【技术实现步骤摘要】
—种简单的线性电源电路
本专利技术主要涉及电源电路的设计领域，特指一种简单的线性电源电路。
技术介绍
对于模拟集成电路，其性能的好坏取决于很多因素，其中电源的好坏也是影响模拟集成电路性能的一个关键因素，特别是一些高精度模拟电路，如高精度模数转换器 (ADC)、高精度数模转换器(DAC)、仪表放大器等，这类电路通常都需要一个高质量的电源供电，通常都是采用线性电源(LDO)，LDO将一个性能不好的电源信号转换成性能相对较好的电源输出，LDO的性能通常都很好，但是占用的面积也较大，对于一些简单的模块，或者规模较小的电路模块，且对电源的性能要求又不是特别高的情况下，LDO并非是一个明智的选择。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题就在于针对现有技术存在的技术问题，提出一种简单的线性电源电路。本专利技术提出的解决方案为本电路通过有源器件的阈值电压产生电流，并采用该电流作为电路的基准电流，即用自举基准产生参考电流，用MOS管阈值电压作为参考电压，再结合负反馈原理实现了一个简单的线性电源，此电源不受系统电源VDD的影响。附图说明图1是本专利技术的电路原理示意图；具体实施方式以下将结合附图和具体实施对本专利技术做进一步详细说明。 如图1所示，PMOS管M3是栅漏短接的二极管形式连接，其源极电压即M3的阈值电压， 假设其为Vth3，该阈值电压作为PMOS管M8的栅极偏置电压，NMOS管Mltl的栅极电压始终为 M10的阈值电压，假设其为Vthici,PMOS管M4、M5的尺寸完全相同，NMOS管M9、M1(I的尺寸也完全相冋，则M9和M10的漏电流Ids相等，即Ids9=Ids...
【技术保护点】
一种简单的线性电源电路，其特征在于：电路由PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11、电阻R1、电阻R2和电阻R3组成；系统电源VDD连接到PMOS管M1、M4、M5、M6和M7的源极，地信号GND连接到PMOS管M3栅极和漏极、电阻R2一端、电阻R3的一端以及NMOS管M10的源极；电阻R1的一端连接到PMOS管M1的漏极，另一端连接到PMOS管M4、PMOS管M5和PMOS管M6的栅极以及PMOS管M2源极，PMOS管M2漏极连接到PMOS管M3的源极和PMOS管M8的栅极，PMOS管M2栅极连接到PMOS管M1的栅极、PMOS管M4漏极以及NMOS管M9的漏极；NMOS管M9的源极连接到电阻R2以及NMOS管M10的栅极，NMOS管M9栅极连接到NMOS管M10的漏极、NMOS管M11的栅极以及PMOS管M5漏极；PMOS管M6漏极连接到PMOS管M7的栅极和NMOS管M11的漏极，NMOS管M11的源极连接到PMOS管M8的漏极和电阻R3的一端...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋仁杰，
申请(专利权)人：长沙景嘉微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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