一种电压调节电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电压调节电路，其包括可控硅Q1、MCU、可控硅Q2、驱动触发光耦U1和驱动触发光耦U4，可控硅Q1和可控硅Q2串联在智能控制器的输入回路中，驱动触发光耦U4的输入端与可控硅Q1并联，且驱动触发光耦U4的阳极连接MCU的I/O，驱动触发光耦U1的输入端与可控硅Q2并联，且驱动触发光耦U1的阴极连接MCU的I/O。本实用新型专利技术实现了调压电路的自我异常诊断，且实现了一旦发现可控硅短路或MCU失效异常便可及时切断输出，避免了输出高压给负载带来的损伤，提高了整个电路的安全防护，具有极强的实用价值，可广泛推广应用。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种电压调节电路，具体说，是涉及ー种能实现自身异常诊断及一旦出现异常能及时切断电压输出的电压调节电路。技术背景在ー些交流调压控制电路中，例如，在ー些抱闸线圈的控制器，通常都使用可控硅做为主要的功率器件，用MCU (MCU是微控制单元MicroControllerUnit的英文縮写)来控制其导通角进行调压或电流控制，现有电压调节控制电路中，可控硅通常为ー个，直接用MCU来调节和控制，在实际运用中，可控硅断路时对负载不会有伤害，但可控硅处于短路异常吋，就会对负载造成损伤，具体体现在以下两点安全隐患I)若可控硅发生短路异常，其便不再受控，直接输出高电压；2)若MCU死机或损坏时，其I/O ロ要么同为高电压，要么同为低电平，将导致可控硅处于全通状态。在发生以上情况时，输出电压便会偏高，易损伤后端负载，即使后端有过压检測，那也只能检测出电压异常，而没办法去切断输出，以致产生严重经济损失。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述问题，本技术的目的是提供ー种能实现自身异常诊断及一旦出现异常能及时切断电压输出的电压调节电路。为实现上述技术目的，本技术采取的技术方案如下ー种电压调节电路，包括可控硅Ql和MCU，其特征在于还包括可控硅Q2、驱动触发光耦Ul和驱动触发光耦U4，可控硅Ql和可控硅Q2串联在智能控制器的输入回路中，驱动触发光耦U4的输入端与可控硅Ql并联，且驱动触发光耦U4的阳极连接MCU的1/0，驱动触发光耦Ul的输入端与可控硅Q2并联，且驱动触发光耦Ul的阴极连接MCU的I/O。作为ー种优选方案，输入电流为交流电，包括L极和N极，所述可控硅Ql的I脚与负载的一端相连接，可控硅Ql的2脚与交流电的L极相连接；可控硅Q2的I脚与负载的另一端相连接，可控娃Q2的2脚与交流电的N极相连接。与现有技术相比，本技术具有如下有益效果本技术采用触发光耦U4和触发光耦Ul分别驱动可控硅Ql和可控硅Q2，MCU控制可控硅的导通及导通角的大小来实现交流斩波，从而实现了调压电路的自我异常诊断，且实现了一旦发现可控硅短路或MCU失效异常便可及时切断输出，避免了输出高压给负载带来的损伤，提高了整个电路的安全防护，具有极强的实用价值，可广泛推广应用。附图说明图I是本技术提供的ー种电压调节电路的结构示意图。具体实施方式以下结合附图及其实施例对本技术进ー步详细地说明实施例如图I所示，本技术提供的ー种电压调节电路，包括可控硅Q1、MCU、可控硅Q2、驱动触发光耦Ul和驱动触发光耦U4，可控硅Ql和可控硅Q2串联在智能控制器的输入回路中，驱动触发光耦U4的输入端与可控硅Ql并联，且驱动触发光耦U4的阳极连接MCU的1/0，驱动触发光耦Ul的输入端与可控硅Q2并联，且驱动触发光耦Ul的阴极连接MCU的I/O ;其具体电路连接方式为输入电流为交流电，包括L极和N扱，所述可控硅Ql的I脚与负载的一端相连接，可控硅Ql的2脚与交流电的L极相连接；可控硅Q2的I脚与负载的另一端相连接，可控娃Q2的2脚与交流电的N极相连接。作为进ー步优选方案，电源导通时，可控硅Ql处于全导通状态，通过MCU控制可控·娃Q2的导通角来调整电压的输出，再将可控娃Q2也处于全导通状态,通过控制可控娃Ql的导通角来调整电压的输出，这样周期性的切換可控硅Q1、Q2的工作模式，形成交流斩波。本技术的工作过程如下在智能控制器的输入回路中串进可控硅Ql和可控硅Q2，在上电工作时，其中ー个可控硅，如可控硅Ql —直处于全导通状态，通过控制可控硅Q2的导通角来调整电压的输出，这样经过ー个时间周期，再将可控硅Q2 —直处于全导通状态，再控制可控硅Ql的导通角来调整输出电压，这样周期性的变换可控硅Ql和可控硅Q2的工作模式，如果有ー只可控硅处于短路状态，反馈电压便会异常，此时MCU通过切断另外ー只可控硅来切断输出电源，从而可保护负载；将驱动触发光耦U4的阳极连接MCU的1/0，将驱动触发光耦Ul的阴极连接MCU的1/0，这样在MCU死机或损坏时，总有一只光耦处于关断状态，使其中一只可控硅处于关断状态，从而切断了输出。综上所述,本技术采用触发光耦U4和触发光耦Ul分别驱动可控硅Ql和可控硅Q2，MCU控制可控硅的导通及导通角的大小来实现交流斩波，从而实现了调压电路的自我异常诊断，可以很好的解决可控硅短路异常、MCU失效异常对负载所帯来的安全隐患，且一旦发现异常，能够有效的快速切断输出，避免给负载带来损伤，具有极强的实用价值。最后有必要在此说明的是上述内容只用于对本技术的技术方案作进ー步详细说明，不能理解为对本技术保护范围的限制，本领域的技术人员根据本技术的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本技术的保护范围。权利要求1.ー种电压调节电路，包括可控硅Ql和MCU，其特征在于还包括可控硅Q2、驱动触发光耦Ul和驱动触发光耦U4，可控硅Ql和可控硅Q2串联在智能控制器的输入回路中，驱动触发光耦U4的输入端与可控硅Ql并联，且驱动触发光耦U4的阳极连接MCU的1/0，驱动触发光耦Ul的输入端与可控硅Q2并联，且驱动触发光耦Ul的阴极连接MCU的I/O。2.根据权利要求I所述的电压调节电路，其特征在于所述可控硅Ql的I脚与负载的一端相连接，可控硅Ql的2脚与交流电的L极相连接；所述可控硅Q2的I脚与负载的另ー端相连接，可控娃Q2的2脚与交流电的N极相连接。专利摘要本技术公开了一种电压调节电路，其包括可控硅Q1、MCU、可控硅Q2、驱动触发光耦U1和驱动触发光耦U4，可控硅Q1和可控硅Q2串联在智能控制器的输入回路中，驱动触发光耦U4的输入端与可控硅Q1并联，且驱动触发光耦U4的阳极连接MCU的I/O，驱动触发光耦U1的输入端与可控硅Q2并联，且驱动触发光耦U1的阴极连接MCU的I/O。本技术实现了调压电路的自我异常诊断，且实现了一旦发现可控硅短路或MCU失效异常便可及时切断输出，避免了输出高压给负载带来的损伤，提高了整个电路的安全防护，具有极强的实用价值，可广泛推广应用。文档编号H02H7/12GK202759218SQ201220494478公开日2013年2月27日 申请日期2012年9月25日 优先权日2012年9月25日专利技术者秦吉芳, 洪浩, 王伟峰 申请人:上海微频莱机电科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压调节电路，包括可控硅Q1和MCU，其特征在于：还包括可控硅Q2、驱动触发光耦U1和驱动触发光耦U4，可控硅Q1和可控硅Q2串联在智能控制器的输入回路中，驱动触发光耦U4的输入端与可控硅Q1并联，且驱动触发光耦U4的阳极连接MCU的I/O，驱动触发光耦U1的输入端与可控硅Q2并联，且驱动触发光耦U1的阴极连接MCU的I/O。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：秦吉芳，洪浩，王伟峰，
申请(专利权)人：上海微频莱机电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：