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本发明公开了一种镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料，化学式组成为：La1-xSrxCu1-yMnySO。本发明还公开了该镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料的制备方法，将原料混合，在氩气保护下充分研磨，然后在一定的压强下冲压；将得到的压片密封在真空容器内，放...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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