一种逆变器电路及其结构制造技术

本实用新型专利技术公布了一种逆变器电路及其结构，包括PCB板，导热绝缘材料，散热座，卡簧。PCB板上具有由晶体管构成的三路电路，晶体管为MOSFET晶体管或IGBT晶体管；每一路电路由多个晶体管单元并联构成，每个晶体管单元包括两个MOSFET晶体管，或两个IGBT晶体管；散热座上从具有4个矩形凸起，4个矩形凸起平行排列并隔挡形成3个空间，固定在PCB板上的晶体管也同时位于4个矩形凸起所隔挡形成的3个空间中，晶体管对称贴附于矩形凸起的侧面，之间有散热材料；卡簧两端紧压矩形凸起的侧面上的晶体管。针对传统逆变器成本高、易虚焊、导热性差的缺陷，设计出一种成本低廉、通用性好、电气性能和导热效果良好的方案。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及交直流转换
，特别涉及一种三相逆变全桥并联的逆变器电路及其结构。
技术介绍
随着电力电子、电机控制技术的发展，三相电机控制器在机电一体化、工业传动、机器人、新能源汽车、电动场地车等许多领域得到了广泛应用，尤其近年来的新能源汽车用电机控制器，其控制电机的类型也是多种多样，而对于电机供电离不开核心的功率逆变全桥部分，功率逆变部分承担着重要角色，并要承受近600A的大电流。针对上述情况全世界的半导体厂家及功率器件厂家推出了各种各样的应对方案，目前主要的成熟方案就是功率晶体管模块，一种铝基板上贴装管芯，后通过绑定线引到端子上的封装工艺，还有一种形式是在双层电路铝基板上贴装分立的功率晶体管。下面就目前的现有技术存在的缺陷及问题列举说明功率模块方案1.模块价格高，同等容量的模块的价格是分立晶体管价格的近2 4倍。2.设计不灵活，结构和参数受所选模块限制。3.可替换性差，性能稳定的模块厂家基本被国外垄断，且封装不统一，带来采购风险。4.驱动设计的匹配调节受限，很难看到管芯的驱动波形，给具体应用带来设计风险。双层电路铝基板贴装分立方案1.成本较高，双层电路铝基板工艺较复杂，因此成本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种逆变器电路，包括晶体管，三相交流电的U、V、W接口、直流电的B+、B?接口，其特征在于：所述逆变器电路具有由晶体管构成的三路电路，晶体管为MOSFET晶体管或IGBT晶体管；每一路电路由多个晶体管单元并联构成，每个晶体管单元包括两个MOSFET晶体管，或两个IGBT晶体管；当为MOSFET晶体管时，一个晶体管的漏极和另一个晶体管的源极相连形成晶体管单元，晶体管单元剩余的漏极接B+接口，剩余的源极接地，三路电路中的各晶体管单元中相连的漏极和源极的公共结点相连接形成公共结点并分别连接至U、V、W接口；当为IGBT晶体管时，一个晶体管的集电极和另一个晶体管的发射极相连形成晶体管单元，晶体管单元剩...

【技术特征摘要】
1.一种逆变器电路，包括晶体管，三相交流电的U、V、W接口、直流电的B+、B-接口，其特征在于所述逆变器电路具有由晶体管构成的二路电路，晶体管为MOSFET晶体管或IGBT晶体管；每一路电路由多个晶体管单元并联构成，每个晶体管单元包括两个MOSFET晶体管， 或两个IGBT晶体管；当为MOSFET晶体管时，一个晶体管的漏极和另一个晶体管的源极相连形成晶体管单元，晶体管单元剩余的漏极接B+接口，剩余的源极接地，三路电路中的各晶体管单元中相连的漏极和源极的公共结点相连接形成公共结点并分别连接至U、V、W接口； 当为IGBT晶体管时，一个晶体管的集电极和另一个晶体管的发射极相连形成晶体管单元， 晶体管单元剩余的集电极接B+接口，剩余的发射极接地，三路电路中的各晶体管单元中相连的集电极和发射极的公共结点相连接形成公共结点并分别连接至U、V、W接口 ；B-接口接地。2.根据权利要求1所述的逆变器电路，其特征在于所述三路电路中或者均为MOSFET 晶体管，或者均为IGBT晶体管，各晶体管的参数及性能一致，三路电路的各路电路所包含的晶体管单元的数量相同。3.根据权利要求1所述的逆变器电路，其特征在于所述U、V、W接口为输出接口时， B+、B-接口为输入接口，B+、B-接口接入直流电，U、V、W接口输出三相交流电；U、V、W接口为输如接口时，B+、B-接口为输出接口，U、V、W接口接入三相交流电，B+、B-接口输出直流电。4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜承润，
申请(专利权)人：天津市松正电动汽车技术股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：