天线开关以及通信设备制造技术
【技术实现步骤摘要】
天线开关以及通信设备交叉参考相关申请2011年9月16日提交的日本专利申请2011-203480包括说明书、附图和摘要的公开内容通过引用全文并入本文中。
本专利技术涉及天线开关以及通信设备，更具体地，涉及调整高频信号的功率的技术。
技术介绍
像蜂窝式电话那样的通信设备在进行通信设备之间的无线电通信的时候与作为中继设备的基站通信。一个基站的通信范围被称为一个小区。在一个小区中，通信设备依照与基站的距离调整高频信号的发射功率和接收灵敏度。一般说来，发射功率必须依照与基站的距离在大约-50dBm至30dBm的范围内调整。发射功率的调整通过改变安装在通信设备上的RFIC（射频集成电路）或HPA（高功率放大器）的增益来进行。另一方面，在调整接收灵敏度的时候，改变RFIC中的LAN（低噪声放大器）的增益，使得来自基站的高频信号的接收功率变成可以解调信号的水平。专利文献1公开了并行地设置具有不同增益的多个放大器以及依照要满足的发射功率或接收功率交替选择用于放大高频信号的放大器的通信设备。专利文献2公开了以时分方式在高频信号的发射和接收之间切换的天线开关。相关技术文献专利文献专利...
【技术保护点】
一种天线开关，包含：第一端子；第二端子；与天线耦合的第三端子；第一开关，用于切换使高频信号在第一和第二端子之间传播的第一状态和中断高频信号的第二状态；以及第二开关，用于在第二和第三端子之间与第一开关无关地切换第一状态和第二状态，其中处在第一状态下的第一和第二开关中的每一个调整到多个级中的任何一级的高频信号的衰减量。
【技术特征摘要】
2011.09.16 JP 2011-2034801.一种天线开关，包含：第一端子；第二端子；与天线耦合的第三端子；第一开关，用于切换使高频信号在第一和第三端子之间传播的第一状态和中断高频信号的第二状态；以及第二开关，用于在第二和第三端子之间切换第一状态和第二状态，其中当第一开关被设置为第一状态和第二状态中的一个时，第二开关被设置为第一状态和第二状态中的另一个，其中处在第一状态下的第一和第二开关中的每一个调整到多个级中的任何一级的高频信号的衰减量。2.按照权利要求1所述的天线开关，其中第一和第二开关中的每一个具有第一场效应晶体管FET系列，所述第一开关的所述第一FET系列包括串联耦合在第一端子与第三端子之间的多个FET，所述第二开关的所述第一FET系列包括串联耦合在第二端子与第三端子之间的多个FET，并且其中断开作为处于所述第一状态的所述第一或第二开关的所述第一FET系列的一部分的FET而接通处于所述第一状态的所述第一或第二开关的所述第一FET系列的其余的FET，以便传播所述高频信号，并按照断开的FET的数目调整所述衰减量。3.按照权利要求2所述的天线开关，其中通过改变接通的至少一部分FET的电阻值进一步调整所述衰减量。4.按照权利要求2所述的天线开关，其中第一和第二开关中的每一个具有第二FET系列，所述第一开关的所述第二FET系列包括串联耦合在第一端子与接地点之间的多个FET，所述第二开关的所述第二FET系列包括串联耦合在第二端子与接地点之间的多个FET，并且其中接通作为处于所述第一状态的所述第一或第二开关的所述第二FET系列的至少一部分的FET，以便分流所述高频信号，并按照第二FET系列中接通的FET的数目进一步调整所述衰减量。5.按照权利要求3所述的天线开关，其中第一和第二开关中的每一个具有第二FET系列，所述第一开关的所述第二FET系列包括串联耦合在第一端子与接地点之间的多个FET，所述第二开关的所述第二FET系列包括串联耦合在第二端子与接地点之间的多个FET，并且其中接通作为处于所述第一状态的所述第一或第二开关的所述第二FET系列的至少一部分的FET，以便分流所述高频信号，并按照第二FET系列中接通的FET的数目进一步调整所述衰减量。6.按照权利要求1所述的天线开关，其中第一开关包括串联耦合在第一...
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