冶炼硅钙镁的方法及其所制造出的硅钙镁产品技术

本发明专利技术涉及一种冶炼硅钙镁的方法及其所生产出的硅钙镁，该方法包括将20-30份的结晶硅、5-16份的碳酸钙、2-8份的氧化镁和1-3份的碳混合均匀；将电弧炉预热至400℃后，把混合在一起的结晶硅、碳酸钙、氧化镁和碳加入电弧炉中继续加热；以15-25℃/分钟的速度对电弧炉逐步进行升温至1650℃后，保温5-10分钟后，再将溶化硅钙镁液体的浮渣除去后出炉；出炉后的硅钙镁液体自然降温至600-700℃凝结为一体，将其冷却常温后破碎至10mm-50mm，进行检验，本发明专利技术的方法冶炼出硅钙镁中含有的硫、磷和碳的成分不超过0.1%，可以满足炼钢的需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种冶炼硅钙镁的方法及其所制造出的硅钙镁产品，具体涉及一种用电弧炉冶炼硅钙镁的方法及其所制造出的硅钙镁产品。
技术介绍
硅钙镁作为一种冶炼钢的新型添加剂用于炼钢产生中，它作为炼钢的脱氧剂使用，由于自然界没有纯的硅钙镁，通常使用含硅、含钙和含镁的矿石冶炼而成，但是现有的冶炼方法，使得冶炼出的硅钙镁含有过多硫、磷和碳的成分，不能满足炼钢的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决用现有的冶炼硅钙镁的方法冶炼出的硅钙镁含有过多硫、磷和碳的成分的问题，而提供一种冶炼硅钙镁的方法及其所制造出的硅钙镁产品。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：本专利技术一种冶炼硅钙镁的方法，它包括以下步骤：（1）将含量为99%以上的结晶硅、含量为93%以上的碳酸钙和含量为92%以上的氧化镁分别粉碎至1mm-10mm的颗粒，将燃烧值至少为500大卡/公斤的碳粉碎至10mm-50mm；（2）将上述20-30份的结晶硅、5-16份的碳酸钙、2-8份的氧化镁和1-3份的碳混合均匀；（3）将电弧炉预热至400℃后，把步骤（2）中混合在一起的结晶硅、碳酸钙、氧化镁和碳加入电弧炉中继续加热；（4）以15-25℃/分钟的速度对电弧炉逐步进行升温至1650℃后，保温5-10分钟后，将溶化硅钙镁液体的浮渣除去后，再将溶化的硅钙镁液体出炉；（5）出炉后的硅钙镁液体自然降温至600-700℃凝结为一体，再将其冷却常温；（6）将步骤（5）的硅钙镁产品破碎至10mm-50mm，进行检验，当硅钙镁产品中的硫、磷和碳的含量分别小于0.1%时，对上述硅钙镁产品进行包装出厂；本专利技术一种冶炼硅钙镁的方法，其中：所述步骤（2）中结晶硅为22-28份；碳酸钙为8-12份；氧化镁为3-6份和碳为2-3份；本专利技术一种冶炼硅钙镁的方法，其中：所述步骤（2）中结晶硅为25份；碳酸钙为10份；氧化镁为5份和碳为2份；本专利技术一种冶炼硅钙镁的方法，其中：所述步骤（4）中，以18-22℃/分钟的速度对电弧炉逐步进行升温至1650℃后，保温6-8分钟后，将溶化的硅钙镁液体的浮渣除去后，再将溶化的硅钙镁液体出炉；本专利技术一种冶炼硅钙镁的方法，其中：所述步骤（4）中，以20℃/分钟的速度对电弧炉逐步进行升温至1650℃后，保温7分钟后，将溶化的硅钙镁液体的浮渣除去后，再将溶化的硅钙镁液体出炉；本专利技术一种冶炼硅钙镁的方法，其中：所述步骤（5）中的冷却是使用冷却液或空气冷却将硅钙镁产品进行冷却；本专利技术一种冶炼硅钙镁的方法，其中：所述的冷却液为水或机油。用本专利技术的上述方法制造出的硅钙镁产品。本专利技术冶炼硅钙镁的方法与现有的冶炼硅钙镁的方法，经过无数次试验证明，本专利技术的方法冶炼出硅钙镁中含有的硫、磷和碳的成分不超过0.1％，可以满足炼钢的需求。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下对本专利技术进行进一步详细说明。一种冶炼硅钙镁的方法，它包括以下步骤：（1）将含量为99%以上的结晶硅（SO2.6H2O）、含量为93%以上的碳酸钙和含量为92%以上的氧化镁分别粉碎至1mm-10mm的颗粒，将燃烧值至少为500大卡/公斤的碳粉碎至10mm-50mm；（2）将上述20-30份的结晶硅、5-16份的碳酸钙、2-8份的氧化镁和1-3份的碳混合均匀；例如：结晶硅为22-28份、碳酸钙为8-12份、氧化镁为3-6份和碳为2-3份；最好结晶硅为25份、碳酸钙为10份、氧化镁为5份和碳为2份；（3）将电弧炉预热至400℃后，把步骤（2）中混合在一起的结晶硅、碳酸钙、氧化镁和碳加入电弧炉中继续加热；（4）以15-25℃/分钟的速度，例如以18-22℃/分钟的速度，最好以20℃/分钟对电弧炉逐步进行升温至1650℃后，保温5-10分钟后，例如保温6-8分钟，最好保温7分钟，将溶化硅钙镁液体的浮渣除去后，再将溶化的硅钙镁液体出炉；（5）出炉后的硅钙镁液体自然降温至600-700℃凝结为一体，再用冷却液或空气冷却将硅钙镁产品冷却至常温，冷却液为水或机油；（6）将步骤（5）的产品破碎至10mm-50mm，进行检验，当硅钙镁产品中的硫、磷和碳的含量分别小于0.1%时，对上述硅钙镁产品进行包装出厂。用上述方法制造的硅钙镁产品。以上描述是对本专利技术的解释，不是对专利技术的限定，本专利技术所限定的范围参见权利要求，在不违背本专利技术的精神的情况下，本专利技术可以作任何形式的修改。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种冶炼硅钙镁的方法，它包括以下步骤：（1）将含量为99%以上的结晶硅、含量为93%以上的碳酸钙和含量为92%以上的氧化镁分别粉碎至1mm？10mm的颗粒，将燃烧值至少为500大卡/公斤的碳粉碎至10mm？50mm；（2）将上述20？30份的结晶硅、5？16份的碳酸钙、2？8份的氧化镁和1？3份的碳混合均匀；（3）将电弧炉预热至400℃后，把步骤（2）中混合在一起的结晶硅、碳酸钙、氧化镁和碳加入电弧炉中继续加热；（4）以15？25℃/分钟的速度对电弧炉逐步进行升温至1650℃后，保温5？10分钟后，将溶化硅钙镁液体的浮渣除去后，再将溶化的硅钙镁液体出炉；（5）出炉后的硅钙镁液体自然降温至600？700℃凝结为一体，再将其冷却常温；（6）将步骤（5）的硅钙镁产品破碎至10mm？50mm，进行检验，当硅钙镁产品中的硫、磷和碳的含量分别小于0.1%时，对上述硅钙镁产品进行包装出厂。

【技术特征摘要】
1.一种冶炼硅钙镁的方法，它包括以下步骤：
（1）将含量为99%以上的结晶硅、含量为93%以上的碳酸钙和含量为92%以
上的氧化镁分别粉碎至1mm-10mm的颗粒，将燃烧值至少为500大卡/公斤的碳粉碎至
10mm-50mm；
（2）将上述20-30份的结晶硅、5-16份的碳酸钙、2-8份的氧化镁和1-3份的
碳混合均匀；
（3）将电弧炉预热至400℃后，把步骤（2）中混合在一起的结晶硅、碳酸钙、
氧化镁和碳加入电弧炉中继续加热；
（4）以15-25℃/分钟的速度对电弧炉逐步进行升温至1650℃后，保温5-10分
钟后，将溶化硅钙镁液体的浮渣除去后，再将溶化的硅钙镁液体出炉；
（5）出炉后的硅钙镁液体自然降温至600-700℃凝结为一体，再将其冷却常温；
（6）将步骤（5）的硅钙镁产品破碎至10mm-50mm，进行检验，当硅钙镁产品
中的硫、磷和碳的含量分别小于0.1%时，对上述硅钙镁产品进行包装出厂。
2.如权利要求1所述的冶炼硅钙镁的方法，其特征在于：所述步骤（2）中结晶硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪征礼，
申请(专利权)人：纪征礼，
类型：发明
国别省市：