一种电容式内嵌触摸屏及显示装置制造方法及图纸

技术编号:8608184 阅读:128 留言:0更新日期:2013-04-19 08:46
本实用新型专利技术公开了一种电容式内嵌触摸屏及显示装置,在彩膜基板上设置触控感应电极,将TFT阵列基板中整面连接的公共电极层分割成条状作为触控驱动电极,并设置与对应的各触控驱动电极直接电性相连的金属驱动电极,以降低触控驱动电极的阻值。由于本实用新型专利技术实施例提供的触摸屏是将TFT阵列基板的公共电极层结构进行变更形成触控驱动电极,因此,在现有的TFT阵列基板制备工艺的基础上,不需要增加额外的工艺,节省了生产成本,提高了生产效率。并且,由于采用分时驱动触控和显示功能,一方面可以将显示驱动和触控驱动的芯片整合为一体,进一步降低生产成本;另一方面分时驱动也能够降低显示和触控的相互干扰,提高画面品质和触控准确性。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
,尤其涉及一种电容式内嵌触摸屏及显示装置
技术介绍
随着显示技术的飞速发展,触摸屏(Touch Screen Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前,触摸屏按照组成结构可以分为外挂式触摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆盖表面式触摸屏(On Cell Touch Panel)、以及内嵌式触摸屏(In Cell Touch Panel)。其中,外挂式触摸屏是将触摸屏与液晶显示屏(Liquid Crystal Display, LCD)分开生产,然后贴合到一起成为具有触摸功能的液晶显示屏,外挂式触摸屏存在制作成本较高、光透过率较低、模组较厚等缺点。而内嵌式触摸屏将触摸屏的触控电极内嵌在液晶显示屏内部,可以减薄模组整体的厚度,又可以大大降低触摸屏的制作成本,受到各大面板厂家青睐。目前,现有的电容式内嵌(in cell)触摸屏是在现有的TFT (Thin FilmTransistor,薄膜场效应晶体管)阵列基板上直接另外增加触控扫描线和触控感应线实现的,即在TFT阵列基板的表面制作两层相互异面相交的条状ITO电极,这两层ITO (Indium本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容式内嵌触摸屏,包括:彩膜基板,具有公共电极层的薄膜晶体管TFT阵列基板,以及位于所述彩膜基板和所述TFT阵列基板之间的液晶层,在所述TFT阵列基板上设有呈矩阵排列的多个像素单元;其特征在于,所述彩膜基板具有沿像素单元的列方向延伸的多条触控感应电极;所述TFT阵列基板的公共电极层中具有多条沿像素单元的行方向延伸的触控驱动电极;在一帧画面的显示时间内,所述触控驱动电极用于分时地传递公共电极信号和触控扫描信号;所述TFT阵列基板具有沿像素单元的行方向延伸的多条金属驱动电极;所述金属驱动电极位于相邻像素单元之间的间隙处,且与对应的所述触控驱动电极直接电性相连。

【技术特征摘要】
1.一种电容式内嵌触摸屏,包括彩膜基板,具有公共电极层的薄膜晶体管TFT阵列基板,以及位于所述彩膜基板和所述TFT阵列基板之间的液晶层,在所述TFT阵列基板上设有呈矩阵排列的多个像素单元;其特征在于,所述彩膜基板具有沿像素单元的列方向延伸的多条触控感应电极;所述TFT阵列基板的公共电极层中具有多条沿像素单元的行方向延伸的触控驱动电极;在一帧画面的显示时间内,所述触控驱动电极用于分时地传递公共电极信号和触控扫描信号;所述TFT阵列基板具有沿像素单元的行方向延伸的多条金属驱动电极;所述金属驱动电极位于相邻像素单元之间的间隙处,且与对应的所述触控驱动电极直接电性相连。2.如权利要求1所述的触摸屏,其特征在于,每条所述触控驱动电极覆盖多行像素单元3.如权利要求2所述的触摸屏,其特征在于,所述金属驱动电极位于所述触控驱动电极的上层和/或下层。4.如权利要求3所述的触摸屏,其特征在于,各所述金属驱动电极包含至少一条横向金属子电极和/或至少一条纵向金属子电极;在与所述金属驱动电极对应的触控驱动电极所覆盖区域内,所述横向金属子电极位于相邻行像素单元之间的间隙处,所述纵向金属子电极位于相邻列像素单元之间的间隙处。5.如权利要求4所述的触摸屏,其特征在于,还包括与所述金属驱动电极同层设置的金属浮空电极,所述金属浮空电极位于相邻的触控驱动电极之间的间隙处,用于传递公共电极信号。6.如权利要求1-5任一项所述的触摸屏,其特征在于,在所述TFT阵列基板相邻行的像素单元之间具有两条栅极信号线,且每相邻的两列像素单元为一个像素单元组,共用一条位于该两列像素单元之间的数据信号线。7.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员:王海生董学丁小梁刘红娟杨盛际赵卫杰刘英明任涛
申请(专利权)人:北京京东方光电科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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