交流1100kV高强度空心瓷绝缘子及其制备方法技术

本发明专利技术属于瓷绝缘子技术领域，具体涉及一种交流1100kV高强度空心瓷绝缘子及其制备方法。该空心瓷绝缘子为5节空心瓷元件结构，每个瓷元件均由瓷件和上、下法兰通过高强水泥胶合剂胶装而成，各瓷元件之间通过高强度螺栓紧固连接；空心瓷元件中间设置空心通道，各个空心瓷元件具有相同的同心度。本发明专利技术高强度空心瓷绝缘子产品设计结构好，工艺性能独特，耐受防污能力优异，生产制作周期短，产品性能好，外形美观，绝缘子总高度为9000~11000mm，内孔直径为280～400mm，抗弯破坏力矩达200～600kN·m且内水压破坏应力不小于4.25MPa，其制备方法简单易行，易于实现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于瓷绝缘子制备
，具体涉及一种交流IlOOkV高强度空心瓷绝缘子及其制备方法。
技术介绍
我国特高压输电工程日趋庞大，其设备的安全可靠性是十分重要的。在特高压输电系统中，绝缘子的使用量非常大，其具体使用在很大程度上决定了输电系统的绝缘水平和安全可靠性。所以有必要大力研究绝缘子的材料结构、电气性能、机械性能、长期运行的可靠性，以及提高各种绝缘子生产厂家的生产制作能力。随着特高压所用部件国产化进程的推进，交流IlOOkV空心瓷绝缘子也需要进行大量的技术研究，以满足特高压输电工程的迅速发展。现在，国内低电压等级的空心瓷绝缘子大多采用湿法成型工艺，但由于采用该工艺成型的绝缘子存在产品抗弯强度低和产品变形量大的缺点，再加之国内未见采用等静压干法成型制造的交流IlOOkV高强度的空心瓷绝缘子，因此弯曲破坏力矩达到200 600kN · m的交流IlOOkV空心瓷绝缘子的结构及制备技术是本领域科技人员攻关的课题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种适用于交流IlOOkV特高压输电工程的高强度空心瓷绝缘子及其制备方法，该绝缘子保持了瓷绝缘子的强度高、绝缘性能好、不易老化的特点，其总高度为9000 11000mm，抗弯破坏力矩达200 600kN · m,内水压破坏应力不小于 4.25MPa。本专利技术所述的交流IlOOkV高强度空心瓷绝缘子，为5节空心瓷元件结构，每个瓷元件均由瓷件和上、下法兰通过高强度水泥胶合剂胶装而成，各瓷元件之间通过高强度螺栓紧固连接；空心瓷元件中间设置内孔作为空心通道，各个空心瓷元件具有相同的同心度。所述的瓷元件中单个瓷件不同伞裙的外径按照一定的规律相互间隔排列，均采用一大伞一小伞、伞下无棱的耐污型光伞结构。所述的大伞伸出值为70 85mm ;小伞伸出值为55 70mm ;其伞间距为70 90mmo所述的空心瓷绝缘子的总长度为9000 11000mm，内孔直径为280 400mm。所述的瓷元件采用高强度瓷、等静压干法成型、数控修坯、胶装、烧成制作而成。其中数控修坯、胶装、烧成按照现有技术中进行即可。烧成温度1200-1300度。各个瓷元件的长度可以为等长或者长度不等，根据实际情况生产即可。高强度瓷配料百分组成如下煅烧铝矾土 47 55%、长石9 13%、伊利石粘土 5 12%、合成莫来石10 15%和紫木节粘土 15 20%。等静压干法成型采用两步法第一步是先第一次加料、再抽真空后，初次预加压至12 18MPa，加压所用时间(从加压开始至停止加压)共计8 10分钟，进行粉料预收缩；第二步是先卸压后进行第二次加料，再抽真空后，第二次加压至90 115MPa，加压所用时间(从加压开始至停止加压)共计30 35分钟。两次抽真空的真空度均为- O. 094 - O. 098MPa。采用上述等静压方法比传统等静压成型的坯件，收缩减小约10%，体密增加约8%，坯件在后续的烧成过程中收缩减小，体密增加，提高了产品的规整度和机械强度。数控修坯技术采用多工位自动修坯，保证内孔(即空心通道)与伞裙同时成型，确保空心瓷绝缘子的同心度，防止空心瓷绝缘子烧成后出现偏心现象，从而降低空心瓷绝缘子的强度；胶装工艺技术采用高标号水泥(P · II 52. 5)作为胶合剂，在满足空心瓷绝缘子的形位公差的前提下，提高绝缘子的水泥强度，从而保证其高抗弯性。本专利技术具有如下有益效果本专利技术高强度空心瓷绝缘子产品设计结构好，工艺性能独特，耐受防污能力优异，生产制作周期短，产品性能好，外形美观，绝缘子总高度为9000 11000mm，内孔直径为280 400mm，抗弯破坏力矩达200 600kN *m且内水压破坏应力不小于4. 25MPa，其制备方法简单易行，易于实现。本专利技术主要用于国家电网公司交流IlOOkV特高压输电工程。本专利技术保持了瓷绝缘子强度高、绝缘性能好、不易老化的特性，保证了输电系统的安全可靠性以及绝缘子长期运行的可靠性，是交流IlOOkV特高压输电工程中最好的绝缘和机械支撑材料。附图说明图1为本专利技术实施例1的结构示意 图2为图1的伞形结构示意图；图3为本专利技术实施例2的结构示意图；图4为图3的伞形结构示意图；图5为本专利技术实施例3的结构示意图；图6为图3的伞形结构示意图；图中1、实施例1的第一节瓷元件；2、实施例1的第二节瓷元件；3、实施例1的第三节瓷元件；4、实施例1的第四节瓷元件；5、实施例1的第五节瓷元件；6、实施例2的瓷元件；7、实施例3的第一节瓷元件；8、实施例3的第二节瓷元件；9、实施例3的第三节瓷元件；10、实施例3的第四节瓷元件；11、实施例3的第五节瓷元件。具体实施例方式以下结合实施例对本专利技术作进一步描述。各个实施例中高强度瓷配料百分组成如下表I所示表I高强度瓷配料表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种交流1100kV高强度空心瓷绝缘子，其特征在于：该空心瓷绝缘子为5节空心瓷元件结构，每个瓷元件均由瓷件和上、下法兰通过水泥胶合剂胶装而成，各瓷元件之间通过螺栓紧固连接；空心瓷元件中间设置内孔作为空心通道，各个空心瓷元件具有相同的同心度。

【技术特征摘要】
1.一种交流IlOOkV高强度空心瓷绝缘子，其特征在于该空心瓷绝缘子为5节空心瓷元件结构，每个瓷元件均由瓷件和上、下法兰通过水泥胶合剂胶装而成，各瓷元件之间通过螺栓紧固连接；空心瓷元件中间设置内孔作为空心通道，各个空心瓷元件具有相同的同心度。2.根据权利要求1所述的交流IlOOkV高强度空心瓷绝缘子，其特征在于瓷元件中单个瓷件不同伞裙的外径按照一定的规律相互间隔排列，均采用一大伞一小伞、伞下无棱的耐污型光伞结构。3.根据权利要求2所述的交流IlOOkV高强度空心瓷绝缘子，其特征在于大伞伸出值为70 85mm ;小伞伸出值为55 70mm ;其伞间距为70 90mm。4.根据权利要求1、2或3所述的交流IlOOkV高强度空心瓷绝缘子，其特征在于所述空心瓷绝缘子的总长度为9000 11000mm，内孔直径为280 400mm。5.一种权利要求1所述的交流IlOOkV高强度空心瓷绝缘子的制备方法，其特征在于 瓷元件采用高强度瓷、等静压干法成型、数控修坯、胶装、烧成制作...

【专利技术属性】
技术研发人员：张旭昌，闫法强，郭志军，杨海，桑建华，尚超峰，欧阳胜林，杨晓明，杨山，宫云霞，王菁，王源，马成良，孙铁勇，
申请(专利权)人：中材高新材料股份有限公司，山东工业陶瓷研究设计院有限公司，
类型：发明
国别省市：