【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于红外探测器
,具体涉及一种用于封装红外探测器的微型金属杜瓦的内管结构。
技术介绍
微型金属杜瓦是红外探测器组件的重要组成部件之一,主要用于封装红外探测器芯片,为红外探测器芯片提供稳定可靠的真空、低温工作环境。杜瓦内管是微型金属杜瓦的核心部件,红外探测器芯片安装在杜瓦内管的底面,杜瓦内管与制冷器配接,制冷器提供的制冷量直接冷却杜瓦内管的底面。在制导环境中,振动冲击较为严酷,振动冲击使探测器芯片产生振动噪声,严重影响探测器的性能,对单元或多元红外探测器来说甚至产生虚警信号。经研究,探测器芯片振动噪声的产生主要与杜瓦内管的强度及其相关支撑结构有关为保证制导环境的快速制冷启动要求,必须尽可能减小杜瓦内管的壁厚,降低杜瓦热负载,但减薄杜瓦内管的壁厚,必然导致杜瓦内管的刚度下降和共振频率点降低,从而产生振动噪声。为此,优化平衡杜瓦内管的热负载控制与振动刚度控制是制导用快速启动杜瓦内管设计和制造的关键。现有的杜瓦内管薄壁部分通常采用壁厚为O.1 mm O. 2 mm的均勻壁厚以减小传热截面,降低热负载。这种内管结构在制导等高强度应力环境下难以达到热负载控制 ...
【技术保护点】
制导用微型金属杜瓦内管,其特征在于杜瓦内管⑴的薄壁部分由内管根部⑶、均匀过渡壁厚部分⑸和均匀壁厚部分⑷构成,三个部分的内径大小一致,但外径的大小不相同,其中,内管根部⑶的外径最大,壁厚最厚,壁厚在0.1mm至0.6mm之间,长度在5mm至12mm之间;均匀壁厚部分⑷的外径最小,壁厚最薄,壁厚在0.01mm至0.1mm之间,长度在5mm至12mm之间;均匀过渡壁厚部分⑸位于内管根部⑶与均匀壁厚部分⑷之间,其最大外径与内管根部⑶的外径一致,其最小外径与均匀壁厚部分⑷的外径一致,外径从大到小均匀过渡,使得均匀过渡壁厚部分⑸的壁厚也均匀过渡,其最厚壁厚与内管根部⑶的壁厚一致,其最薄 ...
【技术特征摘要】
1.制导用微型金属杜瓦内管,其特征在于杜瓦内管⑴的薄壁部分由内管根部⑶、均匀过渡壁厚部分(5)和均匀壁厚部分⑷构成,三个部分的内径大小一致,但外径的大小不相同, 其中,内管根部⑶的外径最大,壁厚最厚,壁厚在0.1mm至0. 6mm之间,长度在5mm至12mm 之间;均勻壁厚部分⑷的外径最小,壁厚最薄,壁厚在0. 0lmm至0.1mm之间,长度在5mm至 12mm之间;均匀过渡...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱颖峰,徐冬梅,徐世春,和自强,李冉,赵维艳,倪珺瑞,何江玲,
申请(专利权)人:昆明物理研究所,
类型:发明
国别省市:
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