本发明专利技术公开了一种具有模式识别功能的电流源，包括，一电流设置电阻模块，用于设置所需的输出电流大小；一电压跟随器模块，用于将输入的高参考电位和低参考电位传递到所述设置电阻模块的参考电压端，并消除对所述高参考电位和低参考电位的阻性负载效应，所述电压跟随器模块能够根据电流设置电阻模块的输入电压端的电压和参考电压端的所述高参考电位的电位差，产生一高参考电流，根据电流设置电阻模块的输入电压端的电压和参考电压端的所述低参考电位的电位差，产生一低参考电流；一电流发生器模块，用于产生所述所需的输出电流；一模式判断逻辑模块，用于对所述高参考电流和低参考电流的大小进行比较，并根据比较结果，产生相应的逻辑驱动信号。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电流源，尤其涉及具有模式识别功能的电流源。
技术介绍
在集成电路设计领域中，经常需要外接一个电阻到某一电位来设置芯片内部参考电流，同时也要设置芯片的工作模式。现有的芯片上会同时使用两个引脚，一个用于设置芯片内部参考电流，另一个用于设置芯片的工作模式，这种方法存在下面的缺点在管脚较少或不够用的情况下，使用两个引脚是一个浪费；往往需要较大的补偿电容以保证系统稳定； 当要求多个同样的芯片相级联，在不同模式下工作时，模式识别需要另外作特殊处理。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供具有模式识别功能的电流源，用以解决现有的芯片同时使用两个引脚，一个用于设置芯片内部参考电流，另一个用于设置芯片的工作模式，造成引脚不够用的情况下的浪费、需要较大的补偿容以及当要求多个同样的芯片相级联，在不同模式下工作时，模式识别需要另外作特殊处理的问题。。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种具有模式识别功能的电流源，包括，一电流设置电阻模块，用于设置所需的输出电流大小；一电压跟随器模块，用于将输入的高参考电位和低参考电位传递到所述设置电阻模块的参考电压端，并消除对所述高参考电位和低参考电位的阻性负载效应，所述电压跟随器模块能够根据电流设置电阻模块的输入电压端的电压和参考电压端的所述高参考电位的电位差，产生一高参考电流，根据电流设置电阻模块的输入电压端的电压和参考电压端的所述低参考电位的电位差，产生一低参考电流；一电流发生器模块，用于用于根据电流设置电阻模块设置的所述所需输出电流的大小，产生所述所需的输出电流；一模式判断逻辑模块，用于对所述高参考电流和所述低参考电流的大小进行比较，并根据比较结果，产生相应的逻辑驱动信号。在本专利技术具有模式识别功能的电流源的一实施例中，其中，所述电压跟随器模块的电路结构包括，一高电压跟随器，用于将输入的低参考电位传递到设置电阻的参考电压端；一低电压跟随器，用于将输入的高参考电位传递到设置电阻的参考电压端，所述低电压跟随器单元和高电压跟随器单元具有一共同输出端与所述电流设置电阻模块连接。在本专利技术具有模式识别功能的电流源的一实施例中，其中，所述模式判断逻辑模块能够将所述低电压跟随器和所述高电压跟随器产生的电流作差，将电流差转化为电压，产生一高电压或一低电压，以作为两种状态判断逻辑信号。在本专利技术具有模式识别功能的电流源的一实施例中，其中，所述电流发生器模块能够镜像所述低电压跟随器和所述高电压跟随器的输出的电流，并对电流求和，求和后的电流为所述所需的输出电流。在本专利技术具有模式识别功能的电流源的一实施例中，其中，所述电流设置电阻模块的电路结构包括一个电流设置电阻，其一端接设置电流大小的输入电压信号，另一端为所述参考电压端，并与所述共同输出端连接。在本专利技术具有模式识别功能的电流源的一实施例中，其中，所述高电压跟随器的电路结构包括第一 NMOS管的栅极接高参考电压信号，第二 NMOS管和第一 NMOS管的源极接到第一电流源上；第二 NMOS管 的栅极和源极接在一起，并通过第二电流源接到电源线上；第一 PMOS管的栅极和漏极连接，第二 PMOS管的栅极和漏极连接，第一 PMOS管的源极和第二PMOS管的漏极连接，第二 PMOS管的源极和第二 NMOS管的栅极连接；第一 PMOS管的漏极通过第四电流源接到地上；第一 PMOS管的栅极连接第三PMOS管的栅极，第二 PMOS管的栅极连接第四PMOS管的栅极，第三MOS管的漏极通过第五电流源接到地线上，源极与第四PMOS管的漏极连接，第四PMOS管的源极连接第一 PMOS管开关的漏极，第五PMOS管开关的源极与第三电流源相连，该第三电流源另一端接到电源线，所述第一 PMOS管开关的栅极连接所述模式判断逻辑模块的状态输出端；第三PMOS管的漏极还与第三NMOS管的栅极连接，所述第三NMOS管的漏极与地线连接，所述第三NMOS管的源极与所述电流设置电阻的参考电压端相连，第三NMOS管的栅极还与所述的模式判断逻辑模块的输入端连接；另外第四PMOS管的漏端，通过串联的第一电阻和第一电容接到自身的源极。在本专利技术具有模式识别功能的电流源的一实施例中，其中，所述低电压跟随器的电路结构包括第六PMOS管的源极与第七PMOS管的漏极接在一起，并通过第六电流源连接到电源线，第六PMOS管的源极与第七PMOS管的源极连接第七电流源，且第六PMOS管的源极还连接地线；第六PMOS管的栅极接低参考电压信号；第七PMOS管的栅极和源极接在一起；第四NMOS管和第五NMOS管均为自身漏极与源极连接，第四NMOS管的源极和第五NMOS管的漏极连接，第五NMOS管的源极和第七PMOS管的栅极连接；第四NMOS管的漏极通第八电流源接到电源线上；第四NMOS管的栅极连接第六NMOS管的栅极，第五NMOS管的栅极连接第七NMOS管的栅极，第六NMOS管的漏极通过第九电流源接到电源线上，第六NMOS管的源极与第七NMOS管的漏极连接，第七NMOS管的源极通过一个第二 NMOS开关管与第十电流源相连，该电流源另一端接到地；第二 NMOS开关管的栅极连接模式判断逻辑模块的输出状态端，第六NMOS管的漏极还与一个第八PMOS管的栅极连接，第八PMOS管的源极与所述电源线连接，漏极与所述电流设置电阻的参考电压端相连，第八PMOS管的栅极还与所述的模式判断逻辑模块的输入端；另外第七NMOS管的漏极，通过串联的第二电阻和第二电容接到自身的源极。在本专利技术具有模式识别功能的电流源的一实施例中，其中，所述电流发生器模块的电路结构包括接收低电压跟随器和所述高电压跟随器输出的电流偏置电压信号，其中第九PMOS管的栅极与所述第八PMOS管的的栅极连接，第九PMOS管的漏极接到电源线上，第八NMOS管漏极与自身的栅极连接；第八NMOS管的源极与地相连；第八NMOS管的栅极还与第九NMOS管栅极相连，第九NMOS管的漏极与第十PMOS管的源极连接，第十PMOS管的栅极与自身的源极连接，第十PMOS管的漏极接到所述电源线上，第十PMOS管栅极与第十一 PMOS管的栅极连接；第十一 PMOS管的源极接所述电源线，漏极作为电流发生器单元电流输出端；第十PMOS管的漏极还与第十二 PMOS管的漏极连接，第十二 PMOS管的栅极与高电压跟随时器的第三NMOS管的栅极连接，第十二 PMOS管的漏极与地线连接。在本专利技术具有模式识别功能的电流源的一实施例中，其中，所述模式判断逻辑模块的电路结构包括第十NMOS管与第三NMOS管的栅极连接，第十NMOS管的漏极与地线连接，第十三PMOS管的源极与第十NMOS管的漏极连接，栅极与第八PMOS管的栅极连接，第十三PMOS管的漏极通过电容与地连接，第十三PMOS管的漏极还与迟滞反相器的输入端相连，迟滞反相器的输出接反相器输入，反相器输出为模式判断逻辑模块的状态输出端。在本专利技术具有模式识别功能的电流源的一实施例中，其中，所述第一电流源能够输出两倍单位电流，所述第二电流源能够输出一倍单位电流，所述第三电流源能够输出一倍单位电流，第四电流源能够输出一倍单位电流，第五电流源能够输出一倍单位电流，第六电流源能够输出二倍单位电流，第七电流源能够输出二倍单位电流，第八电流源能够输出一倍单位电流，第九电流源能够输出本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有模式识别功能的电流源，包括，一电流设置电阻模块，用于设置所需的输出电流大小；一电压跟随器模块，用于将输入的高参考电位和低参考电位传递到所述设置电阻模块的参考电压端，并消除对所述高参考电位和低参考电位的阻性负载效应，所述电压跟随器模块能够根据电流设置电阻模块的输入电压端的电压和参考电压端的所述高参考电位的电位差，产生一高参考电流，根据所述电流设置电阻模块的输入电压端的电压和参考电压端的所述低参考电位的电位差，产生一低参考电流；一电流发生器模块，用于根据电流设置电阻模块设置的所述所需输出电流的大小，产生所述所需的输出电流；一模式判断逻辑模块，用于对所述高参考电流和所述低参考电流的大小进行比较，并根据比较结果，产生相应的逻辑驱动信号。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡如波，马军，
申请(专利权)人：华润矽威科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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