一种触摸传感器、触摸屏及触摸显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种触摸传感器，所述触摸传感器包括透明导电薄膜电极图形(ITO?Pattern)和透明导电薄膜电极图形间的沟道，在所述沟道填充与透明导电薄膜电极图形折射率相同的绝缘材料；本实用新型专利技术同时还公开了一种触摸屏(TP)及触摸显示装置，本实用新型专利技术的方案，能够消除因沟道区与透明导电薄膜电极图形区的透过率不同引起的透明导电薄膜电极图形外观明显的现象，提高触摸传感器的透过率，并提升TP产品的竞争力。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及触控技术,尤其涉及ー种触摸传感器(Touch Sensor)、触摸屏(TP, Touch Panel)及触摸显示装置。
技术介绍
透明导电薄膜电极图形(IT0 Pattern)的外观效果一直是TP厂家十分关注的问题，如何改善透明导电薄膜电极图形的外观效果成为各厂家关注的焦点。现有的TP制作流程中，如图1所示，在触摸传感器的玻璃基板I上通过曝光、显影、刻蚀形成透明导电薄膜电极图形2，所述透明导电薄膜电极图形2的X方向电极图形和Y方向电极图形相互交叉；为了使X方向电极图形不与Y方向电极图形短路，X方向电极图形和Y方向电极图形之间以沟道3相隔,在交叉处X方向电极图形通过金属桥(MetalBridge) 4跨过Y方向电极图形。在形成透明导电薄膜电极图形2后，如图2所示，在透明导电薄膜电极图形2上涂覆高分子聚合有机物(OC)材料的绝缘层5找平传感器(Sensor)面，但由于一般的OC材料为高透过率OC材料，与透明导电薄膜电极图形2的折射率相差较大，所以使得沟道3区和透明导电薄膜电极图形2区的光线透过率不同(折射率差异越大，透过率越低)。如图3所示，沟道3区的透过率(Tl)和透明导电薄膜电极图形2区的透过率(T2)的差值|T2-T1=AT>>0, AT的数值大小直接决定透明导电薄膜电极图形的外观效果，AT的数值越大，透明导电薄膜电极图形2的外观就越明显，影响TP的外观效果。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的主要目的在于提供ー种触摸传感器、触摸屏及触摸显示装置，消除透明导电薄膜电极图形外观明显的现象，提高透过率。为达到上述目的，本技术的技术方案是这样实现的本是技术提供的ー种触摸传感器，该触摸传感器包括透明导电薄膜电极图形和所述透明导电薄膜电极图形间的沟道，其特征在于，所述沟道填充有与所述透明导电薄膜电极图形的折射率相同的绝缘材料。上述方案中，所述绝缘材料为OC材料。上述方案中，所述OC材料为负性光刻胶。上述方案中，所述绝缘材料的厚度与透明导电薄膜电极图形的厚度一致。上述方案中，所述绝缘材料的折射率为1. 8或1. 9。上述方案中，所述触摸传感器的透明导电薄膜电极图形和填充有所述绝缘材料的沟道上涂覆有OC材料的绝缘层，所述绝缘层的折射率与透明导电薄膜电极图形的折射率相同。上述方案中，所述触摸传感器的透明导电薄膜电极图形和填充有所述绝缘材料的沟道上涂覆有OC材料的绝缘层，所述绝缘层的折射率与透明导电薄膜电极图形的折射率不同。本技术提供的一种TP，包括上述的触摸传感器。本技术提供的一种触摸显示装置，包括上述的TP。本技术提供了一种触摸传感器、TP及触摸显示装置，所述触摸传感器包括透明导电薄膜电极图形和透明导电薄膜电极图形间的沟道，在所述沟道填充与透明导电薄膜电极图形折射率相同的绝缘材料；如此，能够消除因沟道区与透明导电薄膜电极图形区的透过率不同引起的透明导电薄膜电极图形外观明显的现象，提高触摸传感器的透过率，并提升TP产品的竞争力。附图说明图1为现有技术中触摸传感器的透明导电薄膜电极图形的形成示意图；图2为现有技术中触摸传感器的截面示意图；图3为现有技术中触摸传感器的沟道区与透明导电薄膜电极图形区的透过率示意图；图4为本技术实现的触摸传感器的透明导电薄膜电极图形的形成示意图；图5为本技术实现的触摸传感器的截面示意图；图6为本技术实现的触摸传感器的沟道区与透明导电薄膜电极图形区的透过率示意图。附图标记说明1，玻璃基板；2，透明导电薄膜电极图形；3，沟道；4，金属桥；5，绝缘层。具体实施方式本技术的基本思想是在透明导电薄膜电极图形间的沟道填充与透明导电薄膜电极图形折射率相同的绝缘材料。下面通过附图及具体实施例对本技术做进一步的详细说明。本技术实现一种触摸传感器，如图4和5所示，该触摸传感器包括透明导电薄膜电极图形2和透明导电薄膜电极图形2间的沟道3，所述沟道3和透明导电薄膜电极图形2形成在玻璃基板I上，所述沟道3填充有与透明导电薄膜电极图形2的折射率相同的绝缘材料；所述绝缘材料可以是OC材料，如负性光刻胶等；所述绝缘材料的厚度与透明导电薄膜电极图形2的厚度一致；所述绝缘材料的折射率一般为1. 8或1. 9。进一步的，在透明导电薄膜电极图形2和填充有所述绝缘材料的沟道3上涂覆有OC材料的绝缘层5，所述绝缘层5的折射率可以与透明导电薄膜电极图形2的折射率相同，也可以与透明导电薄膜电极图形2的折射率不同。上述的触摸传感器，如图6所示，由于沟道3的折射率与透明导电薄膜电极图形2相同，则沟道区的透过率(Tl)和透明导电薄膜电极图形区的透过率(T2)的差值|T2-T1=AT = O,消除了透明导电薄膜电极图形2外观明显的现象。基于上述触摸传感器，本技术还提供一种TP，该TP包括上述触摸传感器，即所述触摸传感器包括透明导电薄膜电极图形和透明导电薄膜电极图形间的沟道，所述沟道和透明导电薄膜电极图形形成在玻璃基板上，所述沟道填充有与透明导电薄膜电极图形的折射率相同的绝缘材料；所述绝缘材料可以是OC材料，如负性光刻胶等；所述绝缘材料的厚度与透明导电薄膜电极图形的厚度一致；所述绝缘材料的折射率一般为1. 8或1. 9。进ー步的，在透明导电薄膜电极图形和填充有所述绝缘材料的沟道上涂覆有OC材料的绝缘层，所述绝缘层的折射率可以与透明导电薄膜电极图形的折射率相同，也可以与透明导电薄膜电极图形的折射率不同。本技术还提供一种触摸显示装置，该装置包括上述的TP。本技术所述的触摸传感器，通过在透明导电薄膜电极图形间的沟道填充与透明导电薄膜电极图形的折射率相同的绝缘材料，使沟道区的透过率和透明导电薄膜电极图形区的透过率一致，消除了透明导电薄膜电极图形外观明显的现象。以上所述，仅为本技术的较佳实施例而已，并非用于限定本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触摸传感器，该触摸传感器包括透明导电薄膜电极图形ITO?Pattern和所述透明导电薄膜电极图形间的沟道，其特征在于，所述沟道填充有与所述透明导电薄膜电极图形的折射率相同的绝缘材料。

【技术特征摘要】
1.一种触摸传感器，该触摸传感器包括透明导电薄膜电极图形ITO Pattern和所述透明导电薄膜电极图形间的沟道，其特征在于，所述沟道填充有与所述透明导电薄膜电极图形的折射率相同的绝缘材料。2.根据权利要求1所述的触摸传感器，其特征在于，所述绝缘材料为高分子聚合有机物OC材料。3.根据权利要求2所述的触摸传感器，其特征在于，所述OC材料为负性光刻胶。4.根据权利要求1所述的触摸传感器，其特征在于，所述绝缘材料的厚度与透明导电薄膜电极图形的厚度一致。5.根据权利要求1所述的触摸传感器，其特征在于，所述绝缘材料的折射率为1.8或1.9。...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨盛际，王海生，刘英明，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：