一种中、高压大功率IGBT的低成本短路检测电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种中、高压大功率IGBT的低成本短路检测电路，其特征在于，PNP三极管Q17控制60Vdc通过电阻R33给电容C22充电，实现对Vcesat的检测；通过二极管D22设定短路保护阀值Vs，通过更改稳压管D22的稳压值即可使之适应不同电压、功率等级的IGBT；通过电阻R33对电容C22充电至短路保护阀值来设定延迟时间，调整电阻R33、电容C22即可调整短路持续时间；本实用新型专利技术具有器件少、成本低、可靠性高、短路检测动作阀值方便可调、延迟时间方便可调等优点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种中、高压大功率IGBT的低成本短路检测电路
本技术属于电路保护领域，特别是涉及一种变频器短路检测电路。
技术介绍
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT (双极型三极管)和MOS (绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。在变频器中，IGBT是非常关键的器件，必须对其做全方位的保护。而IGBT的短路保护更是重中之重。变频器短路发生时，通常都伴随着严重设备故障、误操作，极可能造成设备损坏或者人身伤亡事故。而IGBT的短路保护正是避免这种后果的最好方法之一。随着3300V以上大容量的IGBT的普及，IGBT在中高压的变频器上应用越来越多。 传统上采用的IGBT短路检测方法一般采用的是检测IGBT的饱和导通压降Vcesat的方法。 但是由于高压IGBT本身的特性，Vcesat受IGBT栅极电压Vge、IGBT导通电流1C、温度以及IGBT导通、关断时间的影响，变化较大。传统的短路检测方法存在着诸如检测阀值不易更改、易误报本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中、高压大功率IGBT的低成本短路检测电路，包括IGBT?driver极、IGBT?C极、IGBT?G极、IGBT?fault极、稳压二极管D22、电阻R33、电容C22、NPN三极管Q18、PNP三极管Q17、直流稳压60Vdc、三极管Q11、二极管D1、二极管D2、二极管D20、二极管D19、二极管D25、电阻R45、电阻R20、电容C30，其特征在于，PNP三极管Q17控制60Vdc通过电阻R33给电容C22充电，实现对Vcesat的检测；通过二极管D22设定短路保护阀值Vs，为适应高压IGBT，此阀值设为40V～55V；通过更改稳压管D22的稳压值即可使之适应不同电压、功率等级的I...

【技术特征摘要】
1.ー种中、高压大功率IGBT的低成本短路检测电路，包括IGBT-driver极、IGBT-C极、IGBT-G极、IGBT-fault极、稳压ニ极管D22、电阻R33、电容C22、NPN三极管Q18、PNP三极管Q17、直流稳压60Vdc、三极管Q11、ニ极管D1、ニ极管D2、ニ极管D20、ニ极管D19、ニ极管D25、电阻R45、电阻R20、电容C30，其特征在于，PNP三极管Q17控制60Vdc通过电阻R33给电容C22充电，实现对Vcesat的检测；通过ニ极管D22设定短路保护阀值Vs，为适应高压IGBT，此阀值设为40V 55V ;通过更改稳压管D22的稳压值即可使之适应不同电压、功率等级的IGBT ;通过电阻R33对电容C22充电至短路保护阀值来设定延迟时间，调整电阻R33、电容C22即可调整短路持续时间。2.如权利要求I所述的中、高压大功率IGBT的低成本短路检测电路，其特征在干，当IGBT-driver为高电平吋，NPN三极管Q18导通，为PNP三极管Q17提供导通条件，直流稳压60Vdc通过电阻R33对电容C22充电；如果此时IGBT没有发生短路，集电极与发射极的导通压降Vce很快会降低至饱和导通压降Vcesat，而电容C22上的电压通过ニ极管D20、D19被钳位在Vcesat电压，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王少伯，李瑞英，
申请(专利权)人：北京合康亿盛变频科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：