激光处理制造技术

本发明专利技术提供一种在衬底（２２）上蒸发目标结构（２４）的系统（１０，３３）和方法。根据本发明专利技术，计算在目标结构（２４）中沉积单位能量所需要的入射光束能量作为波长的函数，然后，对于入射光束能量，计算预计沉积在衬底（２２）中的能量作为波长的函数。找出对应于预计沉积在衬底（２２）中的能量的相对低值的波长，该低值充分地低于在较高波长上预计沉积在衬底中的能量的值。提供一种激光系统（１０），配置成在对应于预计沉积在衬底（２２）中的能量的相对低值的波长上产生激光输出。在对应于预计沉积在衬底中的能量的相对低值的波长上，将激光输出（１３，１４，１５，１６，１８＆２０）导向衬底（２２）上的目标结构（２４），以便蒸发该目标结构（２４）。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及激光处理系统和方法，包括以高产出率去除在集成电路或存储器装置的硅衬底上紧密间隔的金属连接结构或“熔丝”。激光系统可以用来去除集成电路和存储器装置，诸如ASIC，DRAM，和SRAM中的熔丝结构(“熔固连接”)，用于诸如去除缺陷单元目的和替换缺陷单元为以此目的提供的冗余单元(冗余存储器修复)。连接处理激光系统包括由General Scanning公司制造的M320和M325系统，它们在很多波长上产生激光输出，包括1.047μm、1.064μm和1.32μm。经济需要导致更小、更复杂、更高密度的半导体结构的开发。这些更小的结构具有在相对高速下工作的优点。同时，由于半导体器件零件可以更小，更多的零件可以包括在一个单独的硅片中。由于在半导体加工设备上处理单个晶片的费用几乎不依赖于晶片上零件的数目，因此每个晶片上更多数目的零件可以转变成每个零件更低的成本。在80年代，半导体器件零件经常包括多晶硅和硅化物互连。尽管基于多晶硅的互连是相对较差的导体，但他们使用当时的工艺容易制造，并且非常适合于那时普遍使用的NdYAG激光器产生的波长。然而，随着几何尺寸的缩小，多晶硅互连和连接结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在衬底上蒸发目标结构的方法，包括如下步骤：计算在目标结构中沉积单位能量所需要的入射光束能量，作为波长的函数；对于入射光束能量，计算预计沉积在衬底中的能量作为波长的函数；找出对应于预计沉积在衬底中的能量的相对低值的波长，该低值 充分地低于在较高波长上预计沉积在衬底中的能量的值；提供一种激光系统，配置成在对应于预计沉积在衬底中的能量的相对低值的波长上产生激光输出；以及在对应于预计沉积在衬底中的能量的相对低值的波长上，将激光输出导向衬底上的目标结构，以便蒸发该 目标结构。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：威廉劳尔，皮埃尔特里潘尼尔，唐纳德V斯玛特，詹姆斯科丁利，迈克尔皮洛特金，
申请(专利权)人：通用扫描公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]