辐射抑制装置制造方法及图纸

技术编号:8474149 阅读:148 留言:0更新日期:2013-03-24 18:56
本实用新型专利技术涉及一种辐射抑制装置,包括:硬盘和由吸波材料制成的辐射吸收块,辐射吸收块在第一平面上的垂直投影位于第一指定位置上,辐射吸收块用于吸收硬盘的向外辐射,第一平面为硬盘的连接器所在平面,第一指定位置为第一平面上除连接器所在位置外的其他位置,本实用新型专利技术通过将辐射吸收块放置在硬盘的指定位置上,以使辐射吸收块吸收硬盘辐射的能量,从而减少硬盘的向外辐射。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及辐射抑制技术,尤其涉及一种辐射抑制装置
技术介绍
电磁兼容性(Electro Magnetic Compatibility,EMC)认证包括两个方面的要求一方面是指设备在正常运行过程中对所在环境产生的电磁干扰不能超过一定的限值,另一方面是指设备对所在环境中存在的电磁干扰具有一定程度的抗扰度。目前EMC认证的辐射发射(Radiated Emission, RE)测试频段为30MHZ-6GHZ,最高可达40GHZ。测试频率越高,设备的屏蔽难度越大,使设备在高频段的EMC设计越困难。硬盘为存储设备中的重要部件,存储设备在出厂前需要进行EMC测试,由于硬盘自身的共模噪声很大,会驱动硬盘的连接器辐射,导致存储设备的辐射超标,EMC认证失败。现有技术中,主要是通过改进存储设备的结构来加强存储设备的屏蔽结构,屏蔽硬盘的辐射,减少硬盘的向外辐射。但在高频情况下,屏蔽结构的屏蔽效果有限,当为了满足散热要求,在存储设备的机箱上开通风孔时,屏蔽结构的屏蔽效果更差,硬盘的向外辐射更高。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种辐射抑制装置,用于解决硬盘的向外辐射过高的问题。本技术的一方面提供一种辐射抑制装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种辐射抑制装置,其特征在于,包括:硬盘和由吸波材料制成的辐射吸收块;所述辐射吸收块在所述第一平面上的垂直投影位于第一指定位置上,所述辐射吸收块用于吸收所述硬盘的向外辐射,所述第一平面为所述硬盘的连接器所在平面,所述第一指定位置为所述第一平面上除所述连接器所在位置外的其他位置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:周明李静章光华
申请(专利权)人:华为技术有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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