一种IGBT短路保护软关断电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种IGBT短路保护软关断电路，包括：三极管Q1、三极管Q3、三极管Q4；二极管D2、PNP三极管Q2；驱动电阻R4、驱动电阻R6、驱动电阻R7、电阻R2、限流电阻R3、限流电阻R5。本实用新型专利技术可以方便调整IGBT关断的驱动电阻，配合IGBT的集电极、发射极之间电压的测量，实现理想的IGBT短路保护软关断的效果。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电路保护领域，特别是涉及一种变频器短路保护电路。
技术介绍
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT (双极型三极管)和MOS (绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。在变频器中，IGBT是非常关键的器件，必须对其做全方位的保护。而IGBT的短路保护更是重中之重。变频器短路发生时，通常都伴随着严重设备故障、误操作，极可能造成设备损坏或者人身伤亡事故。而IGBT的短路保护正是避免这种后果的最好方法之一。在变频器中，IGBT发生短路时会伴随着极大的电流，最大可达到IGBT额定电流的几倍。IGBT短路检测电路由另外电路实现，在本申请人此前的专利申请中公开，专利申请号为201220444103. 3。如果IGBT的短路检测电路检测到IGBT短路，需要比控制器发出IGBT-Driver关断IGBT命令更早的关断IGBT命令，防止IGBT过热损坏。此时IGBT短路检测电路产生IGBT-Fault信号，使此信号由低电平变为高电平。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT短路保护软关断电路，包括：三极管Q1、三极管Q3、三极管Q4；二极管D2、PNP三极管Q2；驱动电阻R4、驱动电阻R6、驱动电阻R7、电阻R2、限流电阻R3、限流电阻R5，其特征在于，限流电阻R3、限流电阻R5分别是三极管Q3、三极管Q4的基极限流电阻，限流电阻R3、限流电阻R5的一端并联于IGBT驱动信号IGBT?Driver的一端，限流电阻R5另一端与三极管Q3、驱动电阻R7串联后接地；限流电阻R3的另一端与三极管Q4、驱动电阻R6串联后接地；限流电阻R5另一端与二极管D2、三极管Q1串联后与IGBT饱和压降检测信号IGBT?Fault相连接；三极管Q1、电阻R2、PNP三极管...

【技术特征摘要】
1.一种IGBT短路保护软关断电路，包括三极管Q1、三极管Q3、三极管Q4 ;二极管D2、 PNP三极管Q2 ;驱动电阻R4、驱动电阻R6、驱动电阻R7、电阻R2、限流电阻R3、限流电阻R5， 其特征在于，限流电阻R3、限流电阻R5分别是三极管Q3、三极管Q4的基极限流电阻，限流电阻R3、限流电阻R5的一端并联于IGBT驱动信号IGBT-Driver的一端，限流电阻R5另一端与三极管Q3、驱动电阻R7串联后接地；限流电阻R3的另一端与三极管Q4、驱动电阻R6 串联后接地；限流电阻R5另一端与二极管D2、三极管Ql串联后与IGBT饱和压降检测信号 IGBT-Fault相连接；三极管Ql、电阻R2、PNP三极管Q2、驱动电阻R4串联后接地。2.如权利要求1所述的IGBT短路保护软关断电路，其特征在于，当IGBT短路时，短路检测电路产生IGBT饱和压降检测信号IGBT-Faul...

【专利技术属性】
技术研发人员：王少伯，李瑞英，
申请(专利权)人：北京合康亿盛变频科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：