本发明专利技术涉及杀菌消毒领域，特别涉及一种低腐蚀性的酸性氧化电位杀菌水及其制备方法。本发明专利技术的低腐蚀性的酸性氧化电位杀菌水的制备方法，包括以下步骤：（1）提供可以产生氢离子的A单元；（2）提供含有有效氯或者可以产生有效氯的B单元；（3）将所述A单元与所述B单元混合，得到酸性强氧化性溶液，所述酸性强氧化性溶液的pH值在2-7间，其氧化还原电位不低于700mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其每一种腐蚀性金属离子的含量不高于0.02mol/L，所述腐蚀性金属离子能与单质铝发生置换反应。与已有的化学法配置的酸性氧化电位杀菌水相比，本发明专利技术的酸性氧化电位杀菌水可降低或者控制对金属的腐蚀性，从而扩大了应用范围。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及杀菌消毒领域，特别涉及。
技术介绍
消毒领域中引入氧化还原电位的概念是源于日本20世纪80年代研制生产的酸性氧化电位水生成机及由生成机产生的酸性氧化电位水。酸性氧化电位水(简称E0W)是指 具有高氧化还原电位(ORP)、低pH值特性和低浓度有效氯(ACC)的水。酸性氧化电位水杀菌的机理如下首先，由于自然界中大多数种类的微生物生活在pH 4-9的环境中，而酸性氧化电位水的pH值可影响微生物生物膜上的电荷以及养料的吸收、酶的活性，并改变环境中养料的可给性或有害物质的毒性，从而达到杀灭微生物的目的。其次，由于氢离子、钾离子、钠离子等在微生物生物膜内外的分布不同，使得膜内、外电位达到动态平衡时有一定的电位差，一般约为-700 +900mV。需氧细菌的生物膜内外的的电位差一般为+200 +800mV,而厌氧细菌的生物膜内外的的电位差一般为-700 +200mV。酸性氧化电位水中的氧化、还原物质和pH等因素，使其ORP高于IlOOmV,超出了微生物的生存范围。具有高ORP (即0RP>1 IOOmV)的EOW接触微生物后迅速夺取电子，干扰生物膜平衡，改变生物膜内外电位差、膜内外的渗透压，导致生物膜通透性增强、细胞肿胀及细胞代谢酶的破坏，使胞内物质溢出、溶解，从而达到快速杀灭微生物的目的。最后，有效氯能使细胞的通透性发生改变，或使生物膜发生机械性破裂，促使细胞内溶物向外渗出，致使细菌死亡。并且，次氯酸为中性小分子物质，易侵入细胞内与蛋白质发生氧化作用或破坏其磷酸脱氢酶，使糖代谢失调致使细菌死亡，从而达到杀灭微生物的目的。EOW系统的杀菌能力是以ACC为主导，低pH值及高ORP为重要促进的三者协同作用的结果。该系统协同效果远高于单一的ACC、低pH值及高ORP作用的简单加和，其ACC越高、PH值越低、ORP越高，系统综合灭菌效果就越好。但是，现有的酸性氧化电位杀菌水具有普遍的金属腐蚀性。
技术实现思路
本专利技术的第一目的在于提供一种低腐蚀性的酸性氧化电位杀菌水的制备方法，以解决现有技术中的酸性氧化电位杀菌水具有普遍的金属腐蚀性的技术性问题。本专利技术的第二目的在于提供一种低腐蚀性的酸性氧化电位杀菌水，以解决现有技术中的酸性氧化电位杀菌水具有普遍的金属腐蚀性的技术性问题。本专利技术目的通过以下技术方案实现一种低腐蚀性的酸性氧化电位杀菌水的制备方法，包括以下步骤(I)提供可以产生氢离子的A单元；(2)提供含有有效氯或者可以产生有效氯的B单元；(3)将所述A单元与所述B单元混合，得到酸性强氧化性溶液，所述酸性强氧化性溶液的PH值在2-7间，其氧化还原电位不低于700mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其每一种腐蚀性金属离子的含量不高于O. 02mol/L，所述腐蚀性金属离子能与单质铝发生置换反应。优选地,所述腐蚀性金属离子为Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po、Hg、Ag、Rh、Pd、Pt 或 Au 的离子。优选地，所有腐蚀性金属离子的含量之和不高于O. 02mol/L。优选地，在步骤(I)中还包括对所述A单元进行预处理。优选地，在步骤(2)中还包括对所述B单元进行预处理。优选地，在步骤(3)中还包括对所述A单元与所述B单元混合后的混合液进行后处理。优选地，对所述A单元进行预处理的方法可选自加入腐蚀性金属离子失活剂、膜分离法、电化学法、层析法、吸附法或离子交换法中的一种或者几种，以去除部分腐蚀性金属离子。优选地，对所述B单元进行预处理的方法可选自加入腐蚀性金属离子失活剂、膜分离法、电化学法、层析法、吸附法或离子交换法中的一种或者几种，以去除部分腐蚀性金属离子。优选地，所述后处理的方法可选自加入腐蚀性金属离子失活剂、膜分离法、电化学法、层析法、吸附法或离子交换法中的一种或者几种，以去除部分腐蚀性金属离子。优选地，所述A单元为酸性。优选地，所述B单元含有液氯、二氧化氯、次氯酸盐、次氯酸盐的复盐、亚氯酸盐或有效氯前体物质中的一种或几种，所述有效氯前体物质是指与酸或者水反应可以生成有效氯的含氯物质。优选地，所述B单元为中性或者碱性。一种低腐蚀性的酸性氧化电位杀菌水，包括使用前独立分装的A单元和B单元，所述A单元为可以产生氢离子的制剂；所述B单元为含有有效氯或者可以产生有效氯的制剂，所述A单元与所述B单元混合后得到酸性强氧化性溶液，所述酸性强氧化性溶液的pH值在2-7间，其氧化还原电位不低于700mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其每一种腐蚀性金属离 子的含量不高于O. 02mol/L，所述腐蚀性金属离子能与单质铝发生置换反应。优选地,所述腐蚀性金属离子为Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po、Hg、Ag、Rh、Pd、Pt 或 Au 的离子。优选地，所有腐蚀性金属离子的含量之和不高于O. 02mol/Lo优选地，所述B单元含有液氯、二氧化氯、次氯酸盐、次氯酸盐的复盐、亚氯酸盐或有效氯前体物质中的一种或几种，所述有效氯前体物质是指与酸或者水反应可以生成有效氯的含氯物质。优选地,所述B单元为中性或者碱性。一种低腐蚀性的酸性氧化电位杀菌水，所述杀菌水的pH值在2-7间，其氧化还原电位不低于700mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其每一种腐蚀性金属离子的含量不高于O. 02mol/L，所述腐蚀性金属离子能与单质铝发生置换反应。优选地,所述腐蚀性金属离子为Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po、Hg、Ag、Rh、Pd、Pt 或 Au 的离子。优选地，所有腐蚀性金属离子的含量之和不高于O. 02mol/Lo优选地，所述杀菌水中含有无机酸、有机酸、强酸弱碱盐、强碱弱酸盐、弱酸弱碱盐或者强酸强碱盐的一种或者几种。优选地，所述杀菌水中的有效氯由液氯、二氧化氯、次氯酸盐、次氯酸盐的复盐、亚氯酸盐或有效氯前体物质的一种或几种生成，所述有效氯前体物质是指与酸或者水反应可以生成有效氯的含氯物质。与现有的酸性氧化电位杀菌水相比，本专利技术有以下优点 I、本专利技术的酸性氧化电位杀菌水可降低对金属的腐蚀性，从而扩大了应用范围；2、在使用前，本专利技术的酸性氧化电位杀菌水的A单元和B单元单独存放，当要使用时，再将A单元和B单元混合，解决了酸性氧化电位杀菌水的储藏问题，使用非常方便；3、在制备本专利技术的酸性氧化电位杀菌水的过程中，增强了人为可调节性，可根据实际需求调节杀菌水的PH值、有效氯含量及氧化还原电位。附图说明图I为酸性环境中，氢离子对铝的腐蚀效果示意图；图2为酸性环境中，金属离子对铝的腐蚀效果示意图；图3为酸性氧化性环境中，有效氯与金属离子协同对铝的腐蚀效果的示意图；图4为酸性氧化性环境中，pH值与金属离子协同对铝的腐蚀效果的示意图；图5为酸性氧化性环境中，不同的金属离子对铝的腐蚀效果的示意图。具体实施例方式以下对本专利技术进行详细描述。目前，酸性氧化电位杀菌水对金属的腐蚀性已经展开了初步研究，已公布的结果显示酸性氧化电位水具有普遍的金属腐蚀性。但是对其腐蚀性的机理的研究并没有进行，其腐本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种低腐蚀性的酸性氧化电位杀菌水的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供可以产生氢离子的A单元；（2）提供含有有效氯或者可以产生有效氯的B单元；（3）将所述A单元与所述B单元混合，得到酸性强氧化性溶液，所述酸性强氧化性溶液的pH值在2？7间，其氧化还原电位不低于700mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其每一种腐蚀性金属离子的含量不高于0.02mol/L，所述腐蚀性金属离子能与单质铝发生置换反应。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：邵鹏飞，
申请(专利权)人：邵鹏飞，
类型：发明
国别省市：
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