【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光触媒材料，尤其涉及一种双掺杂的光触媒材料。
技术介绍
光催化一般是指一化学反应发生是源自于光照射在触媒上，使触媒处于激发态，促使与触媒接触的化学分子(或物质)产生变化的过程，而此处所使用的触媒称为光触媒。锐钛型(Anatase) 二氧化钛已知为有效的光触媒材料，二氧化钛经紫外光照射后，可显现更强的氧化能力，其最高氧化电位2. 8eV，可从氧(O2)产生超氧离子(02_)，可从氢氧离子(0H_)产生氢氧根自由基(·0Η)。然而，使用如此的光触媒材料时，活性化光触媒材料的光线需为紫外光，才能激发将光触媒材料激发至导电带。实际应用时，紫外线光源不易取得且昂贵，又耗能。作为光触媒的半导体材料的能带阶(band gap)需位于太阳光能量 范围内，如此材料内的价电子在光的照射下，可被激发至导电带，藉此同时产生还原与氧化能力。因此在光触媒材料的应用，期望只要使用可见光源即可活化光触媒材料。因此，为了加强在可见光范围的光触媒效果，在二氧化钛中掺杂各种物质的研究，已有回顾报告发表(参考 Adriana Zaleska, “Doped TiO2 A Review...
【技术保护点】
一种双掺杂的光触媒材料，其是由光触媒先驱物、金属掺杂物及非金属掺杂物的混合物通过电浆辅助化学沉积法所形成的薄膜，其中，所述金属掺杂物及所述非金属掺杂物均匀分布于所述光触媒先驱物所转换的光触媒材料中，且所述薄膜形成于一物体上，且保留所述物体的原形地覆盖所述物体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡振宇，庄赋祥，张淑美，陈肇和，朱维屏，王镜竣，
申请(专利权)人：大汉光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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