微小物体的配置方法、排列装置、照明装置以及显示装置制造方法及图纸

该微小物体的配置方法是，在基板准备工序中，准备由第一电极（111）和第二电极（112）对置的部位规定有配置微小物体（120）的位置的基板（110），在流体导入工序中，将流体（121）导入到基板（110）上。流体（121）包含多个微小物体（120）。微小物体（120）是拥有由电介质制造的表侧层（130）和由半导体制造的背侧层（131）作为取向构造的二极管元件。而且，在微小物体配置工序，通过在第一电极（111）与第二电极（112）之间施加交流电压，从而利用感应电泳将微小物体（120）配置成在由第一电极（111）与第二电极（112）对置的部位（A）预先确定的位置而且将表侧层（130）配置成朝上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及将微小物体排列于基板上的配置方法、以及利用该配置方法的排列装置、使用上述配置方法而形成的照明装置、显示装置。
技术介绍
以往，将微小物体配置于基板上的预先确定的位置的方法公开于专利文献I (美国专利第6536106号说明书)中。在该专利文献I中，如图58所示那样，在构图有左侧电极9950以及右侧电极9953的基板9970上，导入包含纳米线9925的绝缘性的介质(液体)，在左侧电极9950与右侧电极9953之间施加电压。通过使由该电压产生的电场作用于纳米线9925，从而会产生所谓的 感应电泳效应以使2个电极的指状部分9955架桥的方式配置有纳米线9925。这样，能将作为微小物体的纳米线9925配置于基板9970上的预先确定的位置。然而，虽然在上述现有技术中，能控制微小物体的位置，但无法对其方向进行控制。具体地说，虽然在图58中棒状的纳米线9925未示出其内部的构造，而是作为一样的构造描绘的，但在将纳米线9925的2端分别区别为第一端部以及第二端部的情况下，例如第一端部在图58中在上还是在下是由单纯偶然决定的，无法对其进行控制。现有技术文献 专利文献 专利文献I :美国专利第6536106号说明书。
技术实现思路
专利技术要解决的课题 因此，本专利技术的课题在于，提供一种能控制微小物体的位置以及方向地将其配置在基板上的微小物体的配置方法。用于解决课题的方案 为了解决上述课题，本专利技术的微小物体的配置方法其特征在于，具备基板准备工序，准备规定有配置微小物体的位置的基板；流体导入工序，将包含上述微小物体的流体导入到上述基板上；以及微小物体配置工序，利用电磁力将导入到上述基板上的流体中包含的上述微小物体，配置成在上述基板上预先确定的位置而且为预先确定的朝向，上述微小物体具有物理性质或形状的至少一方互不相同的多个部分，进而，上述微小物体与上述基板中的至少上述微小物体具有如下的取向构造，即，该取向构造用于将由上述物理性质或形状的至少一方互不相同的多个部分相对于上述基板的配置所规定的上述微小物体的朝向，配置成在上述基板上预先确定的朝向。根据本专利技术，能实现在以往的使用感应电泳的手法中不可能的、将微小物体在基板上的预先确定的位置配置为预先确定的朝向。此外，本专利技术的配置方法与用机械手(manipulator)等抓住而设置于基板上的以往的一般方法相比，无需机械手和微小物体和基板的高度的对位，能以低成本容易排列。此外，一个实施方式中，在上述基板准备工序中，准备预先形成有第一电极和第二电极的基板，在上述微小物体配置工序中，通过在形成于上述基板的上述第一电极与第二电极之间施加电压，从而将上述微小物体配置成在由上述第一电极与第二电极对置的部位预先确定的位置而且为预先确定的朝向。根据该实施方式，通过对在上述基板预先形成为所希望图案的第一以及第二电极施加电压，从而能将上述微小物体配置成在由上述第一电极和第二电极对置的部位预先确定的位置而且为预先确定的朝向。此外，在该实施方式中，能利用上述第一电极以及第二电极，自由规定在基板上排 列微小物体的区域。此外，利用上述构成在基板上配置微小物体的方法，即使在排列的微小物体的个数多的情况下，仅通过设置许多上述第一电极以及第二电极对置的部位即可，配置工序所需的时间和成本几乎不变。进而，通过对电压进行调整，从而能使对基板和微小物体作用的力自由变化，非常适合提高配置的成品率。此外，在一个实施方式中，其特征在于，上述基板是透明基板，在上述透明基板的一个面形成有半导体膜，在上述基板准备工序中，通过使入射区域被设定成某种图案的光入射到上述透明基板的另一个面，在上述光入射期间，使上述光入射的部分的上述半导体膜有选择地低电阻化，从而将上述有选择地低电阻化后的上述半导体膜作为上述第一电极和第二电极形成于上述基板，在上述微小物体配置工序中，通过在形成于上述基板的上述第一电极与第二电极之间施加电压，从而将上述微小物体配置成在由上述第一电极与第二电极对置的部位预先确定的位置而且为预先确定的朝向。根据该实施方式，无需对基板预先构图电极，只要在透明的基板上堆积上述半导体膜即可。因此，能省略用于将电极构图于基板的光刻工序以及蚀刻工序使工序简化。此外，在一个实施方式中，上述微小物体具备进行了磁化的强磁性体，上述基板具有磁场产生部，上述强磁性体构成上述微小物体的取向构造并且上述磁场产生部构成上述基板的取向构造，在上述微小物体配置工序中，利用上述磁场产生部所产生的磁场，将上述微小物体配置成在由上述磁场产生部产生磁场的部位规定的预先确定的位置而且为预先确定的朝向。根据该实施方式，能利用上述基板所具有的磁场产生部所产生的磁场，将上述微小物体配置成在由上述磁场产生部产生磁场的部位规定的上述基板上的预先确定的位置而且为预先确定的朝向。此外，在一个实施方式中，上述微小物体具有介电常数互不相同的表侧的部分和背侧的部分，上述表侧的部分和背侧的部分构成上述取向构造。根据该实施方式，能在上述基板上控制上述微小物体的位置以及朝向(背表)地进行配置。根据这样的构成，能在不使基板及其他部件拥有取向构造的情况下，以高成品率简易地在基板上将微小物体在预先确定的位置以预先确定的朝向进行配置。此外，在一个实施方式中，上述微小物体的上述表侧的部分和背侧的部分中，一方的部分的材质为金属，另一方的部分的材质为半导体。根据该实施方式，能使上述微小物体的表侧的部分与背侧的部分的介电常数之差有效变大，能以高概率将上述微小物体配置为预先确定的朝向。此外，在一个实施方式中，上述微小物体的上述表侧的部分和背侧的部分中，一方的部分的材质为半导体，另一方的部分的材质为电介质。根据该实施方式，能使上述微小物体的表侧的部分与背侧的部分的介电常数之差有效变大，能高概率地将上述微小物体配置为预先确定的朝向。进而，上述表面的部分与背面的部分的材质的一方为半导体，因此，能在上述微小物体形成各种种类的半导体器件，能附加多样的功能。此外，在一个实施方式中，上述微小物体具有与上述预先确定的位置处的上述第一电极和第二电极分别对应的、互不相同尺寸的2个部分，上述基板中，在上述第一电极和第二电极对置的部位上述第一电极的对置部分与上述第二电极的对置部分对置，并且，上述第一电极的对置部分的宽度尺寸与上述第二电极的对置部分的宽度尺寸不同，上述微小物体的上述互不相同尺寸的2个部分构成上述微小物体的取向构造，相互宽度尺寸不同的上述第一电极的对置部分和上述第二电极的对置部分构成上述基板的取向构造。根据该实施方式，通过上述微小物体所拥有的取向构造和上述基板所拥有的取向 构造的组合，能有效控制将上述微小物体配置于上述基板上时的朝向，能成品率良好地以预先确定的朝向将上述微小物体配置于上述基板上的预先确定的位置。此外，在一个实施方式中，上述微小物体具有介电常数互不相同的表侧的部分和背侧的部分，而且，具有与上述预先确定的位置处的上述第一电极和第二电极分别对应的、互不相同尺寸的2个部分，上述基板中，在上述第一电极和第二电极对置的部位上述第一电极的对置部分与上述第二电极的对置部分对置，并且，上述第一电极的对置部分的宽度尺寸与上述第二电极的对置部分的宽度尺寸不同，上述微小物体的上述介电常数互不相同的表侧的部分、背侧的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.14 JP 2010-1596221.一种微小物体的配置方法，其特征在于，具备 基板准备工序，准备规定有配置微小物体(120、220、320、420、520、620、1420)的位置(A、B、C、D、E、F、G)的基板(110、210、310、410、510、610、1410)； 流体导入工序，将包含上述微小物体(120、220、320、420、520、620、1420)的流体(121、221、321、421、521、621、1420)导入到上述基板(110、210、310、410、510、610、1410)上；以及 微小物体配置工序，利用电磁力将导入到上述基板(110、210、310、410、510、610、1410)上的流体中包含的上述微小物体(120、220、320、420、520、620、1420)，配置成在上述基板(110、210、310、410、510、610、1410)上预先确定的位置而且为预先确定的朝向， 上述微小物体(120、220、320、420、520、620、1420)具有物理性质或形状的至少一方互不相同的多个部分(130、131、2208-1、22( -2、244、249、342、345、444、445、542、545、1444、1445)， 进而，上述微小物体(120、220、320、420、520、620、1420)和上述基板(110、210、310、410、510、610、1410)中的至少上述微小物体(120、220、320、420、520、620、1420)具有如下的取向构造(130、131、211A、212A、220B-1、220B-2、244、249、345、448、515、516、545、1411A、1412A、1448)，S卩，该取向构造用于将由上述物理性质或形状的至少一方互不相同的多个部分(130、131、220B-1、220B-2、244、249、342、345、444、445、542、545、1444、1445)相对于上述基板(110、210、310、410、510、610、1410)的配置所规定的上述微小物体(120、220、320、420、520、620、1420)的朝向，配置成在上述基板(110、210、310、410、510、610、1410)上预先确定的朝向。2.根据权利要求I所述的微小物体的配置方法，其特征在于， 在上述基板准备工序中，准备预先形成有第一电极(111、211)和第二电极(112、212)的基板(110、210)， 在上述微小物体配置工序中，通过在形成于上述基板(110、210)的上述第一电极(111、211)与第二电极(112、212)之间施加电压，从而将上述微小物体(120、220)配置成在由上述第一电极(111、211)与第二电极(112、212)对置的部位(A、B)预先确定的位置而且为预先确定的朝向。3.根据权利要求I所述的微小物体的配置方法，其特征在于， 上述基板是透明基板(610)，在上述透明基板(610)的一个面形成有半导体膜(619)， 在上述基板准备工序中， 通过使入射区域被设定成某种图案的光入射到上述透明基板(610)的另一个面，在上述光入射期间，使上述光入射的部分的上述半导体膜(619)有选择地低电阻化，从而将上述有选择地低电阻化后的上述半导体膜(619)作为第一电极(611)和第二电极(612)形成于上述基板， 在上述微小物体配置工序中，通过在形成于上述基板(610)的上述第一电极(611)与第二电极(612 )之间施加电压,从而将上述微小物体(620 )配置成在由上述第一电极(611)与第二电极(612)对置的部位(F)预先确定的位置而且为预先确定的朝向。4.根据权利要求I所述的微小物体的配置方法，其特征在于， 上述微小物体(520)具有进行了磁化的强磁性体(545)， 上述基板(510)具有磁场产生部(516)，上述强磁性体(545)构成上述微小物体(520)的取向构造并且上述磁场产生部(516)构成上述基板的取向构造， 在上述微小物体配置工序中，利用上述磁场产生部(516)所产生的磁场，将上述微小物体(520)配置成在由上述磁场产生部(516)产生磁场的部位规定的预先确定的位置而且为预先确定的朝向。5.根据权利要求I至3的任一项所述的微小物体的配置方法，其特征在于， 上述微小物体(120、220B)具有介电常数互不相同的表侧的部分(130、244)和背侧的部分(131、249)， 上述表侧的部分(130、244 )和背侧的部分(131、249 )构成上述取向构造。6.根据权利要求5所述的微小物体的配置方法，其特征在于，上述微小物体(120、220B)的上述表侧的部分(130,244)和背侧的部分(131、249)中，一方的部分(131、249)的材质为金属，另一方的部分(130,244)的材质为半导体。7.根据权利要求5所述的微小物体的配置方法，其特征在于，上述微小物体(120、220B)的上述表侧的部分(130,2...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴田晃秀，根岸哲，小宫健治，矢追善史，盐见竹史，岩田浩，高桥明，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：
国别省市：