【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种高度较高磁体福射充磁导磁结构。
技术介绍
目前，磁性材料的应用领域非常广泛，但磁体并不是生产出来就具备磁性的，在磁体生产过程中，必须对磁体进行充磁。不同领域的磁路设计不尽相同，所用的磁体形状和充磁方向也各不相同，磁体形状主要有柱形、环形、方形、瓦形，充磁方向可以分为轴向和径向，在大部分领域中磁体的工作是单一的，对于这些磁体可以利用辐射磁场充磁来对磁体进行充磁操作，在实际生产中，对于较低高度的磁体，充磁比较简单，得到的磁体磁力比较均匀，但对于高度较高的磁体，仍存在着充磁不均等问题，而且充磁需要消耗大量电能，生产过程中充磁瞬间会产生大量的热，易损坏充磁线圈。
技术实现思路
本技术的目的即在于克服现有技术的不足，提供一种耐高温，能够对高度较高的磁体进行均匀充磁的高度较高磁体辐射充磁导磁结构。本技术的目的通过以下技术方案来实现高度较高磁体辐射充磁导磁结构，包括由线圈绕制的上螺旋管和下螺旋管，上螺旋管的下底面和下螺旋管的上底面为平面，在下螺旋管的上底面中心设置有导磁定位柱和能自由活动的圆柱环形导磁套。导磁定位柱的半径与导磁套的内圆半径之差等于磁体元件的厚度。本技术的有益效果是采用耐高温线圈，延长设备的使用寿命；采用双向导磁结构，能使磁体元件均匀受力，保证磁体内外磁力均匀，使磁体获得较高的磁通密度；结构简单、操作方便。附图说明图I为本技术的工作状态结构示意图；图2为本技术工作状态下螺旋管平面俯视图；图中，I-上螺旋管,2-下螺旋管,3-定位柱,4-导磁套,5-磁体元件。具体实施方式以下结合附图进一步说明本技术的技术方案，但本技术的保护范围不局限于以下所述。如图...
【技术保护点】
高度较高磁体辐射充磁导磁结构，其特征在于：它包括由线圈绕制的上螺旋管（1）和下螺旋管（2），上螺旋管（1）的下底面和下螺旋管（2）的上底面为平面，在下螺旋管（2）的上底面中心设置有导磁定位柱（3）和能自由活动的圆柱环形导磁套（4）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周勇，
申请(专利权)人：成都图南电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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