激光划线装置和方法制造方法及图纸

叙述了一种激光划线装置和方法。在该装置中，用激光束照射在基片上形成的薄膜，该激光束聚焦于薄膜的某一有限部分上，以移除该部分，从而形成一个沟槽。在聚焦激光束之前，先将用以清除一部分在基片上形成的薄膜的激光束切除其边缘部分。由于这个清除工序而抑了球面象差。（*该技术在2007年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于。加工液晶器件所用的透明导电薄膜除采用光刻法外，用激光加工也是众所周知的。这类激光加工中钇铝柘榴石激光器已被采用作为激光光源，举例说该激光的波长为1.06微米。在这类激光加工过程中，通过使用一系列呈点状激光束按规定的线条形状连续照射到待加工的基片上而形成一条沟槽。因此，必须根据待加工透明导电薄膜例如热导率的特性，控制诸如激光束的能量密度、扫描速率等工艺条件。这样，当进行工业化大量生产时，在不牺牲产品技术规格的情况下是难以提高产品产量的。此外，对应于波长为1.06微米，每个光子的能量为1.23电子伏特的激光能比起代表诸如氧化锡、氧化铟、氧化铟锡、氧化锌等普通透明导电薄膜的3至4电子伏特的禁带宽度范围来说是非常小的。再者，在采用Q开关操作的激光加工过程中，必须以30至60厘米/分的扫描速率、用每一光点为0.5至1瓦进行扫描，该激光束截面直径为50微米、焦距为40毫米、脉冲频率为3千赫和脉冲宽度为60毫微秒。由于能量如此之大，因而可能会使于其上形成透明导电薄膜的衬底层产生裂纹，使器件损坏。衬底表面的损坏呈鳞状。此外，和现有技术的激光加工划不出一系列间距为10至50微米的细沟槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光划线装置，其特征在于，该装置包括：一脉冲（ｅｘｉｍｅｒ）激光器；一激光束扩展器，用以扩展所述脉冲激光器发射出的激光束；一塞孔装置，用以从经扩展后的激光束切掉一边缘部分；一凸透镜，用以将通过所述塞孔装置的激光束聚焦；和 一基片夹持器，用以利用该聚焦光束加工一基片时，将基片夹持在该加工位置处。

【技术特征摘要】
JP 1986-9-26 229252/861.一种激光划线装置，其特征在于，该装置包括一脉冲(eximer)激光器；一激光束扩展器，用以扩展所述脉冲激光器发射出的激光束；一塞孔装置，用以从经扩展后的激光束切掉一边缘部分；一凸透镜，用以将通过所述塞孔装置的激光束聚焦；和一基片夹持器，用以利用该聚焦光束加工一基片时，将基片夹持在该加工位置处。2.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，所述凸透镜将所述激光束呈一直线状地聚焦到所述基片上。3.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，所述扩展器主要地在一个方向上对来自所述脉冲激光器的激光束进行扩展。4.按照权利要求3所述的装置，其特征在于，所述凸透镜是个柱面透镜，所述透镜将经扩展的激光束聚焦在垂直于扩展方向所对应的方向上。5.如权利要求1的装置，其特征在于，所述基片夹持器可在垂直于激光束传输方向的方向上移动。6.一种在形成在基片上的薄膜上进行划线的方法，其特征在于，该方法包括扩展来自脉冲(eximer)激光器的激光束;从经扩展后激光束切断一边缘部分;将切断边缘后成形的激光...

【专利技术属性】
技术研发人员：原久人，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]