本实用新型专利技术提供一种用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶，用于对低温杜瓦单元进行电磁屏蔽处理，包括：无磁桶型衬底；无磁帽型衬底，结合于所述无磁桶型衬底上，在所述无磁桶型衬底和无磁帽型衬底的结合处设置有凹凸锁，通过凹凸锁将无磁桶型衬底和无磁帽型衬底密封围成一密闭空间，以包围所述低温杜瓦单元；至少一层金属薄膜，包覆在所述无磁桶型衬底和无磁帽型衬底表面。本实用新型专利技术用于杜瓦的电磁屏蔽桶通过凹凸锁将无磁桶型衬底和无磁帽型衬底有效密封，并通过设计不同层数的金属薄膜，有效应对野外各种程度的电磁干扰，实现不同环境下低温超导外场的测试。该实用新型专利技术提供的电磁屏蔽桶轻便，易于携带，并且可以多次重复使用，减低成本。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电磁屏蔽桶领域，特别是涉及一种适用不同环境的杜瓦便携电磁屏蔽桶。
技术介绍
超导量子干涉器件(SQUID)是一种能测量微弱磁信号的极其灵敏的仪器，就其功能而言是一种磁通传感器，不仅可以用来测量磁通量的变化，还可以测量能转换为磁通的其他物理量，如电压、电流、电阻、电感、磁感应强度、磁场梯度、磁化率等。SQUID需要在低温下工作，通常使用杜瓦维持其工作时的低温环境。常见杜瓦有两种类型，分别是金属杜瓦和非金属杜瓦，因金属杜瓦对电磁干扰有较好的屏蔽性，应用时其电磁屏蔽基本不做处理，但应用场合比较局限。所以在实用上一般使用无磁杜瓦，由于材质原因，在不做电磁屏蔽性处理前，使用中对电磁干扰毫无抵抗力。为了解决电磁干扰问题，需对无磁杜瓦进行电磁屏蔽性处理。目前，在低温超导应用中，对电磁干扰的防护均是围绕低温单元本身作的处理，第一是给杜瓦外层直接包覆金属导电薄膜进行电磁屏蔽，第二是给超导量子干涉器件(SQUID)套铌桶进行电磁屏蔽。这两种处理技术在实验室环境应用已经很成熟，但针对于外场实验，这些处理方式均不理想。首先，如直接采用杜瓦外层包覆金属导电薄膜方式进行电磁屏蔽，整个包覆过程比较复杂，使得在外场实验时无法现场进行包覆，只能根据场地给出的电磁干扰值在实验室做前期电磁屏蔽层包覆处理，就算如实，也不能确保能应对外场复杂多变的电磁环境，对这种一次性包覆屏蔽层来保障测试系统正常工作的做法增加实验失败的风险。其次，就是实验本身而言，外场实验主要测试的是主动磁场和运动磁场，如果不仅考虑消除干扰而过多的包覆屏蔽，会对有用信号进行衰减，使实验结果不理想。最后，铌桶屏蔽主要用于实验室被动场测试，这里不予考虑。为克服所面临的问题，我们设计了一种适用于野外的不同环境的电磁屏蔽桶，确保外场实验的成功率，从而做到节省时间成本和经费成本。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶，用于解决现有技术中的电磁屏蔽设计无法满足不同环境的测试要求的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶，用于对低温杜瓦单元进行电磁屏蔽处理，所述电磁屏蔽桶至少包括:无磁桶型衬底；无磁帽型衬底，结合于所述无磁桶型衬底上，在所述无磁桶型衬底和无磁帽型衬底的结合处设置有凹凸锁，通过凹凸锁将无磁桶型衬底和无磁帽型衬底密封围成一密闭空间，以包围所述低温杜瓦单元；至少一层金属薄膜，包覆在所述无磁桶型衬底和无磁帽型衬底表面。作为本技术用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶的一种优化的方案，所述无磁桶型衬底和无磁帽型衬底为硬质或软质材料。作为本技术用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶的一种优化的方案，所述无磁桶型衬底和无磁帽型衬底的厚度范围为3?8_。作为本技术用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶的一种优化的方案，所述凹凸锁包括设置在所述无磁桶型衬底上的凹型锁和设置在无磁帽型衬底上、与所述凹型锁配合密封的凸型锁。作为本技术用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶的一种优化的方案，所述凹型锁的凹槽壁上设置有一对凹部，所述凸型锁上设置有与所述凹部对应的一对凸部，所述凸部卡制于所述凹部中。作为本技术用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶的一种优化的方案，所述凹凸锁为无磁金属材质。作为本技术用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶的一种优化的方案，所述金属薄膜的层数范围为24?54层，单层厚度范围为0.5?0.8 μπι。作为本技术用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶的一种优化的方案，所述金属薄膜由均匀排布的多块分离的小金属薄膜组成。作为本技术用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶的一种优化的方案，在所述金属薄膜表面还贴设有识别层。如上所述，本技术的用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶，用于对低温杜瓦单元进行电磁屏蔽处理，包括:无磁桶型衬底；无磁帽型衬底，结合于所述无磁桶型衬底上，在所述无磁桶型衬底和无磁帽型衬底的结合处设置有凹凸锁，通过凹凸锁将无磁桶型衬底和无磁帽型衬底密封围成一密闭空间，以包围所述低温杜瓦单元；至少一层金属薄膜，包覆在所述无磁桶型衬底和无磁帽型衬底表面。本技术用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶通过凹凸锁将无磁桶型衬底和无磁帽型衬底有效密封，并通过设计不同层数的金属薄膜，有效应对野外各种程度的电磁干扰，实现不同环境下低温超导外场的测试。该技术提供的电磁屏蔽桶轻便，易于携带，并且可以多次重复使用，减低成本。【附图说明】图1为本技术用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶的结构示意图。图2为本技术用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶中凹凸锁的纵截面示意图。图3为本技术用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶中凹型锁沿ΑΑ’方向的横截面示意图。图4为本技术用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶中凸型锁沿ΑΑ’方向的横截面示意图。图5为本技术用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶中金属薄膜的结构示意图。元件标号说明I低温杜瓦单元2 无磁桶型衬底3 无磁帽型衬底4凹凸锁41凹型锁411凹部42凸型锁421凸部5,6金属薄膜7识别层【具体实施方式】以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅附图。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。现有技术中的铌桶屏蔽主要用于实验室被动场的测试，如果针对外场实验，主要测试的是主动磁场和运动磁场，现有的做法是将杜瓦本身进行金属导电薄膜包覆，这种一次性包覆太厚，会影响测试结果，并且这种一次性包覆不能应对外场多变的电磁环境。有鉴于此，本技术提供一种用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶，能有效防电磁干扰，尤其是在低温超导量子干涉器件(SQUID)的外场应用中，面对电磁环境多样性和不确定性，其优势表现特别明显，为外场实验节省时间和金钱成本。以下将详细阐述本技术用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶的原理及实施方式，使本领域技术人员不需要创造性劳动即可理解本技术的便携电磁屏蔽桶。本技术提供一种用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶，如图1所示，用于对低温杜瓦单元I进行电磁屏蔽处理，所述电磁屏蔽桶至少包括:无磁桶型衬底2、无磁帽型衬底3、凹凸锁4、至少一层金属薄膜5、6。根据所使用的实际杜瓦低温单元I的大小和结构，确定无磁桶型衬底2的尺寸。所述无磁当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于杜瓦的便携电磁屏蔽桶，用于对低温杜瓦单元进行电磁屏蔽处理，其特征在于，所述电磁屏蔽桶至少包括：无磁桶型衬底；无磁帽型衬底，结合于所述无磁桶型衬底上，在所述无磁桶型衬底和无磁帽型衬底的结合处设置有凹凸锁，通过凹凸锁将无磁桶型衬底和无磁帽型衬底密封围成一密闭空间，以包围所述低温杜瓦单元；至少一层金属薄膜，包覆在所述无磁桶型衬底和无磁帽型衬底表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋坤，荣亮亮，常凯，伍俊，刘洋，孔祥燕，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：新型
国别省市：上海;31
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