用于单相电能表的数据存储电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种用于单相电能表的数据存储电路，它包括数据存储芯片（1），所述的数据存储芯片（1）上设有多个用于与单相电能表进行数据交换的I/O接口，其特征在于：它还包括用于防止单相电能表受静电损伤的静电防护模块（2），所述的静电防护模块（2）上设有与数据存储芯片（1）上的I/O接口一一对应的接线端子，所述的数据存储芯片（1）通过静电防护模块（2）与单相电能表的主芯片电连接。本实用新型专利技术提供了一种能很好的防止静电损伤的用于单相电能表的数据存储电路。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电能表静电防护
，具体是指一种用于单相电能表的数据存储电路。
技术介绍
单相电能表的绝大多数电量信息、事件记录等相关数据均存储在单相电能表内专门的数据存储芯片中，其中电量信息可通过机械计度器、数码管或液晶显示屏直观的显示出来，是用户用电信息最集中的体现。数据存储芯片与单相电能表的CPU相连，两者需要进行数据交换，现有技术中的数据存储芯片上的数据交换接口是直接与单相电能表的CPU上的对应引脚相连的，这种结构在实际使用过程中当外界环境对电能表施加有静电场时，静电会干扰到数据存储芯片与CPU之间的数据交换，引起单相电能表计量不准确，甚至会造成数据存储芯片的损坏，导致重要的数据信息丢失。综上所述，现有技术中的单相电能表数据存储电路不能很好的防止静电损伤。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是，提供一种能很好的防止静电损伤的用于单相电能表的数据存储电路。为解决上述技术问题，本技术提供的技术方案为一种用于单相电能表的数据存储电路，它包括数据存储芯片，所述的数据存储芯片上设有多个用于与单相电能表进行数据交换的I/o接口，它还包括用于防止单相电能表受静电损伤的静电防护模块，所述的静电防护本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于单相电能表的数据存储电路，它包括数据存储芯片（1），所述的数据存储芯片（1）上设有多个用于与单相电能表进行数据交换的I/O接口，其特征在于：它还包括用于防止单相电能表受静电损伤的静电防护模块（2），所述的静电防护模块（2）上设有与数据存储芯片（1）上的I/O接口一一对应的接线端子，所述的数据存储芯片（1）通过静电防护模块（2）与单相电能表的主芯片电连接。

【技术特征摘要】
1.一种用于单相电能表的数据存储电路，它包括数据存储芯片(1)，所述的数据存储芯片(I)上设有多个用于与单相电能表进行数据交换的I/O接口，其特征在于它还包括用于防止单相电能表受静电损伤的静电防护模块(2)，所述的静电防护模块(2)上设有与数据存储芯片(I)上的I/O接口一一对应的接线端子，所述的数据存储芯片(I)通过静电防护模块(2)与单相电能表的主芯片电连接。2.根据权利要求1所述的用于单相电能表的数据存储电路，其特征在于所述的数据存储芯片(I)上设有三个用于与单相电能表进行数据交换的I/O接口，分别是第一 I/O接口、第二 I/...

【专利技术属性】
技术研发人员：余转丽，杨建明，黄苏云，李莉，周伟光，
申请(专利权)人：宁波三星电气股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：