辐射抑制装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种辐射抑制装置，包括：硬盘和由吸波材料制成的辐射吸收块，辐射吸收块在第一平面上的垂直投影位于第一指定位置上，辐射吸收块用于吸收硬盘的向外辐射，第一平面为硬盘的连接器所在平面，第一指定位置为第一平面上除连接器所在位置外的其他位置，本实用新型专利技术通过将辐射吸收块放置在硬盘的指定位置上，以使辐射吸收块吸收硬盘辐射的能量，从而减少硬盘的向外辐射。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及辐射抑制技术，尤其涉及一种辐射抑制装置。
技术介绍
电磁兼容性(Electro Magnetic Compatibility,EMC)认证包括两个方面的要求一方面是指设备在正常运行过程中对所在环境产生的电磁干扰不能超过一定的限值，另一方面是指设备对所在环境中存在的电磁干扰具有一定程度的抗扰度。目前EMC认证的辐射发射(Radiated Emission, RE)测试频段为30MHZ-6GHZ，最高可达40GHZ。测试频率越高，设备的屏蔽难度越大，使设备在高频段的EMC设计越困难。硬盘为存储设备中的重要部件，存储设备在出厂前需要进行EMC测试，由于硬盘自身的共模噪声很大，会驱动硬盘的连接器辐射，导致存储设备的辐射超标，EMC认证失败。现有技术中，主要是通过改进存储设备的结构来加强存储设备的屏蔽结构，屏蔽硬盘的辐射，减少硬盘的向外辐射。但在高频情况下，屏蔽结构的屏蔽效果有限，当为了满足散热要求，在存储设备的机箱上开通风孔时，屏蔽结构的屏蔽效果更差，硬盘的向外辐射更高。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种辐射抑制装置，用于解决硬盘的向外辐射过高的问题。本技术的一方面提供一种辐射抑制装置，包括硬盘和由吸波材料制成的辐射吸收块；所述辐射吸收块在所述第一平面上的垂直投影位于第一指定位置上，所述辐射吸收块用于吸收所述硬盘的向外辐射，所述第一平面为所述硬盘的连接器所在平面，所述第一指定位置为所述第一平面上除所述连接器所在位置外的其他位置。如上所述的辐射抑制装置，所述辐射吸收块在所述第一平面上的垂直投影位于第一指定位置上，具体为所述辐射吸收块固定贴在所述第一指定位置上。如上所述的辐射抑制装置，所述辐射吸收块在所述第一平面上的垂直投影位于第一指定位置上，具体为所述辐射吸收块固定贴在第二平面的第二指定位置上，所述第二平面为背板的面向所述第一平面的平面，所述第二指定位置为所述第二平面上与所述第一指定位置相对应的位置，所述背板为安装所述硬盘的机箱的背板。如上所述的辐射抑制装置，所述辐射吸收块在所述第一平面上的垂直投影位于第一指定位置上，具体为所述辐射吸收块固定贴在第三平面的第三指定位置上，所述第三平面为支架的面向所述第一平面的平面，所述第三指定位置为所述第三平面上与所述第一指定位置相对应的位置，所述支架位于所述硬盘与所述背板之间，固定在所述背板上。如上所述的辐射抑制装置，所述硬盘和所述辐射吸收块分别为多个，每个所述硬盘对应一个所述辐射吸收块。如上所述的辐射抑制装置，所述辐射吸收块的厚度为1_-5_。如上所述的辐射抑制装置，所述第一指定位置为长方形，所述第一指定位置的长度与所述硬盘的宽度相等。如上所述的辐射抑制装置，所述第一指定位置的宽度的值为所述硬盘的厚度与所述连接器的宽度的差值。如上所述的辐射抑制装置，所述第一平面上设置有第一通风孔，则所述辐射吸收块的与所述第一通风孔对应的位置上设有第二通风孔。如上所述的辐射抑制装置，所述第一通风孔和所述第二通风孔分别为多个，每个所述第一通风孔对应一个所述第二通风孔，所述第一通风孔与所述第二通风孔的形状和大小相同。本技术通过将辐射吸收块放置在硬盘的指定位置上，以使辐射吸收块吸收硬盘辐射的能量，从而减少硬盘的向外辐射。附图说明图Ia为本技术辐射抑制装置一个实施例的结构示意图；图Ib为本技术辐射抑制装置一个实施例的俯视图；图Ic为本技术辐射抑制装置一个实施例的左视图；图Id为本技术辐射抑制装置一个实施例的正视图；图2a为本技术辐射抑制装置辐射吸收块厚度的俯视图；图2b为本技术辐射抑制装置辐射吸收块厚度和宽度的左视图；图3为本技术辐射抑制装置辐射吸收块带第二通风孔的正视图；图4a为本技术辐射抑制装置又一个实施例的俯视图；图4b为本技术辐射抑制装置又一个实施例的左视图；图5a为本技术辐射抑制装置另一个实施例的俯视图；图5b为本技术辐射抑制装置另一个实施例的左视图；图6为本技术辐射抑制装置又一个实施例的正视图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术提供的辐射抑制装置一个实施例，辐射抑制装置可以包括硬盘和由吸波材料制成的辐射吸收块；辐射吸收块在第一平面上的垂直投影位于第一指定位置上，辐射吸收块用于吸收硬盘的向外辐射，第一平面为硬盘的连接器所在平面，第一指定位置为第一平面上除连接器所在位置外的其他位置。其中，辐射吸收块在第一平面上的垂直投影位于第一指定位置上，具体为辐射吸收块固定贴在第一指定位置上。图la、图lb、图Ic和图Id分别为本技术辐射抑制装置一个实施例的结构示意图、俯视图、左视图和正视图，如图la、图lb、图Ic和图Id所不,福射抑制装直可以包括硬盘11和辐射吸收块12，辐射吸收块12固定贴在硬盘11的连接器15所在平面的第一指定位置上，第一指定位置为图Id中连接器15上方的位置。硬盘11还包括连接器15，硬盘11可以为机械硬盘或者固态硬盘(Solid StateDisk, SSD)。辐射抑制装置可以设置在计算机或者服务器的机箱中。进一步地，第一指定位置可为长方形，第一指定位置的长度与硬盘11的宽度相等，第一指定位置的宽度的值为硬盘11的厚度与连接器15的宽度的差值。第一指定位置上固定贴的辐射吸收块12的长度可以等于或者小于硬盘11的宽度，辐射吸收块12的宽度可以等于或者小于第一指定位置的宽度，辐射吸收块12的厚度可以为1_-5_，如图2a和图2b所示，优选的，辐射吸收块12的长度等于硬盘11的宽度，辐射吸收块12的宽度等于第一指定位置的宽度，福射吸收块12的厚度为5_。更进一步地，第一平面上设置有第一通风孔，则辐射吸收块12的与第一通风孔对应的位置上设有第二通风孔，第一通风孔和第二通风孔可以分别为多个，每个第一通风孔对应一个第二通风孔，第一通风孔与第二通风孔的形状和大小相同，如图3所示。第二通风孔也可以与第一通风孔的形状和大小不同，数目也可以不同，有多个第二通风孔在连接器15所在的第一平面上的垂直投影与多个第一通风孔有交叠区域，能够满足散热要求即可。本技术实施例提供的辐射抑制装置通过将由吸波材料制成的辐射吸收块贴在硬盘的连接器所在的平面上，利用辐射吸收块吸收硬盘的向外辐射能量，从而降低硬盘的向外辐射，使硬盘或者包含硬盘的设备顺利通过测试认证。图4a和图4b分别为本技术辐射抑制装置又一个实施例的俯视图和左视图，如图4a和图4b所示，与图Ia所示实施例的区别为辐射吸收块12在第一平面上的垂直投影位于第一指定位置上，具体为辐射吸收块12固定贴在第二平面的第二指定位置上，第二平面为背板13的面向第一平面的平面，第二指定位置为第二平面上与第一指定位置相对应的位置，背板13为安装硬盘11的机箱的背板。其中，辐射吸收块12在第一平面上的垂直投影的长度可以等于或者小于硬盘11的宽度，辐射吸收块12在第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种辐射抑制装置，其特征在于，包括：硬盘和由吸波材料制成的辐射吸收块；所述辐射吸收块在所述第一平面上的垂直投影位于第一指定位置上，所述辐射吸收块用于吸收所述硬盘的向外辐射，所述第一平面为所述硬盘的连接器所在平面，所述第一指定位置为所述第一平面上除所述连接器所在位置外的其他位置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明，李静，章光华，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：