本发明专利技术是可用于防露天石碑风化的透明薄膜平贴覆盖技术，其特征在于：由一个顶盖，一个裙式连接布，一片正面薄膜，一片反面薄膜，两片侧面薄膜，四片底部保护膜、四片包棱薄膜和若干侧面拉紧带组成。可按以下步骤用于石碑防风化：准确量测石碑的尺寸，确定薄膜所用材料类型、厚度及尺寸，并制作相应的薄膜。用胶将顶盖、裙式连接布与正、反面薄膜和侧面薄膜粘结在一起，从石碑上端套入。用包棱薄膜覆盖于石碑棱边，并与其它面上的薄膜粘结在一起，用侧面拉紧带把薄膜拉紧，使其能紧贴在石碑表面上，用底部保护膜对石碑底部进行补充覆盖。该技术能较全面地起到防风化和防游人触摸的作用，且具有可逆、可原地保护和造价低等优点。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种防露天石碑风化的透明薄膜平贴覆盖技术，尤其是一种利用裙式连接布和若干侧面拉紧带将透明薄膜平贴在石碑上的防石碑风化技术。
技术介绍
历史悠久的我国，有着大量的古石碑，它们是传承中华文化的重要载体。所以如何长期保护这些石碑，无论对宏扬我国文化，还是对石质文物保护来说，都是十分重要的。从对石碑损坏情况的大量调查资料看，因处于露天而造成石碑风化损坏的情况占大多数，而因为人为而毁坏的仅为少数。所以露天石碑防风化方法和技术是不可或缺的。 但问题是，到目前为止未见有关露天石碑防风化方法和技术的报道。申请者注意到人们把一些较珍贵的石碑文化从露天移到屋内加以保护的情况(例如在西安碑林，人们将重要的石碑安置在屋内加以保护)；有些石碑甚至被嵌在墙上(例如衢州南孔庙的一些石碑被嵌于墙上)，有的进一步用玻璃柜加以保护(例如天台县塔头寺古唐碑)。显然，可以把上述3点措施(即将石碑从露天移到屋内，以免日晒和风吹、雨淋的措施；将之嵌在屋内墙上，仅暴露正面的措施；将石碑用玻璃柜罩起来的措施)看作为防石碑风化的现有技术，但都不是在露天条件下的石碑防风化技术。上述3种现有的石碑防风化技术虽然有效，但仍存在着以下不足第一，无论是将石碑收藏在屋内的技术，还是为之罩上玻璃柜的技术所需的成本都较高；第二，仍有大量的石碑因不能得到上述防风化技术的保护而被留置在露天。因此可以说，到目前为止有关露天石碑的防风化问题仍未解决。在本专利技术中，拟采用PVC透明薄膜作为基本材料，为了考察其防风化和阻隔紫外线能力，选取了 3种规格的PVC透明薄膜进行测试(I) PVC透明薄膜I :厚O. 3mm ； (2) PVC透明薄膜I :厚2. 36mm ； (3) PVC透明薄膜I :厚I. 6mm。测试仪器为UV-A型紫外线辐照度计，在龙游县龙游石窟现场进行测试，对于每个测试对象都进行两次测试第一次用某一选定的PVC透明薄膜遮挡住对着太阳的仪器测头，并测得读数值A ;第二次则在保持上述测头的位置和朝向不变的情况下，移去原遮挡测头前的PVC透明薄膜，并进行测定，得测值B。由于在完成第一次测试后约2-4秒即进行第二次测试，所以可假定两次测试时的阳光辐射情况不变，并在这一假定条件下以比值C表示被测试薄膜的阻隔阳光紫外线能力。C = (B-A)/BX 100 (% )(I)表1-3给出了上述三种PVC透明薄膜的C值测定结果。据表1，PVC透明薄膜I的20组测值的C值分布在6% 37%范围内，平均值为17. 3%，这意味着17. 3%的阳光紫外线将被厚约O. 3mm的PVC透明薄膜I挡住；据表2，PVC透明薄膜2的20组测值的C值分布在98 % 99 %范围内，平均值为98. 4 %，这意味着有高达98. 4 %的阳光紫外线将被厚2.36mm的PVC透明薄膜2挡住；据表3，PVC透明薄膜3的33组测值的C值分布在22% 39%范围内，平均值为32%，这意味着32%的阳光紫外线将被厚约I. 6mm的PVC透明薄膜3挡住。可见采用PVC透明薄膜作为防露天石碑风化的材料是可行的。表I所选的PVC透明薄膜I (厚O. 3mm)的C值测定结果权利要求1.一种防露天石碑风化的透明薄膜平贴覆盖技术，其特征在于由一个顶盖，一个裙式连接布，一片正面薄膜，一片反面薄膜，两片侧面薄膜，四片底部保护膜、四片包棱薄膜和若干侧面拉紧带组成；顶盖和裙式连接布粘在一起形成顶套，裙式连接布的四边分别与正、反面薄膜和侧面薄膜粘结在一起，四片包棱薄膜用于覆盖石碑的四个棱边，并与正、反面薄膜和侧面薄膜粘结在一起；四片底部保护膜对石碑底部进行补充覆盖；侧面拉紧带设于正、反面薄膜与侧面薄膜之间的4条石碑棱边的合适部位，并粘结在正、反面薄膜的侧边与两侧面薄膜的侧边上；该石碑覆盖技术可以按以下步骤来实施 (1)精确测量待进行防风化保护的露天石碑各部分的尺寸，并清洗石碑； (2)根据石碑本身的文物价值、正面雕刻的保护价值等资料选定合适的正、反面薄膜和侧面薄膜，包括拟采用的薄膜材料、材料厚度以及是否采用加贴防紫外线薄膜而形成的复合型透明薄膜等； (3)根据石碑的高度、厚度、上端部形状和尺寸以及重要性等，并考虑石碑制作所带来的尺寸误差等因素，确定顶盖、裙式连接布、正面薄膜、反面薄膜以及侧面薄膜尺寸，并制作相应的薄膜； (4)选用防水、强度足够和操作方便的胶水，将顶盖、裙式连接布、正、反面薄膜和侧面薄膜进行粘结，形成一个覆盖套，从待保护的石碑上端套入； (5)根据上述薄膜覆盖石碑情况，确定包棱薄膜的尺寸，并用胶将包棱薄膜与裙式连接布、正、反面薄膜和侧面薄膜进行粘结； (6)在石碑棱边的合适位置设置侧面拉紧带，用胶粘结在正、反面及侧面薄膜上，拉紧侧面拉紧带，使上述薄膜紧贴在石碑表面上； (7)根据上述正、反面薄膜和侧面薄膜的下端与石碑底座上表面的距离，决定是否用底部保护膜进行补充覆盖。2.如权利要求I所述的一种防露天石碑风化的透明薄膜平贴覆盖技术，其特征在于上述正面薄膜由一层PVC透明薄膜加贴一层透明的防紫外线薄膜组成，其透明程度需满足在石碑的外面也可以清楚地看到刻在石碑上的字和图。3.如权利要求I所述的一种防露天石碑风化的透明薄膜平贴覆盖技术，其特征在于上述反面薄膜的选用根据石碑反面的重要性而定如果石碑的反面无雕刻，则可采用不加贴防紫外线薄膜的透明薄膜，如果石碑的反面也刻有被认为与正面所刻的同样重要的内容，那么反面薄膜也采用与正面薄膜所用的相同的材料。4.如权利要求I所述的一种防露天石碑风化的透明薄膜平贴覆盖技术，其特征在于上述裙式连接布可以采用PVC材料制造，也可以采用尼龙材料，用胶将裙式连接布与正面薄膜、反面薄膜和两个侧面薄膜粘结在一起形成一个开口朝下、上部有顶，并在四周设有裙式长方形连接布的覆盖套。5.如权利要求I所述的一种防露天石碑风化的透明薄膜平贴覆盖技术，其特征在于上述顶盖选用PVC或尼龙材料，并根据裙式连接布顶部的形状来进行制作；它的长度比裙式连接布外表长度大20-30mm，宽度比裙式连接布外表宽度大20-30mm ;用胶将裙式连接布的上表面居中地粘结在顶盖上。6.如权利要求I所述的一种防露天石碑风化的透明薄膜平贴覆盖技术，其特征在于上述包棱薄膜为用较薄的PVC透明薄膜制作的四片窄条，用于覆盖石碑的四个棱边，包棱薄膜深入到侧面薄膜近边以内部分和压着它的侧面薄膜的部分用胶粘贴在一起，其另一边则仅压在正面薄膜之下。·全文摘要本专利技术是可用于防露天石碑风化的透明薄膜平贴覆盖技术，其特征在于由一个顶盖，一个裙式连接布，一片正面薄膜，一片反面薄膜，两片侧面薄膜，四片底部保护膜、四片包棱薄膜和若干侧面拉紧带组成。可按以下步骤用于石碑防风化准确量测石碑的尺寸，确定薄膜所用材料类型、厚度及尺寸，并制作相应的薄膜。用胶将顶盖、裙式连接布与正、反面薄膜和侧面薄膜粘结在一起，从石碑上端套入。用包棱薄膜覆盖于石碑棱边，并与其它面上的薄膜粘结在一起，用侧面拉紧带把薄膜拉紧，使其能紧贴在石碑表面上，用底部保护膜对石碑底部进行补充覆盖。该技术能较全面地起到防风化和防游人触摸的作用，且具有可逆、可原地保护和造价低等优点。文档编号C04B41/00GK102942382SQ201210466248公开日201本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种防露天石碑风化的透明薄膜平贴覆盖技术，其特征在于：由一个顶盖，一个裙式连接布，一片正面薄膜，一片反面薄膜，两片侧面薄膜，四片底部保护膜、四片包棱薄膜和若干侧面拉紧带组成；顶盖和裙式连接布粘在一起形成顶套，裙式连接布的四边分别与正、反面薄膜和侧面薄膜粘结在一起，四片包棱薄膜用于覆盖石碑的四个棱边，并与正、反面薄膜和侧面薄膜粘结在一起；四片底部保护膜对石碑底部进行补充覆盖；侧面拉紧带设于正、反面薄膜与侧面薄膜之间的4条石碑棱边的合适部位，并粘结在正、反面薄膜的侧边与两侧面薄膜的侧边上；该石碑覆盖技术可以按以下步骤来实施：(1)精确测量待进行防风化保护的露天石碑各部分的尺寸，并清洗石碑；(2)根据石碑本身的文物价值、正面雕刻的保护价值等资料选定合适的正、反面薄膜和侧面薄膜，包括：拟采用的薄膜材料、材料厚度以及是否采用加贴防紫外线薄膜而形成的复合型透明薄膜等；(3)根据石碑的高度、厚度、上端部形状和尺寸以及重要性等，并考虑石碑制作所带来的尺寸误差等因素，确定顶盖、裙式连接布、正面薄膜、反面薄膜以及侧面薄膜尺寸，并制作相应的薄膜；(4)选用防水、强度足够和操作方便的胶水，将顶盖、裙式连接布、正、反面薄膜和侧面薄膜进行粘结，形成一个覆盖套，从待保护的石碑上端套入；(5)根据上述薄膜覆盖石碑情况，确定包棱薄膜的尺寸，并用胶将包棱薄膜与裙式连接布、正、反面薄膜和侧面薄膜进行粘结；(6)在石碑棱边的合适位置设置侧面拉紧带，用胶粘结在正、反面及侧面薄膜上，拉紧侧面拉紧带，使上述薄膜紧贴在石碑表面上；(7)根据上述正、反面薄膜和侧面薄膜的下端与石碑底座上表面的距离，决定是否用底部保护膜进行补充覆盖。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨志法，李丽慧，张中俭，
申请(专利权)人：中国科学院地质与地球物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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