨料粒进行终抛光。当在粗抛光过程中使用的这样的氧化铝磨料粒不幸地被留在基材表面上并且即使在终抛光后也未被除去时，硬盘基材作为介质的性质可能被削弱。为了处理这个问题，在已知的方法中，在粗抛光和终抛光之间提供冲洗以利用含有胶态二氧化硅磨料粒的冲洗溶液冲洗硬盘基材，从而减少基材表面上残留的氧化铝(专利文件I)。专利文件1:日本专利公开(Kokai)第62-208869A号(1987)专利技术公开内容本专利技术解决的问题然而，本专利技术人发现，在冲洗过程中用常规的冲洗剂冲洗可能会在基材表面上产生大约几十纳米深的凹坑缺陷。因此，需要能够充分地除去基材表面上的氧化铝磨料粒而不会在其上产生凹坑缺陷的优良的冲洗剂。鉴于以上情况，本专利技术的目的是提供冲洗剂以生产在其表面上没有残留的磨料粒以及凹坑缺陷的硬盘基材并且提供利用这样的冲洗剂生产硬盘基材的方法。解决该问题的方法为了应对前述问题，本专利技术的冲洗剂含有胶态二氧化硅磨料粒。假设胶态二氧化硅磨料粒具有浓度C和平均粒径R (C和R分别以重量％和nm表示)，该胶态二氧化硅磨料粒的浓度C和平均粒径R具有匹配以下表达式(I)的关系:R 彡 2.2C+18.2.....(I)。在本专利技术的冲洗剂中，优选地，胶态二氧化硅磨料粒的浓度C是从0.8至8.0重量％，并且胶态二氧化硅磨料粒的平均粒径R是从20至80nm。本专利技术的用于生产硬盘基材的方法包括利用冲洗剂冲洗硬盘基材的冲洗步骤，在所述冲洗剂中，胶态二氧化硅磨料粒的浓度C和平均粒径R之间的关系匹配以上表达式(I)。冲洗步骤优选地在粗抛光步骤之后且在终抛光步骤之前进行，在粗抛光步骤中，利用含有氧化铝磨料粒的抛光浆料对硬盘基材进行粗抛光，并且在终抛光步骤中，利用含有胶态二氧化硅磨料粒的抛光浆料对硬盘基材进行终抛光。专利技术效果 根据本专利技术的用于硬盘基材的冲洗剂以及利用这样的冲洗剂生产硬盘基材的方法，利用该冲洗剂冲洗硬盘基材的表面可减少在硬盘基材的表面上残留的氧化铝磨料粒的量，因此可阻止发生在冲洗过程中在基材表面上产生大约几十纳米深的凹坑缺陷。附图简述附图说明图1是显示表I的结果的图。实施本专利技术的最佳方式[用于生产硬盘基材的方法]本专利技术的利用冲洗剂来生产硬盘基材的方法包括以下步骤:研磨铝合金坯料以形成基材；将N1-P镀层施加到基材以在基材的表面上形成N1-P层；利用含有氧化铝磨料粒的抛光浆料对基材的表面进行粗抛光；冲洗粗抛光过的基材；并且利用含有胶态二氧化硅磨料粒的抛光浆料对基材进行终抛光。[研磨铝合金坯料]通过车床对由铝合金制成的坯料的其内半径端面和外半径端面进行机械加工，并且通过研磨机处理来研磨其表面。[N1-P 镀层]对基材顺序地进行一系列处理，包括蚀刻、锌酸盐处理、镀N1-P、纯水洗涤、干燥和烘焙。[粗抛光]加热基材之后，将基材的镀N1-P的表面粗抛光。在供给含有氧化铝磨料粒的抛光浆料的同时，利用精 研板进行粗抛光，在该精研板上附着了有机聚合物抛光垫。该过程中使用的抛光浆料优选地含有但不限于:作为通常的蚀刻剂组分的过氧化氢水、有机酸、无机酸以及表面活性剂。从减少残留的氧化铝和波度的角度来看，氧化铝磨料粒优选地具有I Pm或更小的平均粒径，且更优选地0.7 y m或更小的平均粒径。从改善抛光率和节约的角度来看，氧化铝磨料粒优选地具有10重量％或更低的浓度，且更优选地7重量％或更低的浓度。[冲洗]在供给冲洗溶液以减少硬盘基材的表面上的氧化铝磨料粒的同时，利用精研板进行冲洗，在该精研板上附着了有机聚合物抛光垫。本专利技术的用于冲洗的冲洗剂是含有胶态二氧化硅作为磨料粒的冲洗溶液。假设C表示胶态二氧化硅磨料粒的浓度，且R表示胶态二氧化硅磨料粒的平均粒径(C和R分别以重量％和nm表示)，冲洗剂具有如下结构，其中胶态二氧化硅磨料粒的浓度C和平均粒径R匹配以下表达式⑴:R 彡 2.2C+18.2....(I)。在该表达式(I)中，胶态二氧化硅磨料粒的浓度C优选地在0.8至8.0重量％的范围内，且胶态二氧化硅磨料粒的平均粒径R优选地在20至80nm的范围内。冲洗后，可将基材利用离子交换水或超纯水通过一般的擦洗进行洗涤。从减少残留的氧化铝的角度来看，可以另外使用去垢剂，或者可以另外使用超声DiP。平均粒径可通过利用用于图像分析的扫描电子显微镜或透射电子显微镜观察以测量颗粒大小来发现。[终抛光]在供给含有胶态二氧化硅磨料粒的抛光浆料的同时，利用精研板进行终抛光，在该精研板上附着了有机聚合物抛光垫。该过程中使用的抛光浆料优选地含有但不限于:作为通常的蚀刻剂组分的过氧化氢水、有机酸、无机酸以及表面活性剂。胶态二氧化硅磨料粒优选地具有从5至IOOnm的平均粒径，并且从减少粗糙度和波度以及节约的角度来看，更优选地是30nm或更小且仍然更优选地是20nm或更小。从改善抛光率及减少划痕和波度以及节约的角度来看，胶态二氧化硅磨料粒优选地具有20重量％或更低的浓度，且更优选地从2至10重量％或更低的浓度。抛光结束后，可将基材利用离子交换水或超纯水通过一般的擦洗进行洗涤。从减少残留的氧化铝和残留的胶态二氧化硅的角度来看，可以另外使用去垢剂，或者可以另外使用超声DiP。冲洗和终抛光的相同之处在于硬盘基材的表面上的氧化铝磨料粒通过供给含有胶态二氧化硅磨料粒的抛光浆料而得以减少。然而，因为在终抛光之前在冲洗时减少了硬盘基材的表面上的氧化铝磨料粒的量，所以在基材表面上几乎不会出现大约几十纳米深的凹坑缺陷。[本方法产生的效果]利用本专利技术的冲洗剂来冲洗硬盘基材导致残留在硬盘基材的表面上的氧化铝磨料粒的量减少的效果，因此防止在冲洗过程中出现大约几十纳米深的凹坑缺陷。这是因为，在利用超出以上关于胶态二氧化硅磨料粒的浓度C和平均粒径R之间的关系的表达式(I)的范围的冲洗剂的情况下，胶态二氧化硅磨料粒可能聚集，并且这种聚集颗粒在基材的表面上产生大约几十纳米深的凹坑缺陷。[其它]本专利技术的冲洗剂适合于冲洗在其上具有N1-P层的硬盘基材。在其上具有N1-P层的硬盘基材不被特别地限制并且可以是任何熟知的一个。N1-P层的基材可由铝合金、玻璃或碳制成，其中由铝合金制成的基材通常是优选的。实施例制备具有表I中的胶态二氧化硅磨料粒的平均粒径R和浓度C之间的关系的冲洗剂(实施例1至7和对比实施例1至6)。在此，关于平均粒径R，在放大十万倍的视野中利用透射电子显微镜(由JEOLLtd.生产，透射电子显微镜，JEM2000FX(200kV))拍摄磨料粒，并且利用分析软件(由Mountech C0., Ltd.生产，Mac-View Ver.4.0)分析照片以进行测量。然后，对由直径95mm、内径25mm且厚度1.27mm的铝合金制成的镀N1-P的基材的表面以粗抛光、利用表I中显示的冲洗剂冲洗、终抛光和洗涤这一顺序进行这些操作，由此获得用于硬盘基材的镀N1-P的铝合金基材。用于抛光的条件如下。〈粗抛光的设置〉抛光试验机:由Sy本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.26 JP 2010-1668401.一种含胶态二氧化硅磨料粒的冲洗剂，其中 假设所述胶态二氧化硅磨料粒具有浓度C和平均粒径R(C和R分别以重量％和nm表示)，所述胶态二氧化硅磨料粒的浓度C和平均粒径R具有匹配以下表达式(I)的关系: R 彡 2.2C+18.2....(I)。2.根据权利要求1所述的冲洗剂，其中所述胶态二氧化硅磨料粒的浓度C是从0.8至8.0重量％。3.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩元畅宏，迎展彰，新井一隆，小谷竜二，
申请(专利权)人：东洋钢钣株式会社，钢钣工业株式会社，
类型：
国别省市：