一种大量制备大小均一的三瓣花状CdS-C核-壳结构纳米复合球的方法技术

本发明专利技术是一种大量制备大小均一的三瓣花状CdS-C核-壳结构纳米复合球的方法。本发明专利技术制备大小均一的三瓣花状CdS-C核-壳结构纳米复合球的方法是：采用乙二醇作为溶剂，采用过渡金属的无机盐氯化镉（CdCl2·2.5H2O）为反应前驱物，加入表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮（PVP）和一定量的硫脲（TU）及葡萄糖，采取溶剂热的方法控制反应前驱物的硫化及产物形貌，从而获得高质量、高产量的三瓣花状CdS-C核-壳结构纳米复合球。采用本发明专利技术制备的三瓣花状CdS-C核-壳结构纳米复合球，其直径范围在300～400nm，本发明专利技术制备的三瓣花状CdS-C核-壳结构纳米复合球具有产品成本低、易控制、均匀性高、产量大、重复性好以及适合大规模生产等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于CdS的纳米材料及其制备
，特别是一种大量制备大小均一的三瓣花状Cds-C核-壳结构纳米复合球的方法。
技术介绍
硫化镉(CdS)是一种典型的II - IV族半导体化合物，室温下禁带宽度为2. 42eV，是一种直接带隙半导体，具有优异的光电转换特性和发光性能。随着尺寸的减小和形貌的变化，硫化镉纳米结构的禁带宽度会发生明显的变化，表现出不同于块材且更优异的光电性能，因而在发光二极管、太阳能电池、非线性光学材料等新材料方面有着广泛的用途，尤其在光催化方面，吸引了各国科学家的普遍关注。在美国的《物理化学杂志C》杂志(2008年，112卷7363页)有过报道。目前，已有文献报道制备CdS纳米半导体材料的方法有交替化学法、微乳液法、前躯体热分解法、物理气相沉积法、模板法等多种。但这些方法制备的CdS的均一性不是很好，而且制作方法较为繁琐复杂。目前，制备CdS比较普遍的方法是水热法，在荷兰的《材料快报》杂志(2010年，64卷439页)和德国的《高分子通报》杂志(2012年，68卷2061页)有过报道，专利200810062243. 2,200710043458等也公开了 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大量制备大小均一的三瓣花状CdS?C核?壳结构纳米复合球的方法，其特征在于在该制备三瓣花状CdS?C核?壳结构纳米复合球的方法中，采用乙二醇作为溶剂，采用过渡金属的无机盐氯化镉（CdCl2·2.5H2O）为反应前驱物，加入表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮（PVP）和一定量的硫脲（TU）及葡萄糖，采取溶剂热的方法控制反应前驱物的硫化及产物形貌，从而获得三瓣花状CdS?C核?壳结构纳米复合球。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡勇，高学会，
申请(专利权)人：浙江师范大学，
类型：发明
国别省市：