【技术实现步骤摘要】
—种变频器输出短路时保护IGBT的电路
本技术属于变频器
,尤其涉及一种变频器输出短路时保护IGBT的电路。
技术介绍
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)兼有场效应晶体管输入阻抗高、驱动功率小和双极型晶体管电压、电流容量大及管压降低的特点,是目前变频器和中、大功率开关电源最普遍使用的电力电子开关器件。目前,IGBT的保护电路主要有两种检测方式,一种是电压检测方式,一种是电流检测方式。电压检测方式的基本原理是通过检测IGBT的集电极和发射极的压降来判断IGBT 直通或者输出是否短路。三极管压降含有短路电流信息,过流时集电极和发射极的电压降增大,且基本上为线性关系,将检测过流时的集电极和发射极的电压降与设定的阈值进行比较,通过比较器的输出来控制驱动电路的关断。电流检测方式是通过检测输出电流的大小来判断电路是否异常。是用IGBT过流检测的方法,通常是采用霍尔电流传感器直接检测IGBT的输出电流,然后与设定的阈值比较,用比较器的输出去控制驱动信号的关断。IGBT能够承受的短路时间取决于它的饱和 ...
【技术保护点】
一种变频器输出短路时保护IGBT的电路,其特征在于,包括三极管Q1、Q2、Q3、一个或多个IGBT、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、一个稳压二极管Z、一个光耦、与所述IGBT连接的驱动信号输出端子和一个故障打开信号输出端子;所述光耦包括一发光二极管D1和一光敏三极管Q4;所述变频器的正极母线P连接第一电阻R1,第一电阻R1的另一端连接所述IGBT的源极和三极管Q1的发射极,所述IGBT的漏极连接所述变频器的负极母线N;三极管Q1的基极与其集电极以及三极管Q2的基极短接,并同时通过第二电阻R2接地,三极管Q2的发射极通过第四电阻R4连接至 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:宗长栋,王茂峰,池家武,
申请(专利权)人:深圳市步科电气有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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