一种氮化镓发光二极管结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种氮化镓发光二极管结构，由衬底、第一型掺染半导体层、第一电极、发光层、电子阻挡层、电子阻挡披覆层、第二型掺染半导层以及第二电极所组成，第一型掺染半导层由氮化镓组成，发光层由氮化铟镓组成，电子阻挡层由氮化铝镓组成，电子阻挡披覆层由本征氮化镓组成，其成长厚度为5nm～80nm,第二型掺染半导层由氮化镓组成，第一型掺染半导体层、发光层、电子阻挡层、电子阻挡披覆层、第二型掺染半导层以及第二电极为依次堆栈于衬底之上，发光层覆盖部份第一型掺染半导层，第一电极置于未被发光层所覆盖的第一型掺染半导层之上。本实用新型专利技术可以增加电子阻挡披覆层来加强电子阻挡层的位障效应及提高LED元器件ESD能力。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种氮化镓发光二极管结构。
技术介绍
由于LED与其他现有光源做比较，LED具有绝对的优势，例如体积小、寿命长、不含水银(没有污染问题)、发光效率佳(省电)等特性，又被称为新一代的绿色光源。目前用于LED的生长材料，以含氮的III-V族化合物宽频带能隙材料为主，其发光波长可以从紫外光到红光，几乎涵盖整个可见光的波段范围，因此，利用含氮的III-V族化合物半导体，如氮化镓、氮化铝镓、氮化铟镓等的LED元器件已被广泛地应用在各种光源领域中。如图I所示，为目前公知LED结构的侧面剖析图，LED结构100主要由衬底110、第一型掺染半导体层120、第一电极121、发光层130、电子阻挡层140、第二型掺染半导层150以及第二电极151所组成。其中，第一型掺染半导层120由氮化镓(GaN)组成，发光层130由氮化铟镓(GaInN)组成，电子阻挡层140由氮化铝镓(Gal-χΑΙχΝ，0〈χ〈1)组成，第二型掺染半导层150由氮化镓(GaN)组成，第一型掺染半导体层120、发光层130、电子阻挡层140、第二型掺染半导层150和第二电极151为依次堆栈于衬底110之上,发光层130覆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓发光二极管结构，其特征在于：由衬底、第一型掺染半导体层、第一电极、发光层、电子阻挡层、电子阻挡披覆层、第二型掺染半导层以及第二电极所组成，第一型掺染半导层由氮化镓组成，发光层由氮化铟镓组成，电子阻挡层由氮化铝镓组成，电子阻挡披覆层由本征氮化镓组成，其成长厚度为5nm～80nm,第二型掺染半导层由氮化镓组成，第一型掺染半导体层、发光层、电子阻挡层、电子阻挡披覆层、第二型掺染半导层以及第二电极为依次堆栈于衬底之上，发光层覆盖部份第一型掺染半导层，第一电极置于未被发光层所覆盖的第一型掺染半导层之上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：廖家明，
申请(专利权)人：福建省中达光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：