一种镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料，化学式组成为：La1-xSrxCu1-yMnySO。本发明专利技术还公开了该镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料的制备方法，将原料混合，在氩气保护下充分研磨，然后在一定的压强下冲压；将得到的压片密封在真空容器内，放在管式炉中升温，再恒温煅烧，即得到镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料。本发明专利技术采用Mn2+替代Cu+的方法引入磁矩，然后用Sr部分替代La引入空穴型载流子，通过以上掺杂可以很好的控制该半导体的导电性和磁性，获得了居里温度更高的ZrCuSiAs型结构的稀磁半导体，该稀磁半导体材料具有很高铁磁转变温度，居里温度TC提高到199K，且不含有As等剧毒元素。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及稀磁半导体材料及其制备领域，尤其涉及一种具有较高铁磁转变温度的镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料及其制备方法。
技术介绍
稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductors, DMS)是指人为地将少量的磁性原子掺入非磁性半导体材料中，从而得到的磁性半导体材料，以此为基础可以制备出集磁、光、电于一体的新型半导体电子器件。由于在自旋电子学领域的应用潜力，稀磁半导体得到了很多科研工作者的关注。(Ga，Mn)As，(In，Mn)As, (Ga，Mn)N是典型的III-V族稀磁半导体，用Mn替代Ga或者In仅能获得亚稳态的化合 物，只能利用分子束外延技术生长出具有一定Mn掺杂浓度的薄膜。最近,一个磷族稀磁半导体块体材料Li (Zn, Mn) As被发现，其铁磁转变温度(也即居里温度，表示为T。)仅为50K，其中的砷元素可能污染环境，亦不利于大规模应用。获得具有更高铁磁转变温度且环境友好的的稀磁半导体材料，是开发其应用的一个前提要求。非磁半导体LaCuSO最先是通过氧化LaCuS2的方式得到，并且给出了其晶格结构。利用固相反应法得到的 LaCuOS 为 p型半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料，其特征在于，化学式组成为：La1?xSrxCu1?yMnySO，其中x＝0～0.1，y＝0.05～0.1。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许祝安，杨小军，曹光旱，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：