一种高级超维场转换液晶显示装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种高级超维场转换液晶显示装置及其制作方法，显示屏包括第一基板、第二基板、形成于第一基板和第二基板的两感光取向层、形成于感光取向层与第一基板之间的电极，电极包括由绝缘层隔开的像素电极和公共电极；感光取向层具有间隔排列的第一取向区域和第二取向区域，第一取向区域具有第一取向，第二取向区域具有第二取向，且第一取向与第二取向相互垂直；感光取向层的第一取向和第二取向与像素电极形成相等的夹角；液晶具有与感光取向层的第一取向区域和第二取向区域对应的第一畴区和第二畴区。在显示屏中同时应用E-Mode和O-Mode模式，实现了对比度、视角和色偏的同时改善。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及。
技术介绍
在液晶显示技术中，高级超维场转换技术ADS (Advanced SuperDimensionSwitch)是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内的狭缝电极间和电极正上方的液晶分子都能够产生偏转，从而提高液晶工作效率并增大了透光效率的技术。通常，根据液晶分子取向性对高级超维场转换技术的液晶显示器进行如下划分E-Mode，不加电状态下，液晶显示盒中液晶的取向与下偏光片的吸收轴垂直；0-Mode，不加电状态下，液晶显示盒中液晶的取向与下偏光片的吸收轴平行。在性能方面，E-Mode液晶显示盒的对比度(Contrast Ratio)差于 O-Mode ;视角(View Angle)、色偏(Color Shift)好于0-Mode，由此可见，单一模式的高级超维场转换显示屏仍然存在性能上的不足。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，以解决现有技术中单一的0-Mode/E-Mode模式的高级超维场转换液晶显示屏在显示中对比度、视角和色偏不能同时改善的问题。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的本专利技术实施例提供一种高级超维场转换液晶显示屏，包括第一基板、第二基板、液晶、形成于所述第一基板和第二基板的两感光取向层、形成于所述感光取向层与所述第一基板之间的电极，所述电极包括由绝缘层隔开的像素电极和公共电极；所述感光取向层具有间隔排列的第一取向区域和第二取向区域，所述第一取向区域具有第一取向，所述第二取向区域具有第二取向，且所述第一取向与所述第二取向相互垂直；所述感光取向层的所述第一取向和所述第二取向与所述像素电极形成相等的夹角；所述液晶具有与所述感光取向层的所述第一取向区域和所述第二取向区域对应的第一畴区和第二畴区。优选的，还包括设置于所述第一基板外侧的第一偏光片，设置于所述第二基板外侧的第二偏光片；其中，所述第一偏光片的吸收轴与所述第一取向平行，所述第二偏光片的吸收轴与所述第二取向平行；或者，所述第一偏光片的吸收轴与所述第二取向平行，所述第二偏光片的吸收轴与所述第一取向平行。优选的，所述像素电极包括与所述第一取向区域对应的第一电极，与所述第二取向区域对应的第二电极，所述第一取向与所述第一电极之间的夹角和所述第二取向与所述第二电极之间的夹角相等。优选的，所述第一电极与所述第二电极之间的夹角为0° < < 90°，所述第一取向与所述第一电极之间的夹角和所述第二取向与所述第二电极之间的夹角均为0° <◎ < 45° ;或者，所述第一电极与所述第二电极之间的夹角为《=90°，所述第一取向与所述第一电极之间的夹角和所述第二取向与所述第二电极之间的夹角均为0=45° ;或者， 所述第一电极与所述第二电极之间的夹角为90° < Co < 180°，所述第一取向与所述第一电极之间的夹角和所述第二取向与所述第二电极之间的夹角均为0° < 0) <45° ;或者，所述第一电极与所述第二电极在同一直线上，所述第一取向与所述第一电极之间的夹角和所述第二取向与所述第二电极之间的夹角均为0=45°。优选的，所述第一畴区和所述第二畴区为竖直或水平的条状区域，所述第一电极或第二电极至少覆盖半列或者半行畴区。本专利技术实施例有益效果如下通过具有间隔排列的第一取向区域和第二取向区域的取向层，使液晶形成两个取向角不同的畴区，分别为高级超维场转换ADS技术的O-Mode/E-Mode模式，实现了对比度、视角和色偏的同时改善。本专利技术较佳的实施例提供一种高级超维场转换液晶显示器，包括上述显示屏。本专利技术较佳的实施例提供一种高级超维场转换液晶显示屏的制作方法，包括如下步骤提供第一基板和第二基板，在所述第一基板的表面形成电极，所述电极包括由绝缘层隔开的像素电极和公共电极；在所述第一基板和所述第二基板形成具有间隔排列的第一取向区域和第二取向区域的两感光取向层；所述第一取向区域具有第一取向，所述第二取向区域具有第二取向，所述第一取向和所述第二取向相互垂直；其中，所述感光取向层的所述第一取向和所述第二取向与所述像素电极形成的夹角相等；在所述第一基板和第二基板之间设置液晶，通过所述感光取向层使所述液晶形成与所述第一取向区域和所述第二取向区域对应的第一畴区和第二畴区。优选的，还包括在所述第一基板外侧设置第一偏光片，在所述第二基板外侧设置第二偏光片；其中，所述第一偏光片的吸收轴与所述第一取向平行，所述第二偏光片的吸收轴与所述第二取向平行；或者，所述第一偏光片的吸收轴与所述第二取向平行，所述第二偏光片的吸收轴与所述第一取向平行。优选的，使所述感光取向层形成间隔排列的第一取向区域和第二取向区域，步骤如下利用摩擦取向工艺使所述感光取向层具有所述第一取向，提供一掩膜板，所述掩膜板具有平行间隔排列的遮光区和透光区；利用无偏振方向的紫外光照射所述掩膜板，消除所述感光取向层上与所述透光区对应的区域的取向，使所述感光取向层形成与所述遮光区和透光区相对应的第一取向区域和第二取向区域； 利用一规定偏振方向的紫外光照射所述掩膜板，使所述第二取向区域具有第二取向。优选的，使所述感光取向层形成间隔排列的第一取向区域和第二取向区域，步骤如下提供一掩膜板，所述掩膜板具有平行间隔排列的遮光区和透光区；利用一规定偏振方向的紫外光照射所述掩膜板，使所述感光取向层上与透光区对应的区域形成所述第一取向区域；移动所述掩膜板，使所述遮光区遮挡所述第一取向区域，利用另一规定偏振方向的紫外光照射所述掩膜板，使所述透光区对应的区域形成第二取向区域。优选的，形成的所述像素电极包括第一电极和第二电极，所述第一取向区域与所述第一电极与所述对应，所述第二取向区域与所述第二电极对应，且所述第一取向与所述第一电极之间的夹角和所述第二取向与所述第二电极之间的夹角相等。本专利技术实施例有益效果如下通过使取向层具有间隔排列的第一取向区域和第二取向区域，使液晶形成两个取向角不同的畴区，实现高级超维场转换ADS技术的O-Mode/E-Mode模式的共同应用，进而实现了对比度、视角和色偏的同时改善。附图说明图1为本专利技术实施例一所述显示屏的结构示意图；图2为本专利技术实施例一所述显不屏的偏光片、取向层及液晶层不意图；图3至图12为本专利技术实施例中高级超维场转换液晶显示屏的电极夹角，以及加电前后液晶与电极夹角变化的示意图；图13为本专利技术实施例四所述显示屏的制作方法的流程图。具体实施例方式下面结合说明书附图对本专利技术实施例的实现过程进行详细说明。本专利技术实施例一，提供一种高级超维场转换液晶显示屏，如图1所示，第一基板101、第二基板102、液晶103、形成于第一基板101和第二基板102的两感光取向层104、形成于感光取向层104与第一基板101之间的电极105,电极105包括由绝缘层隔开的像素电极106和公共电极107 ;感光取向层104具有间隔排列的第一取向区域1041和第二取向区域1042，第一取向区域1041具有第一取向，第二取向区域1042具有第二取向，且第一取向与第二取向相互垂直；感光取向层104的第一取向和第二取向与像素电极106形成相等的夹角。此外，两感光取向层104形成于第一基板101和第二基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高级超维场转换液晶显示屏，包括第一基板、第二基板、液晶、形成于所述第一基板和第二基板的两感光取向层、形成于所述感光取向层与所述第一基板之间的电极，所述电极包括由绝缘层隔开的像素电极和公共电极；其特征在于：所述感光取向层具有间隔排列的第一取向区域和第二取向区域，所述第一取向区域具有第一取向，所述第二取向区域具有第二取向，且所述第一取向与所述第二取向相互垂直；所述感光取向层的所述第一取向和所述第二取向与所述像素电极形成相等的夹角；所述液晶具有与所述感光取向层的所述第一取向区域和所述第二取向区域对应的第一畴区和第二畴区。

【技术特征摘要】
1.一种高级超维场转换液晶显示屏，包括第一基板、第二基板、液晶、形成于所述第一基板和第二基板的两感光取向层、形成于所述感光取向层与所述第一基板之间的电极，所述电极包括由绝缘层隔开的像素电极和公共电极；其特征在于所述感光取向层具有间隔排列的第一取向区域和第二取向区域，所述第一取向区域具有第一取向，所述第二取向区域具有第二取向，且所述第一取向与所述第二取向相互垂直； 所述感光取向层的所述第一取向和所述第二取向与所述像素电极形成相等的夹角；所述液晶具有与所述感光取向层的所述第一取向区域和所述第二取向区域对应的第一畴区和第二畴区。2.如权利要求1所述的显示屏，其特征在于，还包括设置于所述第一基板外侧的第一偏光片，设置于所述第二基板外侧的第二偏光片；其中，所述第一偏光片的吸收轴与所述第一取向平行，所述第二偏光片的吸收轴与所述第二取向平行；或者，所述第一偏光片的吸收轴与所述第二取向平行，所述第二偏光片的吸收轴与所述第一取向平行。3.如权利要求1所述的显示屏，其特征在于，所述像素电极包括与所述第一取向区域对应的第一电极，与所述第二取向区域对应的第二电极，所述第一取向与所述第一电极之间的夹角和所述第二取向与所述第二电极之间的夹角相等。4.如权利要求3所述的显示屏，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极之间的夹角为0° < ω < 90°，所述第一取向与所述第一电极之间的夹角和所述第二取向与所述第二电极之间的夹角均为0° < Φ < 45° ;或者，所述第一电极与所述第二电极之间的夹角为ω=90°，所述第一取向与所述第一电极之间的夹角和所述第二取向与所述第二电极之间的夹角均为Φ=45° ;或者，所述第一电极与所述第二电极之间的夹角为90° < ω < 180°，所述第一取向与所述第一电极之间的夹角和所述第二取向与所述第二电极之间的夹角均为0° < Φ < 45° ;或者，所述第一电极与所述第二电极在同一直线上，所述第一取向与所述第一电极之间的夹角和所述第二取向与所述第二电极之间的夹角均为Φ=45°。5.如权利要求3所述的显示屏，其特征在于，所述第一畴区和所述第二畴区为竖直或水平的条状区域，所述第一电极或第二电极至少覆盖半列或者半行畴区。6.一种高级超维场转换液晶显示器，其特征在于，包括如权利要求1至5任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：左雄灿，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：