本发明专利技术提供了一种单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，包括铜扁导体和包覆在铜扁导体上的绝缘层，绝缘层包括平包在铜扁导体上的多层单面薄膜少胶云母带，平包是指每一层单面薄膜少胶云母带在铜扁导体上无重叠地绕包一层。绝缘层中的单面薄膜少胶云母带为两层或三层或四层。本发明专利技术还提供了一种单面薄膜少胶云母带平包铜扁线的制作方法，该方法通过预设定的绕包角度和绕包张力，将云母带平包在铜扁导体上，根据需要可将云母带平包两层或三层或四层。利用本发明专利技术的方法所制作的铜扁线表面平整，不需要涂敷绝缘漆和烧结处理，具有耐高压，高温，制作成本低，节能环保等优良性能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电磁线，更特别涉及一种可用于高压电机等的单面薄膜云母带平包铜扁线。
技术介绍
目前，国内外生产的各种型号规格薄膜绕包电磁线，是在无氧铜导体或低氧铜导体上采用叠包技术，包绕各种绝缘薄膜，如聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、云母带、复合薄膜等，所谓薄膜叠包工艺就是薄膜重叠绕包，其按国家规定标准叠包率不低于35%(绕包薄膜宽度的35%)。但是这种绕包工艺使得绝缘层的厚度不均匀，且制作过程中一般需要绝缘漆和烧结工艺，成本较高，且性能还需要进一步改善。
技术实现思路
为克服现有技术中的上述问题，本专利技术提供了一种，利用该种方法制作的铜扁线成本较低，且节能环保，性能可靠。本专利技术采用的技术方案是一种单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，包括铜扁导体和包覆在铜扁导体上的绝缘层，其中，绝缘层包括平包在铜扁导体上的多层单面薄膜少胶云母带，平包是指每一层单面薄膜少胶云母带在铜扁导体上无重叠地绕包一层。优选地，绝缘层中的单面薄膜少胶云母带为两层或三层或四层。更优选地，绝缘层的厚度A-a 为 O. 36 ± O. 04 mm 或 O. 54 ±0.06 mm 或 O. 72 ±0.08mmD进一步地，绝缘层的纵截面上的处于同层的相邻云母带之间存在间隙，该间隙的大小f为(TO. 6mm，在理想状态下，该间隙为零，即相邻云母带之间无重叠且刚好接触最好。更进一步地，绝缘层的纵截面上的处于相邻两层的相邻两个间隙之间的距离d为d=e/2±l mm,或d=e/3±l mm,或d=0. 4e±l mm,其中，e为云母带的宽度。本专利技术的铜扁线要求上下两层云母带的任意两个间隙不在同一位置，且相邻两个间隙f之间的距离d符合上述标准，这样才能确保铜扁线的优良性能。再进一步地，铜扁导体纵截面的宽度a为1.00 5.60 mm，长度b为3. 55 16.00mm。进一步地，铜扁线可耐受的温度可达F级以上标准，为180 220°C。本专利技术还提供了一种上述单面薄膜云母带平包铜扁线的制作方法，该方法包括根据设定的绕包角度和绕包张力，利用绕包机将单面薄膜少胶云母带平包在铜扁导体上，形成平整单层无重叠地地包覆在铜扁导体外侧的绝缘层的步骤。优选地，绝缘层包括两层或三层或四层单面薄膜少胶云母带，即利用绕包机进行平包时，分别可平包两层或三层或四层，当然也可绕包更多层，但是当绕包到四层时性能已稳定，平包更多层浪费材料。更优选地，绝缘层的纵截面上的处于同层的相邻云母带之间存在间隙，该间隙的大小f为(H). 6mm，绝缘层的纵截面上的处于相邻两层的相邻两个间隙之间的距离d为d=e/2±l mm,或 d=e/3±l mm,或 d=0. 4e±l mm,其中，e 为云母带的宽度。与现有技术相比，本专利技术具有下列优点本专利技术提供了一种采用平包技术的单面薄膜少胶云母平包铜扁线，该种铜扁线与传统的采用叠包技术制作的铜扁线具有以下优占-^ \\\ · (I)在同等绝缘强度下，采用平包工艺技术的电磁线绝缘层更薄，可缩小所制造的电机体积，可节约大量用材，减少电机制造成本，且其制作方法简便，制作成本低。 (2)由于采用平包技术，在电磁线制作过程中不涂绝缘漆，也不需要烧结，可有效地减少环境污染，包括减少废气和固定废物的排放，改善了生产环境。(3)本专利技术的采用平包技术的铜扁线的绝缘层中含有云母粉，云母具有较好的绝缘性、较低的电介质损耗和较好的抗电弧、耐电晕等优点，耐高温及耐酸碱等良好的物化性能，所以增强了本产品的防电晕性能，提高了产品的使用寿命。(4)通过采用平包技术，本专利技术所提供的铜扁线的外观更加平整、服帖，利用该种电磁线制造的电机在浸漆过程中绝缘漆更易浸透到电磁线的绝缘层内部，绝缘的整体性更佳。(5)本专利技术提供的该种铜扁线性能佳，机械性能，电性能良好。附图说明图I为本专利技术的平包铜扁线的铜扁导体的纵截面示意 图2为本专利技术的平包铜扁线的纵截面示意 图3为本专利技术的平包铜扁线的立体示意图，其中，云母带平包层为两层； 图4为本专利技术的平包铜扁线的立体示意图，其中，云母带平包层为三层； 图5为本专利技术的平包铜扁线的立体示意图，其中，云母带平包层为四层。图中1、铜扁导体；2、绝缘层。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围作出更为清除明确的界定。参阅附图，如图I-图2所示，一种单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，包括铜扁导体I和包覆在铜扁导体I上的绝缘层2，绝缘层2包括平包在铜扁导体I上的多层单面薄膜少胶云母带，平包是指每一层单面薄膜少胶云母带在铜扁导体(I)上无重叠地绕包一层。绝缘层2中的单面薄膜少胶云母带为两层或三层或四层，参阅图3至图5，这三幅图分别图示了绝缘层包括两层、三层和四层的云母带，相对应的绝缘层2的厚度A-a为O. 36±0. 04 mm或O. 54±0. 06 mm或O. 72±0. 08 _。绝缘层2的纵截面上的处于同层的相邻云母带之间存在间隙，该间隙的大小f为(TO. 6mm，这里的间隙在保证相邻云母带不重合的情况下，越小越好，绝缘层2的纵截面上的处于相邻两层的相邻两个间隙之间的距离为d，在绝缘层中的云母带分别为两层、三层或四层的情况下，d值分别为d=e/2±l mm，或d=e/3±l mm,或d=0. 4e±l mm,其中，e为云母带的宽度。本专利技术所提供的云母带能够保证铜扁线表面平整，无皱折，各云母带平包的缝隙在上述规定值内，且同一层的各个缝隙大小均匀，上、下层间缝隙的相对位置在制作过程中不发生位移，这些特征使得本专利技术的铜扁线与绕包形成的铜扁线具有更优良的性能，耐高压，最小击穿电压高。铜扁导体I纵截面的宽度a为I. OO 5. 60 mm,长度b为3. 55 16. OOmm,铜扁线可耐受的温度为180 220°C。本专利技术还提供了一种单面薄膜少胶云母带平包铜扁线的制作方法，包括根据设定的绕包角度和绕包张力，利用绕包机将单面薄膜少胶云母带平包在铜扁导体I上，形成平整且单层无重叠地包覆在铜扁导体I外侧的绝缘层2的步骤。其中，平包是指每一层单面薄膜少胶云母带在铜扁导体I上无重叠地绕包一层。绝缘层2包括两层或三层或四层单面薄膜少胶云母带，即，对铜扁导体进行多次平包即可，不同层的相邻云母带之间的间隙要错开，以保证里层的间隙被外层所覆盖，这样就不需要对云母带之间的间隙涂敷绝缘漆和烧结处理，绝缘层2的纵截面上的处于同层的相邻云母带之间存在间隙，该间隙的大小f为(TO. 6mm，绝缘层2的纵截面上的处于相邻两层的相邻两个间隙之间的距离d为d=e/2±l mm,或d=e/3±l mm，或d=0. 4e±l mm，其中， e为云母带的宽度，上述各参数的值是通过调节绕包机的绕包角度和绕包张力来达成的，本专利技术所生产的具有上述特征的电磁线具有性能均衡，耐高压，耐高温等优良特性。以上对本专利技术的特定实施例进行了说明，但本专利技术的保护内容不仅仅限定于以上实施例，在本专利技术的所属
中，只要掌握通常知识，就可以在其技术要旨范围内进行多种多样的变更。权利要求1.一种单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，包括铜扁导体(I)和包覆在所述铜扁导体(1)上的绝缘层(2)，其特征在于所述绝缘层(2)包括平包在所述铜扁导体(I)上的多层单面薄本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种单面薄膜少胶云母带平包铜扁线，包括铜扁导体（1）和包覆在所述铜扁导体（1）上的绝缘层（2），其特征在于：所述绝缘层（2）包括平包在所述铜扁导体（1）上的多层单面薄膜少胶云母带，平包是指每一层单面薄膜少胶云母带在铜扁导体（1）上无重叠地绕包一层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑一帆，
申请(专利权)人：苏州贯龙电磁线股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。