非接触磁感应式颅内压监测装置制造方法及图纸

技术编号:8444259 阅读:343 留言:0更新日期:2013-03-20 18:06
本发明专利技术涉及一种非接触磁感应颅内压监测装置,包括用于生成激励信号和参考信号的激励源;以及一个环绕在被测头颅周围的磁感应检测装置,该磁感应检测装置连接于所述激励源输出端,根据激励源提供的激励信号产生交变的激励磁场信号,激励磁场信号穿过整个被测头颅,激励磁场信号和二次磁场信号叠加在一起形成一个相对于参考信号发生相位改变的叠加磁场信号;以及鉴相器,鉴相器对所述参考信号和叠加磁场信号的相位差进行检测,该相位差用于反映颅内容物对颅腔壁产生的压力变化。本发明专利技术可克服脑早期病变引起ICP升高时,有脑脊液和脑血流动力学的调节作用,使ICP升高不大,导致直接ICP监测无法敏感地反映早期病变的改变的缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于生物医学医疗设备
,具体涉及神经内外科非接触磁感应颅内压监测装置。
技术介绍
各类颅脑外伤、脑肿瘤、脑卒中、脑梗死、脑缺血、脑炎症、癫痫、脑血肿以及高原脑水肿等神经内外科常见疾病,多数病例发病时来势凶猛、病情危重,死亡率高。这些疾病大多伴随卢页内压(intracranial pressure, ICP)的增高,它是导致病人病情恶化、预后不良、二次脑损伤和死亡的最常见原因之一。准确、迅速、客观和便捷的ICP监护是观察患者病情变化、进行早期诊断、确定治疗方案、指导临床药物治疗、判断和改善预后的重要手段。ICP是指卢页内容物对卢页腔壁产生的压力,以脑脊液(cerebrospinal fluid, CSF)压力为代表。现有各种ICP监测方法是以被测生理参数与ICP变化的相关性为基础,存在各种不同的局限性。有创ICP监测方法,例如脑室内、脑实质内、硬膜外或硬脑膜下、蛛网膜下腔、腰椎穿刺法、神经内镜、有创脑电阻抗监护等,存在对人体有损伤、病人痛苦大、容易引起感染等问题;CT和MRI影像学方法,存在检查价格较贵、无法实施床旁和急救现场监护等问题。无创ICP监测方法,包括基于超本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非接触磁感应颅内压监测装置,其特征在于,包括用于生成激励信号和参考信号的激励源;以及一个环绕在被测头颅周围的磁感应检测装置,该磁感应检测装置连接于所述激励源输出端,磁感应检测装置根据激励源提供的激励信号产生交变的激励磁场信号,激励磁场信号穿过整个被测头颅,在被测头颅内产生涡流,该涡流又产生一个二次磁场信号,激励磁场信号和二次磁场信号叠加在一起形成一个相对于参考信号发生相位改变的叠加磁场信号;以及鉴相器,该鉴相器的输入端分别与所述激励源的输出端以及所述磁感应检测装置的输出端连接,鉴相器对所述参考信号和叠加磁场信号的相位差进行检测,该相位差用于反映颅内容物对颅腔壁产生的压力变化。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:秦明新金贵孙建郭万有席安安徐林宁旭许佳
申请(专利权)人:中国人民解放军第三军医大学生物医学工程与医学影像学院
类型:发明
国别省市:

相关技术
    暂无相关专利
网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1