磁吸式D-SUB连接座构造制造技术

一种磁吸式D-SUB连接座构造，其系包含有一连接座及至少一磁性组件，该连接座更包含有一绝缘本体、复数个导电端子及一金属遮蔽体，该绝缘本体系具有一基部及由该基部一体延伸形成之一对接部，该对接部系由该对接面至该基部贯穿设有复数个通道；该等导电端子系对应穿设于该等通道；该金属遮蔽体系包覆套设于该绝缘本体上；该磁性组件系设于该连接座上，藉此，于连接座与对应之插头组接时，可透过磁性组件产生磁吸，将插头吸附固定于连接座上，而达到方便组装及缩小连接座体积之目的。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

磁吸式D-SUB连接座构造
本技术系有关于一种D-SUB连接座，特别系指一种可产生磁吸作用之磁吸式 D-SUB连接座构造。
技术介绍
随着电子产品之功能愈来愈多，电子产品上供外围配件连接之接口亦愈来愈多， 譬如视频图形数组(video graphics array, VGA)端口，数字视频接口 (digital visual interface,DVI),并列；t阜(line parallel terminal, LPT)等。习知技术之 VGA、DVI 及 LPT 插头具有复数插针，因此与相应连接座连接时需要借助螺丝旋紧之方式加强连接，使得该 VGA、DVI及LPT插头之插针不会从连接座上松脱或造成接触不良。请参阅图1所示，为习知DVI连接座及与DVI连接座对应之插头立体分解图；习知插头Al系包含一本体A2及一固设在该本体A2上之端子部A3，该端子部A3内收容复数插针(未图示)，用以收发电讯号，该本体A2两侧一体各设一固定柱A4，每一固定柱A4内系开设一通孔A5，而该等通孔A5内系分别穿设有一螺A6 ;又，一连接座A7系包含一对接部AS， 该连接座A7于该对接部A8两侧系各设一凸柱A9,每一凸柱A9内系设有一螺孔A10,且该等螺孔AlO系对应该等通孔A5，该对接部AS对应该端子部A3之插针设复数插槽Al I，且该等插槽All内系对应穿设有复数个导电端子(未图示)，而于该插头Al及该连接座A7相组接时，该等插针及该等导电端子系可相接触连接，并透过该等螺丝A6对应螺锁于该等螺孔 AlO内，而使可将该插头Al组接固定于该连接座A7上。虽习知插头Al与连接座A7可透过该等螺丝A6相锁设固定，惟，随着电子技术的提升，产品亦越做越小，导致连接座及其它组件设置的空间亦随之变小，故若仍亦以手旋转螺丝A6的方式进行锁固，使用者于操作上会变得更加不易，且若欲设置于小型产品时，亦容易会遇到空间不足之问题，有鉴于此，实有改善之必要。
技术实现思路
本技术主要目的在提供一种磁吸式D-SUB连接座构造，其具有方便组装之优本技术另一目的在提供一种磁吸式D-SUB连接座构造，其具有缩小D-SUB连接座体积之优点。为达上述之功效及目的，本技术磁吸式D-SUB连接座构造，系包含有一连接座及至少一磁性组件，该连接座更包含有一绝缘本体、复数个导电端子及一金属遮蔽体，该绝缘本体系具有一基部及由该基部一体延伸形成之一对接部,该对接部系由该对接面至该基部贯穿设有复数个通道；该等导电端子系对应穿设于该等通道，而每一导电端子系具有一接触段及一焊接段，该接触段系穿设于该通道内，且该焊接段系延伸外露于该通道外；该金属遮蔽体系包覆该绝缘本体，该金属遮蔽体系具有一对接穿孔，该金属遮蔽体系以该对接穿孔对应该对接面，而套设于该绝缘本体上；该磁性组件系设于该连接座上。藉此，于D-SUB连接座与对应之插头组接时，可透过磁性组件产生磁吸，将插头吸附固定于连接座上，而可于组装操作时达到快速便利之优点，同时，因本技术较习知构造亦少了固定柱及凸柱之结构，故本技术D-SUB连接座的体积更缩小，而进一步可达到降低成本及得适用组装于小型产品之优点。本技术之上述及其它目的、优点和特色由以下较佳实例之详细说明并参考图式俾得以更深入了解。附图说明图1为习知DVI连接座及与DVI连接座对应之插头立体分解图。图2为本技术磁吸式D-SUB连接座构造之立体组合图。图3为本技术磁吸式D-SUB连接座构造之立体分解图。图4为本技术磁吸式D-SUB连接座构造另一视角立体分解图。图5为本技术磁吸式D-SUB连接座构造之组合剖视图。符號說明10连接座11绝缘本体111基部112对接部1121第一侧面1122第二侧面1123第三侧面1124第四侧面1125对接面113通道114第一肩部115限位块116第二肩部12导电端子121接触段122焊接段13金属遮蔽体131对接穿孔132第一限位板133第二限位板20磁性组件具体实施方式请参阅图2、3所示,为本技术磁吸式D-SUB连接座构造之立体组合图及立体分解图；该磁吸式D-SUB连接座构造系包含有一连接座10，其系包含有一绝缘本体 11、复数个导电端子12及至少一磁性组件 13，其中，请配合参阅图4、5所示,该绝缘本体11,系具有一基部111及由该基部111 一体延伸形成之一对接部112，该对接部112于其环侧系界定出一第一侧面1121、一第二侧面1122 及设于该第一侧面1121及该第二侧面1122间一第三侧面1123与一第四侧面1124，该第三侧面1123及该第四侧面1124系不平行，同时，该对接部112系更设有一对接面1125，该对接面1125系由该第一侧面1121、该第二侧面1122、该第三侧面1123及该第四侧面1124 所围绕界定而成，又，该对接部112系由该对接面1125至该基部111贯穿设有复数个通道 113,另，该基部111于对应该第一侧面1121 —侧系设有一第一肩部114,该第一肩部114系与该第一侧面1121不在同一平面，且该基部111两侧朝该对接部112另侧一体延伸形成二限位块115，该等限位块115系对应该第三侧面1123及该第四侧面1124位置处，而该等限位块115与该基部111间系至少形成有一第二肩部116，于本技术实施例中系具有两个第二肩部116。该等导电端子12，系对应穿设于该等通道113，而每一导电端子12系具有一接触段121及一焊接段122，该接触段121系穿设于该通道113内，且该焊接段122系延伸外露于该通道113外。该金属遮蔽体13，系包覆该绝缘本体11，该金属遮蔽体13系具有一对接穿孔131， 该金属遮蔽体13系以该对接穿孔131对应该对接面1125，而套设于该绝缘本体11上，同时，该该金属遮蔽体13于该第一肩部114位置处系一体延伸形成一第一限位板132,且该金属遮蔽体13两侧分别朝该等限位块115方向一体延伸形成二第二限位板133，且该等第二限位板133自由端系可弯折并与该等限位块115相限位。至少一磁性组件20，系设于该连接座10上，于本技术实施例中该磁性组件20 系为一个，且该磁性组件20系同时与该第一肩部114及该等第二肩部116相限位，并受该第一限位板132及该等第二限位板133所压抵限位，而使该磁性组件20可受该绝缘本体 11及该金属遮蔽体13限位；另，本技术亦可用复数个磁性组件20分别设置于该连接座10上(未图示)，或系利用单一磁性组件20选择性设置于该第一肩部114或该第二肩部 116位置处(未图示)。为供进一步了解本技术构造特征、运用技术手段及所预期达成之功效，兹将本技术使用方式加以叙述，相信当可由此而对本技术有更深入且具体之了解，如下所述请参阅图3、4、5所示，于组装本技术时，系先将该磁性组件20设于该第一肩部114及该等第二肩部116，并利用该金属遮蔽体13以该对接穿孔131对应该对接面1125， 而套设于该绝缘本体11上，同时，并利用该第一限位板132及该等第二限位板133将该磁性组件20压抵限位，进而得将该等第二限位板133自由端弯折并与该等限位块115相限位，以完成组装，藉此，当D-SUB连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁吸式D?SUB连接座构造，其特征在于系包含有：?一连接座，其系包含有一绝缘本体、复数个导电端子及一金属遮蔽体，其中，?该绝缘本体，系具有一基部及由该基部一体延伸形成之一对接部，该对接部于其环侧系界定出一第一侧面、一第二侧面及设于该第一侧面及该第二侧面间一第三侧面与一第四侧面，该第三侧面及该第四侧面系不平行，同时，该对接部系更设有一对接面，该对接面系由该第一侧面、该第二侧面、该第三侧面及该第四侧面所围绕界定而成，又，该对接部系由该对接面至该基部贯穿设有复数个通道；?该等导电端子，系对应穿设于该等通道，而每一导电端子系具有一接触段及一焊接段，该接触段系穿设于该通道内，且该焊接段系延伸外露于该通道外；?该金属遮蔽体，系包覆该绝缘本体，该金属遮蔽体系具有一对接穿孔，该金属遮蔽体系以该对接穿孔对应该对接面，而套设于该绝缘本体上；及至少一磁性组件，系设于该连接座上。

【技术特征摘要】
1.一种磁吸式D-SUB连接座构造，其特征在于系包含有一连接座，其系包含有一绝缘本体、复数个导电端子及一金属遮蔽体，其中，该绝缘本体，系具有一基部及由该基部一体延伸形成之一对接部，该对接部于其环侧系界定出一第一侧面、一第二侧面及设于该第一侧面及该第二侧面间一第三侧面与一第四侧面，该第三侧面及该第四侧面系不平行，同时，该对接部系更设有一对接面，该对接面系由该第一侧面、该第二侧面、该第三侧面及该第四侧面所围绕界定而成，又，该对接部系由该对接面至该基部贯穿设有复数个通道；该等导电端子，系对应穿设于该等通道，而每一导电端子系具有一接触段及一焊接段， 该接触段系穿设于该通道内，且该焊接段系延伸外露于该通道外；该金属遮蔽体，系包覆该绝缘本体，该金属遮蔽体系具有一对接穿孔，该金属遮蔽体系以该对接穿孔对应该对接面，而套设于该绝缘本体上；及至少一磁性组件，系设于该连接座上。2.如权利要求1所述的磁吸式D-SUB连接座构造，其特征在于该磁性组件系受该绝缘本体及该金属遮蔽体限位。3.如权利要求1或2所述的磁吸式D-SUB连接座构造，其特征在于该基部于对应该第一侧面一侧系设有一第一肩部，该第一肩部系与该第一侧面不在同一平面，该磁性组件系与该第一肩部相限位。4.如权利要求3所述的磁吸式D-SUB连接座构造，其特征在于该基部两侧朝该对接部另侧一体延伸形成二限位块，而该等限位块与该基部间系至少形成有一第二肩部，该磁性组件系与该第二肩部相限位。5.如权利要求4所述的磁吸式D-SUB连接座构造...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭荣勋，罗干豪，
申请(专利权)人：信音电子中国股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：