阴极保护的垫调理器及使用方法技术

本发明专利技术提供一种用于化学机械平面化的阴极保护垫调理器(100)，包括：金属基板(112)的研磨构件(110)、支撑载体(120)，以及固定到所述支撑载体(120)的周边边缘(124)上的阳极(130)。阴极保护电路(140)被构造为如果与电解质溶液接触则提供从所述阳极(130)至所述研磨构件(110)的阴极保护电流。还公开了使用所述阴极保护垫调理器(100)的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术广义地涉及用于半导体晶圆的化学机械平面化的垫调理器及其使用方法。技术背景化学机械平面化(CMP)为在亚微米技术集成电路(IC)的制造中广泛使用的加工 技术。由于随着技术节点的缩减而不断降低的光刻焦点深度，半导体晶圆的工作面的平面 性已成为一种必需。CMP为其中使用了抛光垫及抛光浆料的抛光/材料移除工艺。该抛光 浆料通常具有腐蚀性。由于上光，抛光垫的材料移除效率通常在长时间使用后下降。为了 保持恒定的材料移除效率，使用垫调理器来对抛光垫进行去光(unglaze)(即调理)。由于晶圆平面化，产生了某些问题，包括微划痕(即，微米级的划痕)，抛光不足或 过度抛光以及形成凹陷。微划痕的主要原因包括来自浆料的磨粒、来自抛光的松散材料、来 自垫调理器的松散金刚石以及来自垫调理器的金属颗粒。除了微划痕，一些金属例如镍可造成污染问题。例如，在晶圆表面嵌入的镍颗粒可 造成有源/无源器件和连接体的电性能或可靠性性能的改变。例如，金属氧化物半导体场 效应晶体管(MOSFET)的电性能可能受到镍污染的不利影响。另外，当镍污染引起分开的铜 线路之间电气桥接时，铜连接体可变为电短路。
技术实现思路
在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.15 US 12/837,0551.一种用于化学机械平面化的阴极保护垫调理器，包括研磨构件，所述研磨构件包括具有研磨表面和与所述研磨表面相背对的背表面的金属基板，其中所述研磨表面包括固定到所述金属基板上的磨粒；支撑载体，所述支撑载体具有容纳表面以及与所述容纳表面相邻的周边边缘，其中所述容纳表面固定到所述研磨构件的所述背表面并且与之相邻；固定到所述周边边缘的阳极；和阴极保护电路，所述阴极保护电路被构造为如果与电解质溶液接触则提供从所述阳极至所述金属基板的阴极保护电流。2.根据权利要求1所述的阴极保护垫调理器，其中所述阴极保护电路包括具有正端子和负端子的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·J·拉雷，林文杰，
申请(专利权)人：三M创新有限公司，
类型：
国别省市：