【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】复合环形天线相关申请 本申请要求于2010年9月8日提交的美国申请No. 12/878,016、No. 12/878,018以及No. 12/878,020的优先权,上述这些申请是要求于2010年2月11日提交的美国临时申请No. 61/303,594的优先权的非临时申请。简要说明 本专利技术的实施例涉及平面的(双面的)和印刷的(单面的)复合场天线,并且特别地,但非独占地,涉及具有电场正交于磁场的共平面电场辐射器和磁回路的复合环形天线,其在较高带宽(较低Q)、较大辐射强度/功率/增益以及较高效率方面实现了性能益处。其他实施例涉及自含式地网复合场天线,其包括在磁回路上形成的跃变(transition)并具有大于 磁回路的宽度的跃变宽度。跃变实质上隔离了在与电场辐射器相反或邻近的磁回路上形成的地网。
技术介绍
现代电信设备的日益缩减的尺寸产生对改进天线设计的需求。在诸如手机/移动电话等设备中已知的天线提供了在性能方面的主要局限性之一并且几乎总是以一种方式或另外的方式折衷。特别地,天线的效率可能对设备性能具有主要影响。更高效的天线将辐射从发射器供给到天线的较高比例的能量。同样地,由于天线的固有相互作用,更高效的天线将较多的接收信号转换为用于接收器处理的电能。为了保证在收发器(既作为发射器又作为接收器操作的设备)与天线之间能量的最大传递(在发送和接收两种模式中),两者的阻抗的大小应该互相匹配。两者之间的任何不匹配将导致欠佳的性能,在发送情况下,从天线向发射器反射回能量。当作为接收器操作时,天线的欠佳性能导致比否则将可能实现的更低的接收功率。已知的简单环形天线典型地为 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.02.11 US 61/303,594;2010.09.08 US 12/878,020;1.一种单面天线,包括 磁回路,其位于平面上并且构造为产生磁场,其中所述磁回路具有添加至所述单面天线的总感抗的第一感抗;以及 至少一个电场辐射器,其位于所述平面上并且处于所述磁回路内,所述至少一个电场辐射器耦接于所述磁回路并且构造为发射与所述磁场正交的电场,其中所述至少一个电场辐射器具有添加至所述单面天线的总容抗的第一容抗,其中所述至少一个电场辐射器与所述磁回路之间的物理布置导致添加至所述总容抗的第二容抗,并且其中所述总感抗大致匹配于所述总容抗。2.根据权利要求1所述的单面天线,还包括电迹线,其将所述至少一个电场辐射器耦接至所述磁回路。3.根据权利要求2所述的单面天线,其中,所述电迹线具有选自由大致平滑曲线构成的群组的形状和将所述电迹线中的弯曲数量最小化的形状。4.根据权利要求2或3所述的单面天线,其中,所述电迹线在相对于所述磁回路的驱动点成大约90度或大约270度的电角度位置处将所述至少一个电场辐射器耦接至所述磁回路。5.根据权利要求2、3或4所述的单面天线,其中,所述电迹线在流过所述磁回路的电流处于反射最小值的反射最小值点处将所述至少一个电场辐射器耦接至所述磁回路。6.根据前述任一项权利要求所述的单面天线,其中,所述至少一个电场辐射器在相对于所述磁回路的驱动点成大约90度或大约270度的电角度位置处直接耦接至所述磁回路。7.根据前述任一项权利要求所述的单面天线,其中,所述至少一个电场辐射器在流过所述磁回路的电流处于反射最小值的反射最小值点处直接耦接至所述磁回路。8.根据前述任一项权利要求所述的单面天线,其中,所述磁回路具有选自由大约等于多倍波长、大约等于多倍四分之一波长以及大约等于多倍八分之一波长构成的群组的电长度。9.根据前述任一项权利要求所述的单面天线,其中,所述至少一个电场辐射器具有选自由大约等于多倍波长、大约等于多倍四分之一波长以及大约等于多倍八分之一波长构成的群组的电长度。10.根据前述任一项权利要求所述的单面天线,其中,流过所述磁回路的电流流入所述至少一个电场辐射器并且沿着相反方向将所述电流反射到所述磁回路中,导致所述电场反射入所述磁场并且产生与所述磁场正交的电场。11.根据前述任一项权利要求所述的单面天线,其中,所述磁回路具有大致矩形的形状。12.根据权利要求11所述的单面天线,其中,所述磁回路的大致矩形形状的四个角部以一定角度被切去。13.根据前述任一项权利要求所述的单面天线,其中,所述磁回路由多个连续连接的部分形成,其中所述多个区段中的至少一个区段由具有第一宽度的第一区段、具有中间宽度的中间区段以及具有第二宽度的第二区段形成,其中所述第一区段的第一端连接至并且邻近于所述中间区段的第一端并且其中所述中间区段的第二端连接至并且邻近于所述第二区段的第一端,并且其中所述第一宽度和所述第二宽度不同于所述中间宽度。14.根据前述任一项权利要求所述的单面天线,其中,所述至少一个电场辐射器具有电长度并且构造为以操作频率发射所述电场,并且其中所述至少一个电场辐射器包括位于所述平面上并且位于所述磁回路之内的第二电场辐射器,所述第二电场辐射器耦接于所述磁回路并且具有添加至所述总容抗的第三容抗,所述第二电场辐射器构造为发射与所述磁场正交的第二电场,所述第二电场辐射器具有第二电长度并且构造为以第二操作频率发射所述第二电场,其中所述第二电场辐射器与所述磁回路之间的物理布置导致添加至所述总容抗的第四容抗。15.根据前述任一项权利要求所述的单面天线,还包括 跃变,其形成在所述磁回路上,其中所述跃变具有比所述磁回路的宽度大的宽度; 地网,其形成在所述磁回路上沿着所述磁回路定位成与所述至少一个电场辐射器相反或邻近,其中所述跃变构造为将所述地网与所述磁回路大致电隔离。16.根据权利要求15所述的单面天线,其中,所述地网具有比所述磁回路的所述宽度大的地网宽度。17.根据前述任一项权利要求所述的单面天线,还包括平衡-不平衡转换器,其构造为抵消普通模式电流并且将所述单面天线调谐为期望的输入阻抗。18.一种多层平面天线,包括 磁回路,其位于第一平面上并产生磁场,其中所述磁回路具有添加至所述多层天线的总感抗的第一感...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。