【技术实现步骤摘要】
一种激光割圓设备及其方法
本专利技术涉及一种激光微加工设备，特别涉及。
技术介绍
近年来，随着涉及单晶硅、GaAs等半导体材料的半导体行业的快速发展， 出现了一些新的制造和加工工艺。例如，在将单晶硅从720jim减薄到200jim或 者150pm后，需要将晶圆边缘约3-5mm的材料去除掉。此外，还需要在晶圆正 面粘贴蓝膜，便于保护晶圓表面电路。蓝膜属于一种高分子聚合物材料，它对 紫外波段的光吸收性能很好，厚度在150iam左右。因此，需要去除材料的厚度 一般在300nm-350pm左右。传统去除方法是采用刀片切割，具体来说，在工作 台沿着中心轴旋转的同时，刀片也高速旋转。但是由于这种刀片需要特殊制造， 切割后的晶圆表面崩边现象严重，切割过程需要水冷却以及经常更换刀片，导 致刀片切割技术不利于提高晶圆的质量。目前，随着激光微加工技术的迅速发展，使得激光在半导体的许多制造工 艺中可以替代传统的工艺，其中最引人注目的是波长为1064nm、 532nm、 355nni 和266nm的二极管泵浦固体激光器。目前，激光切割硅晶圓通常是将硅晶圓切 割成单个细小的芯片，并且通常采...
【技术保护点】
一种激光割圆设备，所述激光割圆设备包括： 用于支撑并旋转待切割材料的工作台； 用于产生激光束的激光器； 用于引导所述激光束的引导机构；以及 用于将所述激光束聚焦到所述待切割材料表面以形成聚焦光斑的聚焦机构； 其特征在于：所述引导机构包括反射镜以及用于偏转所述反射镜以便扩大所述聚焦光斑形成的切口宽度的驱动机构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高云峰，卢建刚，杨欣荣，
申请(专利权)人：深圳市大族激光科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。