【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种适于用在半导体器件成批生产中的、高生产率条件下能实现均匀退火的、高可靠的激光退火方法。更具体地说，本专利技术提供一种其晶性由于在诸如离子照射(ion irradiation)、离子注入和离子掺杂等工艺中受到损伤而严重地劣化的淀积薄膜的激光退火方法。如今，对降低制造半导体器件中的加工温度的方法正广泛地进行研究。对低温加工方法如此积极地研究的原因部分地归因于在例如玻璃制造的绝缘衬底上制备半导体器件所提出的要求。激光退火技术被认为是有前途的主要低温加工方法。但是，激光退火的条件尚未确定，因为传统的激光退火方法是各自独立地在不同条件下进行的，这些条件取决于在每个方法中独立地选择的装置和涂敷条件。这就使得许多人错误地认为，激光退火技术不能给出可靠和一致得足以使该方法实际可行的结果。因此，本专利技术的目的在于首次建立能给出高度再现的结果的激光退火方法的条件。在制造半导体器件的方法中，淀积薄膜极大地受到诸如离子照射、离子注入和离子掺杂等工艺过程的损伤，并由此在晶性方面遭到破坏，从而产生远非所说的半导体的非晶相或类似态。所以，为了将激光退火用于激活这种被损...
【技术保护点】
一种光学系统，其特征在于，包括： 第一装置，用以减少入射到所述第一装置上的光强度的变化，即在垂直于所述光的一方向上的所述强度的分布的变化；和 第二装置，用以减少所述入射到所述第二装置上的光强度的变化，即在垂直于所说光和所说方向的另一方向上的所述强度的分布的变化。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，张宏勇，石原浩朗，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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