太阳能薄膜电池制造方法及其缓冲层修复方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能薄膜电池的制造方法及其缓冲层修复方法，所述太阳能薄膜电池缓冲层修复方法包括步骤：步骤1：通过物理方法和/或化学方法移除检验出现异常的所述缓冲层；步骤2：再次形成所述缓冲层。本发明专利技术的缓冲层修复方法，避免了缓冲层成膜异常时只能将太阳能电池基板废弃所带来的物料和人工的浪费。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池制造工艺，尤其与一种缓冲层修复方法及一种太阳能薄膜电池的制造方法有关。
技术介绍
太阳能是一种绿色清洁的可再生能源，如何更好的利用太阳能是一个重要的课题。太阳能电池是利用太阳能的一种重要载体。太阳能薄膜电池(Thin film solar cell),主要包括铜铟镓硒太阳能电池(CuInxGa (1-x) Se2，简称CIGS)、碲化镉太阳能电池(CdTe)和娃基太阳能电池(amorphous silicon solar cell)等。薄膜太阳能电池是一种重要的太阳能电池，其具有重量轻、厚度薄、可弯曲、易携带、稳定性好、抗辐射性能好、成本低及效率高等优点。 现有技术中，在制造太阳能薄膜电池时，其中的一个工序为通过化学水浴沉积法(CBD)在太阳能电池基板上形成缓冲层(Buffer layer)，在形成缓冲层的过程中，如果化学水浴沉积工艺出现异常，则会导致成膜后的太阳能电池基板的性能异常。太阳能电池基板的性能参数包括短路电流(Isc)、开路电压(Voc)、填充因子(F.F. )以及电池效率(Cell eff. )等，如果经检测不合格，现有技术中只能将整个太阳能电池基板废弃，既提高了太阳能薄膜电池的制造成本，也造成了物料和人工等的大量浪费。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种太阳能薄膜电池的缓冲层修复方法，以解决现有技术中存在的如果缓冲层成膜异常时只能将太阳能电池基板废弃所带来的物料和人工的浪费的技术问题。本专利技术的另一个目的在于提供一种太阳能薄膜电池的制造方法。为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下一种太阳能薄膜电池的缓冲层修复方法，包括步骤步骤I :通过物理方法和/或化学方法移除检验出现异常的所述缓冲层；步骤2 :再次形成所述缓冲层。本专利技术的太阳能薄膜电池的制造方法，包括步骤在太阳能电池面板上形成缓冲层，并对所述缓冲层进行检验；将检验不合格的缓冲层用本专利技术的太阳能薄膜电池的缓冲层修复方法进行修复。本专利技术的有益效果在于，本专利技术的缓冲层修复方法，在形成缓冲层后的太阳能电池基板经检测不合格时，不再直接废弃带有不合格缓冲层的太阳能电池基板，而是通过本专利技术的缓冲层修复方法，在去掉原先成膜的缓冲层后，对缓冲层进行重工，缓冲层重工后的太阳能电池基板，同样能够达到与正常流程相近的电池效率，提高了太阳能薄膜电池的成品率，降低了太阳能薄膜电池的制造成本，避免了物料和人工上的浪费。附图说明图I为本专利技术实施例的缓冲层修复方法的流程图。图2为本专利技术实施例的太阳能薄膜电池制造方法的流程图。具体实施方式 体现本专利技术特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本专利技术能够在不同的实施例上具有各种的变化，其皆不脱离本专利技术的范围，且其中的说明及所附附图在本质上是当作说明之用，而非用以限制本专利技术。本专利技术实施例的缓冲层修复方法，可以用于本专利技术实施例的太阳能薄膜电池制造方法。而本专利技术实施例的太阳能薄膜电池制造方法，则包含本专利技术实施例的缓冲层修复方法。本专利技术的太阳能薄膜电池的缓冲层修复方法中的太阳能薄膜电池，优选的为CIGS太阳能电池基板，但并不局限于此，也可为其他薄膜太阳能电池，例如硅基太阳能电池和碲化镉太阳能电池。如图I所示，本专利技术的太阳能薄膜电池的缓冲层修复方法，整体上包括两大步骤，第一个大步骤S100，是通过物理方法、化学方法或者物理方法与化学方法的结合来移除检验出现异常的太阳能电池基板的缓冲层的步骤；而第二个大步骤是在太阳能电池基板上再次形成缓冲层的步骤。下面分别介绍这两个大步骤如图I所示，其中的步骤S100，可以细化为步骤S120-步骤S180，依次介绍如下步骤120 :将欲去除缓冲层的基板浸泡于配置好的盐酸溶液中，盐酸的浓度为2-10%，常温。盐酸的反应温度为常温即可，但是通过加热可以使得反应更迅速。步骤140 :通过搅拌或者超声波震荡使得盐酸溶液中的化学反应加速。在浸泡过程中，对盐酸溶液进行搅拌，目的是加速盐酸溶液与缓冲层之间的化学反应，从而加快成膜异常的缓冲层的去除过程。可以使用搅拌器进行搅拌，加速反应过程，也可以使用超声波进行震荡以加速反应进程，例如在容纳盐酸溶液的容器底部设置超声波发生器来对盐酸溶液进行超声波震荡。步骤160 :经过3-10分钟的浸泡，在缓冲层全部去除后将基板从盐酸溶液中取出。对于浸泡的时间，可以根据缓冲层膜层厚度和去除情况来确定，越厚的缓冲层所需的浸泡时间相对越长。浸泡所需时间也与盐酸的浓度有关，在2-10%的浓度范围内，盐酸的浓度例如可为2%、3%、5%、8%和10%等不同取值，浓度越大，则去除反应相对越快。本领域技术人员，可以根据膜层厚度和盐酸浓度，来掌握在盐酸溶液中浸泡的时间，保证成膜异常的缓冲层能够有效去除。步骤180 :将从盐酸溶液中取出的太阳能电池基板用去离子水反复冲洗。去除反应完成后，为防止在太阳能电池基板上存在酸液残留而影响后续的成膜过程，可对太阳能电池基板做适度清洗，清洗时可以采用去离子水等清洗剂，对太阳能电池基板反复冲洗。步骤200 :用化学水浴沉积法在基板上重新形成缓冲层。上述的清洗过程完成后，即可以对太阳能电池基板进行重新成膜缓冲层的过程，重新形成缓冲层时，可以采用现有技术的形成缓冲层的各种工艺，例如化学水浴沉积法等。本专利技术实施例的缓冲层修复方法，在重新形成缓冲层后，太阳能电池基板的主要参数的对比数据如表I所示表I权利要求1.一种太阳能薄膜电池的缓冲层修复方法，用于的缓冲层修复，其特征在于，所述缓冲层修复方法包括步骤 步骤SlOO :通过物理方法和/或化学方法移除检验出现异常的所述缓冲层； 步骤S200 :再次形成所述缓冲层。2.如权利要求I所述的太阳能薄膜电池的缓冲层修复方法，其特征在于，所述化学方法为利用硫酸、硝酸、氢氧化钾或氢氧化钠溶液浸泡或喷淋所述缓冲层以通过腐蚀移除所述缓冲层。3.如权利要求I所述的太阳能薄膜电池的缓冲层修复方法，其特征在于，在步骤I中，利用盐酸浸泡或喷淋所述缓冲层以通过腐蚀移除所述缓冲层。4.如权利要求3所述的太阳能薄膜电池的缓冲层修复方法，其特征在于，所述盐酸的 浓度为2% -10%。5.如权利要求4所述的太阳能薄膜电池的缓冲层修复方法，其特征在于，浸泡和喷淋所述缓冲层的用时为3-10分钟。6.如权利要求5所述的太阳能薄膜电池的缓冲层修复方法，其特征在于，移除所述缓冲层后用去离子水多次清洗所述太阳能电池板以去除盐酸残留。7.如权利要求4所述的太阳能薄膜电池的缓冲层修复方法，其特征在于，浸泡所述缓冲层时，搅拌所述盐酸溶液以加快移除速度。8.如权利要求5所述的太阳能薄膜电池的缓冲层修复方法，其特征在于，通过超声波震荡所述盐酸溶液以加快移除速度。9.如权利要求7所述的太阳能薄膜电池的缓冲层修复方法，其特征在于，所述盐酸为常温的盐酸。10.一种太阳能薄膜电池的制造方法，其特征在于，包括步骤 在太阳能电池面板上形成缓冲层，并对所述缓冲层进行检验； 将检验不合格的缓冲层用权利要求1-9任一所述的太阳能薄膜电池的缓冲层修复方法进行修复。全文摘要本专利技术公开了一种太阳能薄膜电池的制造方法及其缓冲层修复方法，所述太阳能薄膜电池缓冲层修复方法包括步骤步骤1通过物理方法和/或化学方法移除检验出现异常的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能薄膜电池的缓冲层修复方法，用于的缓冲层修复，其特征在于，所述缓冲层修复方法包括步骤：步骤S100：通过物理方法和/或化学方法移除检验出现异常的所述缓冲层；步骤S200：再次形成所述缓冲层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林信宏，谢季桦，
申请(专利权)人：力铼光电科技扬州有限公司，
类型：发明
国别省市：